半导体的基础知识教案 - 图文

更新时间:2024-04-17 16:06:01 阅读量: 综合文库 文档下载

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课 程 教学题目 授课时间 电子电工 教 师 张 丽 娟 教学班级 半导体的基础知识 计划课时 30分钟 7月15日 教学方法 讲授法 知识目标:1、了解本征半导体 2、掌握杂质半导体 3、掌握PN结的形成及特性 教学目标 能力目标:培养学生的分析能力,为以后分析电路而做准备。 情感目标:培养学生参与、合作意识,激发学生学习兴趣和乐于探究的精神。 教学重点重点:杂质半导体、PN结的特性 与难点 难点:PN结的形成 教学活动流程 教学步骤 教学内容 教学 方法 复习提问师生共述 时间 5分钟 复习内容: 引入新课: 构成各种电子电路最基本的元件是半导体器件。 常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应晶体管等。 电子器件中的半导体器件是用半导体材料制成的。 物质按其导电能力的强弱,可分为导体、绝缘体和半导体。 一、复习 1、导体:导电能力很强的物质,叫导体。如低价元素铜、铁、引入 铝等。 2、绝缘体:导电能力很弱,基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等. 为什么物质的导电能力有如此大的差别呢?这与它们的原子结构有关,即与它们的原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。 半导体的基础知识 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 一、 本征半导体 本征半导体:纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体的物质结构:在电子器件中,用得最多的材料是硅二、新课和锗,硅和锗都是四价元素,最外层原子轨道上具有4个电子,讲解 称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。 自由电子与空穴:共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量,其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子,同时必然在共价键中留下空位,称为空穴。空穴带正电。 20 分 钟 教师分析并提醒学生注意 半导体的导电性:在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流;另一方面,价电子也按一定方向依次填补空穴,即空穴产生了定向移动,形成所谓空穴电流。 载流子:由此可见,半导体中存在着两种载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中自由电子与空穴是同时成对产生的,因此,它们的浓度是相等的。 载流子的浓度:价电子在热运动中获得能量摆脱共价键的束缚,产生电子—空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量,与空穴相遇,使电子—空穴对消失,这种现象称为复合。在一定的温度下,载流子的产生与复合过程是相对平衡的,即载流的浓度是一定的。本征半导体中的载流子浓度,除了与半导体材料本身的性质有关以外,还与温度有关,当本征半导体所处环境温度升高或有光照射时,其内部载流子数增多,导电能力随之增强。所以半导体载流子的浓度对温度十分敏感。上述特点称为本征半导体的热敏性和光敏性,利用这些特点可以制成半导体热敏元件和光敏元件。 半导体的导电性能与载流子的浓度有关,但因本征载流子在常温下的浓度很低,所以它们的导电能力很差。当我们人为地、有控制地掺入少量的特定杂质时,其导电性将产生质的变化。 二、 杂质半导体 在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素(叫杂质元素),就形成杂质半导体,其导电能力将大大增强。因掺入杂质不同,杂质半导体可分为空穴(P)型和电子(N)型半导体两类。 1、P型半导体 在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素(如硼元素)。硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子,具有导电性能。在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(多子),自由电子为少数载流子(少子)。导电以空穴为主,故此类半导体称为空穴(P)型半导体。 2、N型半导体 在纯净的半导体硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷元素)后,就可成为N型半导体。在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,自由电子为多数载流子(多子);空穴为少数载流子(少子),导电以电子为主,故此类半导体称为电子(N)型半导体。 总结半导体的特点: 1.导电能力介于导体与绝缘体之间 2.受外界光和热的刺激时,导电能力会产生显著变化。 3. 在纯净半导体中,加入微量的杂质,导电能力急剧增强。 学生自己总结 三、 PN结的形成及特性 1. PN 结的形成 在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从PP----变薄+变薄N++++N空穴穴(多空数)-+-+--+(多数)电子(多数)电子(多数)R内电场I外电场I+内电场外电场mAUmAUN区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界R面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。 2. PN结的单向导电特性 在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。 1) PN结正向偏置 给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),如图1.6所示。由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。 PmAU三、小结 四、作业 实际工作中的运用 图1.6 PN结加正向电压 图1.7 PN结加反向电压 2) PN结反向偏置 给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图1.7所示。 由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。此时PN结内几乎无电流流过,PN结处于反向截止状态。 综上所述,PN结具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止 1、本征半导体 4分2、杂质半导体 钟 3、PN结的形成及特征 什么事PN结?简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接 1分触在一起,能够形成PN结吗? 钟 本节课在这一章中具有重要作用,半导体的应用十分广泛,主要是制成有特殊功能的元器件,如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件等。所以对机械、电子专业类学生是至关重要的。 --+-+-变薄----++++NP变厚------------++++++++++++N空穴(多数)电子(少数)电子(多数)空穴(少数)内电场IRIR内电场外电场+?AUR外电场

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