材料科学与工程基本概念及其应掌握的内容
更新时间:2023-12-22 19:59:01 阅读量: 教育文库 文档下载
基本概念
再结晶退火、再结晶、动态再结晶、二次再结晶、 晶体、点阵、空间点阵、点阵畸变、晶胞、晶族、同质多晶、同质异构体、晶粒生长、一级相变、二级相变、珠光体相变、相图中的自由度、相平衡、连线规则、共晶转变、中间相、伪共析转变、共析转变、包晶转变、离异共晶、晶界偏聚、金属键、共价键、离子键、配位数、费米能级、能带、储存能、形变组织、临界变形量、形变织构、网络形成体、网路变性体、尖晶石结构、反尖晶石结构、线缺陷、组分缺陷、福伦克尔(Frenker)缺陷、肖特基缺陷、位错、位错滑移、交滑移、螺位错、全位错、弗兰克尔空位、非化学计量结构缺陷、孪生、空间群、点群、电子化合物、稳态扩散、上坡扩散、反应扩散、弛豫、时效、均相成核、异相成核、固溶体、索氏体、珠光体、配位多面体、高分子的数均相对分子质量(Mn)、
高分子链的构型、间同立构、平衡分凝系数、热力学势函数、活性氧、调幅分解、金属玻璃、金属间化合物、润湿、.独立组分、烧结
填空题
1. 材料的组织结构包括: 、 、 和 。
2. 在描述原子中电子的空间位置和能量的4个量子数中,其中决定体系角动量
和电子几率分布的空间对称性的是第 量子数。
3. 派生键合包括 和
4. 组合成分子轨道的条件是 、 、 和 。
5. 晶体结构= + 。
6. 晶胞的基本要素: 和 。
7. 固体的表面特性包括 、 和 。
8. 最紧密堆积的晶体结构有两种:一种是 ,每个晶胞中有 个原子;另外一种是 ,每个晶胞中 有个原子。
9. 金刚石结构中,C是 链连接,配位数为 。
10. 固态相变的驱动力是 ,阻力是 和 。
11. 金属材料常用的强化手段有 、 、 和 。
12. 在离子晶体结构中,正离子构成 ,正负离子间的距离取决于 ,配位数取决于正负离子的 。
13. 高分子链中由于 而产生的分子在空间的不同形态称为构象,高分子能够改变构象的性质称为 。
14. 形成置换固溶体的影响因素有 、 、 和 。
15. 马氏体相变的两个基本特点是 和 。
16. 多晶体材料塑性变形至少需要 独立滑移系开动。
17. 固态相变形核时,晶核形态呈圆盘状具有最小的 能,最大的 。
18. 发生固态晶体中的扩散,根据伴随原子扩散是否产生新的相结构,可以分
为 扩散和 扩散。
19. 根据界面上原子排列结构不同,可把固体中的相界面分为 、 和 。
20. Cr (原子序号24)的基态电子为 。
21. 高分子中,由于 而产生的分子在空间的不同形态称为构象,高分子
能够改变构象的性质叫 。
22. 硅酸盐晶体主要结构类型(亚类)有 、 、 、 和架状。
23. 金属间化合物通常包括受电负性控制的 ,以原子尺寸为主要控制因 素的密排相和 ,以及由电子浓度起主要控制作用的 。
24. 线性高分子可反复使用,又称为 塑料;交联高分子不能反复使用, 称为 塑料。
25. 高岭石属于层状硅酸盐结构,一层是 ,一层是 。
26. 晶体内部构造的对称要素是除C、P、Ln和Lni外的 、 和
。
27. 三元相图中,共晶点是 相平衡,自由度为 。
28. 链段是用来描述高分子的 性。
29. CaO掺杂到ZrO2 中,其中Ca2+离子置换了Zr2+离子,由于电中性要求,以 上置换同时产生了一个 缺陷,可用 缺陷反应方程来表示。
30. 固态相变形核的驱动力是 ,阻力主要是 和 。
31. 小角度晶界由位错构成,其中对称倾转晶界由 位错构成,扭转晶界 由 位错构成。
32. 强化金属材料的方法有 强化、 强化、 强化、 强化。
33. 晶体按对称性可分为 晶族, 晶系,总共有 种点群 和 种空间群。
34. 面心立方堆积中,晶胞的原子数为 ,它有 个四面体空隙, 个八面体空隙。
35. 铸锭三晶区指 、 和 。
36. 再结晶完成后,晶粒长大可分为 晶粒长大和 晶粒长大。
37. 马氏体相变时,新相往往在母相的一定晶面上开始形成,这个晶面称为 。
38. 晶胞是 。
39. 空间群为Fm3m的晶体结构属于 晶族, 晶系。
40. 晶体结构与它的 、 和 有关。
41. 粘土荷电的主要原因有: 、 和 。
42. 熔体结构的聚合物理论认为熔体是 的混合物,聚合物的 、 和 随熔体的组成和温度而变化。
43. 在玻璃性质随温度变化的曲线上有二个特征温度 和 ,与这 二个特征温度相对应的粘度分别为 和 。
44. 本征扩散是由 而引起的质点迁移,本征扩散的活化能由 和 两部分组成,扩散系数与温度的关系式为: 。
45. 晶体的本质 。
46. 在等大球体的最紧密堆积中有 和 二种排列方式,前者的堆 积方式是 ,后者的堆积方式是 。
47. 在面心立方晶体结构中,密排面是 。
48. 由于 的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”,组分缺陷的 浓度主要取决于: 和 。
49. 熔体中析晶的过程分二步完成,首先是 ,然后是 过程。均 匀成核的成核速率是由 因子和 因子所决定的。
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