《防静电放电(ESD)损伤技术》研修班

《防静电放电（ESD）损伤技术》研修班

更多: 无 开课信息: 开课日期（天数） 2005/8/13-14 上课地区 广东-深圳市 课程编号：KC1516 费用 980 招生对象

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ESD工程师、研发部工程师、研发部主管

【主 办 单 位】中 国 电 子 标 准 协 会

【咨 询 热 线】0 7 5 5 – 2 6 5 0 6 7 5 7 1 3 7 9 8 4 7 2 9 3 6 李 生

【报 名 邮 箱】martin#ways.org.cn （请将#换成@）

课程内容

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统计表明，电子设备现场使用的故障原因中，元器件失效约占50％，其中由于静电放电损伤引起元器件的失效又占了45％，因此如何正确的防止静电放电损伤元器件是提高产品可靠性的关键问题。应广大企事业单位对电子元器件防静电放电损伤技术的需求，信息产业部电子第五研究所分析中心与深圳市捷瑞电子科技咨询有限公司联合于2005年8月13日在深圳举办《电子元器件防静电放电（ESD）损伤技术》培训班。欢迎各相关企业踊跃报名，电话（或传真/ E-mail）预约！ 培训内容：

一、电子元器件抗ESD损伤的基础知识 本章介绍有关静电和静电放电的基本原理，以及对元器件损伤的主要机理和模式。主要内容有：

1.1 静电和静电放电的定义和特点; 1.2 对静电放电认识的发展历史 ;

1.3 静电的产生:1.3.1 摩擦产生静电1.3.2 感应产生静电1.3.3 静电荷1.3.4 静电势1.3.5 影响静电产生和大小的因素 ;

1.4 静电的来源:1.4.1 人体静电 1.4.2 仪器和设备的静电 1.4.3 器件本身的静电 1.4.4 其它静电来源;

1.5 静电放电的三种模式:1.5.1 带电人体的放电模式 1.5.2 带电机器的放电模式 1.5.3 充电器件的放电模式;

1.6 静电放电失效:1.6.1 失效模式 1.6.2 失效机理;

二、制造过程的防静电损伤技术

本章介绍在电子元器件制造和装配过程中，对环境的静电防护要求，以保证电子元器件在制造和装配过程中的静电安全。主要内容有：

2.1 作用和意义: 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 ;

2.2 静电对电子产品的损害: 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程;

2.3 静电防保的目的和总的原则: 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径; 2.4 静电防护材料: 2.4.1与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2静电防保材料的主要参数 ;

2.5 静电防保器材 : 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静合消除器（消电器、电中和器或离子平衡器）;

2.6 静电防保的具体措施: 2.6.1建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施;2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 ;

三、电子元器件抗ESD能力的检测及分析技术

本章介绍对电子元器件的抗ESD水平进行检测的技术。包括国内外抗ESD检测的主要标准，检测的模型和方法以及实际的一些检测结果和遇到的问题。主要内容有： 3.1 抗静电检测的作用和意义 ; 3.2 静电放电的标准波形;

3.3 抗ESD检测标准: 3.3.1 电子元器件ESDS检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容;

3.4 实际ESD检测的结果统计及分析: 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 ; 3.5 ESD检测中经常遇到的一些问题 ;

3.6 ESD损伤的失效定位分析技术: 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 ;

3.7 ESD和EOS的判别方法讨论: 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法

四、电子元器件抗ESD设计技术

本章介绍电子元器件抗ESD损伤的设计技术，主要包括抗ESD设计的主要原则、基本保护电路和最先进的大规模CMOS电路中保护电路的设计。主要内容有： 4.1 元器件抗ESD设计基础; 4.2 元器件基本抗ESD保护电路;

4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理; 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略; 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计; 4.6 电子设备ESD损伤途径及其保护电路设计; 4.7 工艺控制和管理; 讲师介绍

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来 萍 高 工 长期从事半导体器件与集成电路可靠性研究工作，研究方向是电子元器件抗静电放电（ESD）损伤技术以及微波器件的可靠性技术。自1994年起就承担和参加了国家关于提高电子元器件抗ESD水平的多个科研项目。在电子元器件ESD损伤的失效机理分析方面有丰富的知识和经验，在抗ESD设计方面有较深入的研究。

罗宏伟(分析中心主任) 高 工1995年年毕业于西安电子科技大学微电子专业，毕业后一直在信息产业部电子第五研究所可靠性物理国家重点实验室从事微电子产品可靠性研究。主要从事微电子产品失效模式/失效机理、可靠性试验和评价技术、可靠性设计等方面的研究，承担或参加了多项国家科研项目，曾获省、部级科技进步奖多项。多次完成微电子失效元器件的失效机理分析及其失效预防措施研究，在微电子产品的可靠性试验评价和设计方面具有丰富的经验，在公开技术刊物和学术会议上发表多篇论文，现为西安电子科技大学博士研究生。

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