TSMC工艺的 - 版图教程

目录

前端电路设计与仿真 ....................................................................................................................... 2

第一节双反相器的前端设计流程 ........................................................................................... 2

1、画双反相器的visio原理图 ....................................................................................... 2 2、编写.sp文件 ............................................................................................................... 2 第二节后端电路设计 ............................................................................................................... 4

一、开启linux系统 ......................................................................................................... 4 2、然后桌面右键重新打开Terminal .............................................................................. 6

双反相器的后端设计流程 ............................................................................................................... 7

一、schematic电路图绘制 ............................................................................................. 7 二、版图设计 ................................................................................................................. 21 画版图一些技巧： ......................................................................................................... 29 三、后端验证和提取 ..................................................................................................... 30 第三节后端仿真 ..................................................................................................................... 37

其它知识 ......................................................................................................................... 40

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前端电路设计与仿真

第一节双反相器的前端设计流程

1、画双反相器的visio原理图

VDDM0infaM1VDDM2outM3

图1.1

其中双反相器的输入为in 输出为out，fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V，MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管(在Hspice里面的名称为pch和nch，在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v)。

2、编写.sp文件

新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下：

2

.lib 'F:\\Program Files\\synopsys\\rf018.l' TT 是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角***********

划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致

MOS场效应晶体管描述语句：(与后端提取pex输出的网表格式相同)

MMX D G S B MNAME

2.1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序

2.2、弹出以下画面然后进行仿真

存放.sp文件的地址1、打开.sp文件2、按下仿真按钮3、查看波形

查看波形按钮按下后弹出以下对话框

3

单击此处

如果要查看内部节点的波形，双击Top处

如果有多个子电路请单击此处的Top查看单击这些节点即可查看波形

如果要查看测量语句的输出结果请查看 .MTO文件(用记事本打开)

至此前端仿真教程结束

第二节后端电路设计

前序(打开Cadence软件)

一、开启linux系统

双击桌面虚拟机的图标

4

选择Power on this virtual machine

开启linux之后

在桌面右键选择 Open Terminal

输入 xhost local：命令 按回车

之后输入 su xue命令 按

回车，这样就进入了xue用户

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/4t4v.html