第12章 磁介质中的恒定磁场(lgy2011)2
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.1 12.1 磁介质及其磁化 12.2 磁介质中的高斯定理和安培环路定理 12.3 铁磁质
gyliu.2007@
P.1/74 P.1/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.1 磁介质及其磁化12.1.1 磁介质及其分类 磁介质(magnetic medium) : 磁介质 能与磁场发生相互作用的物质 外场 E 0 极化电荷 附加电场 被极化 削弱外场
电介质
外场 B0被磁化 磁化电流 磁介质 附加磁场
?B µr = B0P.2/74 P.2/42 刘国营-2011
设外场磁感强度为 B0 ,介质磁化后附加磁场为 B ′ 磁介质中磁场: 磁介质中磁场: B = B0 + B ′ 定义:相对磁导率 定义:相对磁导率(relative permeability)gyliu.2007@
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如:真空螺线管的磁场:B0 = µ0 nI 真空螺线管的磁场: 则,介质螺线管的磁场: B = µr B0 = µ0 µr nI = µnI 介质螺线管的磁场:
µ = µ0 µr ——介质磁导率 介质磁导率(permeability) 介质磁导率磁介质分类: 磁介质分类: 弱磁性介质 顺磁质(paramagnet) 顺磁质 µr >1, B>B0, B′与B0同向 抗磁质(diamagnetic material) 抗磁质
µr <1,B<B0 ,B′与B0反向 ′磁介质 铁磁质(ferromagnetics) 强磁性介质 铁磁质
µr >>1, B>>B0, B′与B0同向 ′超导材料gyliu.2007@
µr = 0 B=0 完全抗磁性P.3/74 P.3/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
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12.1.2 分子磁矩和分子附加磁矩 1. 分子磁矩(molecular magnetic moment) 分子磁矩 分子或原子中各电子绕核运动和自旋运动等效于“分子电 分子或原子中各电子绕核运动和自旋运动等效于“ 分子电流的磁矩称为“分子磁矩” Pm 流”,分子电流的磁矩称为“分子磁矩”,表示为 。m2 m1+ + +
Pm-
各原子磁矩 为电子轨道磁矩) (m 为电子轨道磁矩)
分子磁矩
2. 分子附加磁矩 忽略电子自旋, 的作用。 忽略电子自旋,考察磁场对电子轨道磁矩m 的作用。gyliu.2007@ P.4/74 P.4/42 刘国营-2011
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电子在外磁场中的旋进产生与 B 方向相反的附加磁矩 m电子反向运动
B
m
B+
L
mFm+Fm
v
v
L
m结论:附加磁矩总是与外磁场反向 结论: 对于整个分子, 对于整个分子,附加磁矩gyliu.2007@
m
P = ∑ mP.5/74 P.5/42 刘国营-2011
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热力学基础
12.1.3
磁
磁
磁
无外磁场时: 无外磁场时: 顺 磁 质 抗 磁 质
P ≠0 m
, ∑ Pm = 0
Pm = 0 , ∑ Pm = 0
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P.6/74 P.6/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
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在外磁场中: 在外磁场中: 顺磁质: 顺磁质 M = Pm × B 磁矩转向外场方向,则 磁矩转向外场
方向 则 P m
Pm
Pm
B+
Pm P m
P m
分子固有磁矩取向极化 ∑ Pm ≠ 0 ——分子固有磁矩取向极化 附加磁矩与外场方向相反,且 附加磁矩与外场方向相反,
∑ Pm >> ∑ Pm ,故附加磁场方向与外磁场方向相同。 故附加磁场方向与外磁场方向相同。
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P.7/74 P.7/42 刘国营-2011
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抗磁质: 抗磁质:B m Bv
+ mv
f
+
f
m m
在外磁场中, 在外磁场中,每个运动电子都要产生与外磁场方向相反的附 加磁矩 m , 分子附加磁矩为 Pm = ∑ m 附加磁矩与外场方向相反
∵ ∑ Pm = 0故附加磁场方向与外磁场方向相反。 故附加磁场方向与外磁场方向相反。 12.1.4 磁化强度矢量与磁化电流 1) 磁化强度 磁化强度(magnetization)——反映磁化程度强弱的物理量 ——反映磁化程度强弱的物理量gyliu.2007@ P.8/74 P.8/42 刘国营-2011
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定义:单位体积内分子磁矩的矢量和。 定义:单位体积内分子磁矩的矢量和。
∑ Pm + ∑ Pm M = lin V→0 V顺磁质: M = lin 顺磁质
单位:安培·米-1(A·m-1) 单位:安培·
∑ Pm V→0 V
方向与外磁场方向相同。 方向与外磁场方向相同。
抗磁质: 抗磁质: M = lin
∑ Pm V→0 V
方向与外磁场方向相反。 方向与外磁场方向相反。
分子附加磁矩是抗磁质磁化的唯一原因。 分子附加磁矩是抗磁质磁化的唯一原因。 唯一原因
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P.9/74 P.9/42 刘国营-2011
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2)磁化电流(magnetization current) )磁化电流 介质磁化的宏观效果是在介质横截面边缘出现环形电流, 介质磁化的宏观效果是在介质横截面边缘出现环形电流, 这种电流称为“磁化电流I 这种电流称为“磁化电流 s”。
I0 IS
M
B0
磁化电流与传导电流的区别: 磁化电流与传导电流的区别: 磁化电流是分子内电荷运动一段段接合而成, 磁化电流是分子内电荷运动一段段接合而成,不同于传 导电流的电荷定向运动,又称束缚电流 束缚电流, 导电流的电荷定向运动,又称束缚电流,其磁效应与传导电 流相当,但不产生热效应。 流相当,但不产生热效应。gyliu.2007@ P.10/74 P.10/42 刘国营-2011
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热力学基础
Is 磁化面电流密度: 磁化面电流密度: j s = L分子磁矩的矢量和: 分子磁矩的矢量和: ∑ Pm + ∑ Pm = Is S
ISS js LS M = = = js V LS
M = js
磁化强度在数值上等于磁化电流面密度, 磁化强度在数值上等于磁化电流面密度,两者关系由 右螺旋法则确定。 右螺旋法则确定。 可以推知:磁化
强度的环流为 可以推知:
∫LM dl = ∑ I sgyliu.2007@ P.11/74 P.11/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.2 磁介质中的高斯定理和安培环路定理12.2.1 磁介质中的高斯定理 磁介质中磁场: 磁介质中磁场: B = B0 + B′ 由磁化电流产生的微观机理可知: 由磁化电流产生的微观机理可知:磁化电流与传导电流在 产生磁场方面等效。 产生磁场方面等效。
∫ B d SS
=0
12.2.2 磁介质中的安培环路定理 如图取L回路 如图取 回路I0 IS
∫LB dl = µ0 ∑(I0 + Is )= µ0 (∑ I 0 + ∫LM dl )gyliu.2007@
M B0B′
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
B ∫L µ M dl = ∑ I 0 0定义:磁场强度 定义:磁场强度(magnetic field intensity): H = : 单位: 单位:A·m-1 磁介质中安培环路定理: 磁介质中安培环路定理:
B
µ0
M
∫ H dl = ∑ IL
0
磁场强度沿任一闭合回路的环流, 磁场强度沿任一闭合回路的环流,等于闭合回路所包围的 传导电流的代数和,而在形式上与磁介质中的磁化电流无关。 传导电流的代数和,而在形式上与磁介质中的磁化电流无关。 分析: ) : 分析(1) H dl = L
∫
只与穿过L的传导电流代数和有关 ∑ I 0 只与穿过 的传导电流代数和有关P.13/74 P.13/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
(2)对各向同性磁介质: )对各向同性磁介质:
M = χmH由 H=
介质相对磁导率
磁化率
µr = 1 + χm介质磁导率
B
µ0
M
µ = µ0µr
B = µ0 (H + M )
= µ 0 (1 + χ m ) H= µ0µr H
∫ H dl = ∑ IL
0
B = µH在真空中: 在真空中:
= µHgyliu.2007@
M = 0 µr =1 B = µ 0 HP.14/74 P.14/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
为了测试某种材料的相对磁导率,常将材料做成横截面为圆 例 为了测试某种材料的相对磁导率 常将材料做成横截面为圆 形的螺绕环芯子, 设环上绕有线圈200匝, 平均围长 形的螺绕环芯子 设环上绕有线圈 匝 平均围长0.1m, 横截面 积为5× 当线圈内通有电流0.1A时用磁通计测得穿过横截 积为 ×10-5m2, 当线圈内通有电流 时用磁通计测得穿过横截 面积的磁通量为6× 试计算该材料的相对磁导率。 面积的磁通量为 ×10-5 Wb, 试计算该材料的相对磁导率。 解:选如图所示的安培环路
∫LH dl = ∑ I
H L = NI
B = µH = µ 0 µ r H =
µ 0 µ r NILµr
N
L
截面磁场近似均匀 Φ m = BS
O
Φm L = 4.78× 103 µr = µ 0 NISgyliu.2007@ P.15/74 P.15/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.3.1 铁磁质的特点
12.3 铁磁质
迅速增长, 高µ:B随H迅速增长,平均斜率比非铁磁质大得多。 随 迅速增长 平均斜率比非铁磁质大得多。 非线性: 和 呈非线性关系 单值关系, 非恒量。 呈非线性关系, 非线性: B和H呈非线性关系,单值关系,µ非恒量。 磁滞(hysteresis):B的变化落后于 的变化。 的变化落后于H的变化 磁滞 : 的变化落后于 的变化。 存在居里点:临界温度时,失去铁磁性成为顺磁质。 存在居里点:临界温度时,失去铁磁性成为顺磁质。 铁:T=1040K 镍:T=631K 13.3.2 铁磁质的磁化特性 磁滞回线Video 铁磁质磁化
实验:铁磁质芯的螺线管, 实验:铁磁质芯的螺线管,通以电流 I
H = nI改变 I,测量 H 值和 B 值, , 画出B—H曲线 曲线 画出gyliu.2007@ P.16/74 P.16/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
B ab -Hs
B—H曲线分析 曲线分析 Oa: 起始磁化曲线 :
c
O e
f
Hs
H
Hs: 饱和磁场强度 Br:剩余磁感应强度
d
由 µ=
B 画出 H
µ H曲线
Hc:矫顽力(coercive force) :矫顽力 磁滞效应: 磁滞效应: 磁感应强度B变化跟不上磁场强 变化跟不上 磁感应强度 变化跟不上磁场强 的变化。 度H的变化。 的变化 磁滞损耗: 磁滞损耗: 材料热效应大小与磁滞回线 面积成正比。 面积成正比。P.17/74 P.17/42 刘国营-2011
磁导率曲线: 磁导率曲线:
µ µ maxOgyliu.2007@
H
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.3.3 铁磁材料按磁滞回线分类B B B
O
H
O
H
O
H
软磁材料 磁滞损耗小, 磁滞损耗小, 容易磁化,容易 容易磁化, 退磁, 退磁,适用于交 变磁场。 变磁场。如制造 电机, 电机,变压器等 的铁芯。 的铁芯。gyliu.2007@
硬磁材料
矩磁材料
磁滞损耗较大, 磁滞损耗较大, 不易磁化, 不易磁化,不易 退磁, 退磁,适合于制 造永磁体
适合于制作记 录磁带及计算机 的记忆元件。 的记忆元件。
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
12.3.4 磁畴 铁磁质相邻原子间 存在很强的交换耦合作 用,使得无外场时电子 自旋磁矩在微小区域内 自发地平行排列, 自发地平行排列,形成 一个个小的自发磁化区, 一个个小的自发磁化区, 称为“磁畴”。 称为“磁畴” 磁畴体积: 磁畴体积: 10-12 ~10-8m3 包含原子: 包含原子: 1017 ~1021个
Bgyliu.2007@ P.19/74 P.19/42 刘国营-2011
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热力学基础
铁磁质在外磁场中的磁化 过程主要为畴壁的移动和 磁畴内磁矩的转向。 磁畴内磁矩的转向。
自发磁化方向逐渐转 向外磁场方向( 向外磁场方向(磁畴 转向), ),直到所有磁 转向),直
到所有磁 畴都沿外磁场方向整 齐排列时, 齐排列时,铁磁质就 达到磁饱和状态。 达到磁饱和状态。
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P.20/74 P.20/42 刘国营-2011
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第12章 磁介质中的恒定磁场 12章
热力学基础
磁化过程: 磁化过程:
H自发磁化 畴壁移动 磁矩转向 磁滞现象:撤去外场,磁壁很难完全恢 磁滞现象:撤去外场, 复原状,保留部分磁性,这就是剩磁。 复原状,保留部分磁性,这就是剩磁。 居里点:当温度升高到居里点时,剧烈 居里点:当温度升高到居里点时, 的热运动使磁畴全部瓦解,铁磁质就成 的热运动使磁畴全部瓦解, 为一般顺磁质。 为一般顺磁质。 铁的居里点:T 1040K 铁的居里点: = 1040 镍的居里点:T 631K 镍的居里点: = 631gyliu.2007@ P.21/74 P.21/42 刘国营-2011
磁饱和状态
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