光电技术考试试卷

1、当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成 为真空中的自由电子，这种现象称为（B） P20

A、内光电效应 B、外光电效应 C、光磁电效应

D、光子牵引效应 2、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带 宽度为（A）

A、0.886eV B、1eV C、2eV

D、1.3eV 3、电磁波谱中可见光的波长范围为 (A) A、0.38~0.78um B、0.38~1um C、1~3um D、8~12um

判断题(每题10分,共5题) 4、光通量的单位是坎德拉 (×)

正确

不正确 5、黑体的发射率是一个小于1的常数。(×)

正确

不正确 6、当热辐射发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时，以黑体的温 度标度该热辐射体的温度，这种温度称为色温。（×） P11

正确

不正确 7、发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。（A） P19

正确 不正确

8、被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象，称为内光电 效应。 （A）

正确

不正确 9、光敏电阻的主要作用是（D）

A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关

D、光电探测与控制 10、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声（D）

A、热噪声 B、产生复合噪声 C、低频噪声

D、散粒噪声 11、对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（），如果照度相同而温度不同 时，二者（B）

A、相同，不同 B、不同，不同 C、不同，相同

D、相同，相同 12、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越（），灵敏 度越（A）

A、长，高 B、长，低 C、短，高

D、短，低 13、光敏电阻是（）器件，属于（D） A、光电导器件，外光电效应 B、光电发射器件，外光电效应 C、光生伏特器件，内光电效应 D、光电导器件，内光电效应

判断题(每题10分,共5题) 14、光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴

的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。(B) 正确 不正确

15、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也 随之升高。(B) （热敏电阻也是温度升高，阻值降低）

正确

不正确 16、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一 些。 (B)

正确

不正确 17、在测量某光电导器件的 值时，背景光照越强，其 值越小。(A)

正确

不正确 18、光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。 (B)

正确

不正确 19、用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（D ）为光电接 收器件。

A、PMT

B、CdS光敏电阻 C、2CR42硅光电池

D、3DU型光电三极管 20、（A ）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功 率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。

A、自偏置 B、恒流 C、零伏偏置

D、反向偏置 21、PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（C ）？ P12

A、1GHz

B、100MHz C、10MHz

D、1MHz 22、（B ）的灵敏度最高。 P72

A、光电二极管 B、光敏电阻 C、光电三极管

D、硅光电池 23、硅光电池的主要作用是（ ）。 A、光电探测 B、红外探测 C、光电开关 D、光电探测与开关

判断题(每题10分,共5题) 24、PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能 提高器件的光电灵敏度。 (B)

正确

不正确 25、硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的PN结 光电器件。(B) P50

正确

不正确 26、要产生光电效应，光电二极管必须工作在0.7V以上。(×)

正确

不正确 27、以GaAs为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。（×） P52

正确

不正确 28、越远离PSD几何中心位置的光点，其位置检测误差越小。(×)P66

正确 不正确

29、光电倍增管的主要噪声有（）

A、散粒噪声，热噪声 B、散粒噪声，产生复合噪声 C、热噪声，产生复合噪声

D、电流噪声，热噪声 30、光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定？（）

A、光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料 B、光电阴极材料和倍增级材料 C、窗口材料和倍增级材料

D、光电阴极材料和窗口材料 31、某光电倍增管的阳极灵敏度为10A/lm，为什么还要限制它的阳极输出电流在50~100μA？()

A、因为阳极电流过大会使测量数据不稳定

B、阳极输出电流在50~100μA时，电子流不能被阳极所吸收，达到饱和区 C、因为阳极电流过大会加速光电倍增管的疲劳与老化

D、引起光电倍增管的非线性 32、光电倍增管按倍增级结构可分为（）

A、端窗式和测窗式 B、聚焦型和非聚焦型 C、百叶窗型和盒栅式

D、瓦片静电聚焦型和圆形属笼式 33、下面说法正确的是：（） A、光电倍增管不应在氦气中使用，因为它会加速光电倍增管的疲劳与老化 B、光电倍增管应贮存在黑暗中，使用前最好先接通高压电源，在黑暗中存放几小时 C、光电倍增管的输出信号采用运算放大器做电流电压变换，以保证高的转换效率 D、在设计光电倍增管电路时，总是力图使散粒噪声远小于负载电阻的热噪声

判断题(每题10分,共5题) 34、 为使阴极面各处的灵敏度均匀，受光均匀，常把光电倍增管的 光电阴极做成球面。

正确

不正确 35、为得到最稳定的相对光谱灵敏度函数，光电倍增管应让其自然

老化数年。

正确

不正确 36、根据窗口材料的不同，将直接影响光电倍增管光谱响应的长波 限。

正确

不正确 37、光电倍增管的暗电流是指在施加规定电压后测定的阳极电流。

正确

不正确 38、阴极和第一倍增级之间，以及末级倍增级和阳极之间的级间电 压应设计的与总电压无关

正确

不正确 39、下面那个是当原子在E1E2两个能级之间产生跃迁时不会产生的 过程？

A、自发吸收 B、自发辐射 C、受激辐射

D、受激吸收 40、下面哪个不是光电耦合器件的应用：

A、电平转换 B、光电检测 C、逻辑门电路

D、隔离方面的应用 41、下面哪个不是产生激光的必要条件？

A、需要泵浦源

B、要有大量的粒子数反转 C、要有一个谐振腔

D、需要负载 42、下面属于冷光源的是：

A、太阳 B、白炽灯

C、发光二极管

D、卤钨灯 43、下面哪一项可以作为光电耦合器件的发光件： A、光电三极管 B、光电池 C、光敏电阻 D、半导体激光器

判断题(每题10分,共5题) 44、由发光二极管和光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比 不可能大于1.

正确

不正确 45、光电耦合器件既具有耦合特性又具有隔离特性。

正确

不正确 46、光电耦合器件的发送端与接收端是电、磁绝缘的。

正确

不正确 47、发光二极管的响应时间取决于注入载流子非发光复合的寿命和 发光能级上跃迁的几率

正确

不正确 48、1.发光光谱与器件的几何形状和封装方式有关。

正确

不正确 49、下列哪个不属于比较常用的CCD的驱动方式（）

A、数字逻辑电路驱动 B、单片机驱动方式 C、可编程逻辑器件驱动方式 D、电阻电容无源器件驱动方式

50、如果有一个视频信号的带宽是3M，那么为了使混叠失真达到最 小，你应该采用多大的采样速率()

A、1M/S B、1.5M/S C、3M/S

D、6M/S 51、我国电视的采用的制视是（A）

A、PAL B、NTSC C、SECAM D、VGA

1. 色温是指 2. 光磁效应是指

3. 本征型光敏电阻一般在室温下工作，适用于 可见光波段 探测；非本征型光敏电阻通常在低温条件下工作，常用于 红外波段甚至于远红外波段辐射 探测。

4. 常见的固体激光器有 （写出两种），常见的气体激光器有 （写出两种）。

5. 光热效应是指

7. 比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。（简答题）

8. 如图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。

?s ?Ac Le l0 ?As ?c 第8题图

9.常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。你知道这是按什么区分的吗？

10. 霓虹灯发的光是热辐射吗？

11. 总结选用光电探测器的一般原则。

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