《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中，多数载流子是 ；在P型半导体中，多数载流子是 。

2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的（ ）组成整流电路。

A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

- 1 -

D2-15V+-15V+8VR-+8V-Ui+B=50RfRe1Re2Re2?2-1í?2-2í?2-2íUccRe1?2-5íRb1RcUccC2?2-1íUccC1C1RsLus?2-5íRb1UccRcC1C2ididUgs+1Ugs+100-1-1-2-2UbsC1C2LRb2Re2RsRe1RLCeRe1Rb2Re2RLCeUbs?2-6íC200?2-3?2-3ííus+1 ?2-4í?2-4í 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝-4Ｖ，V2＝-1.2Ｖ，RR2R2R ）V3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（。

RRUo2Uo43：ｃ B 1-：ｅ、2：ｂ、+-R：ｃ、2：e、3：ｂ+1RA 1Uo2Uo4 A1-Uo1A2A4++-+：ｃ、2：ｂ、-+C 13：ｅA1Uo1A2A4 +R D 其它情况+-+5、集成运放中间级的作用是（ 2R R ）。RUo 2RR2RUo A 提高共模抑制比2R B 提高输入电阻 R- +2 C 提高放大倍数 D -提供过载保护 +4RA3Uo3+2R+6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（-- ）发生振荡。 +4RA3Uo3A 可能 R B + 不能

?3-1í7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 RA 差 B 和 C 算术平均

?3-1í8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2＝24V，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得RL的电压值约为21.6V，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B RL开路 C C开路 D 一个二极管和C开路 E 一个二极管开路 F 其它情况

9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联

10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）

A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题

（ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

（ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。

（ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。

（ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。

（ ）7、RC桥式振荡电路只要Rｆ≤2R１就能产生自激振荡。

（ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。

（ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题

电路如图所示：

- 2 -

?2-6í（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 （2）电阻R3和二级管D1、D2 的作用是什么？ （3）静态时T4 管射级电位UE4 =？负载电流 IL =？ （4）动态时，若输出VO出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？

（5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少? （6）求负载RL上最大输出幅度Vom和最大输出功率Pom。（设VCES=0V，RL=24Ω） （7）若Rf=100kΩ，Rb2=2kΩ，求RL上输出幅度最大时，输入VI的有效值为多少？

五、计算题

1、电路如图所示，晶体管的β＝60，rbb'?100?。 （1）求电路的Q点。

（2）画出微变等效电路，并计算Au、Ri、Ro。

（3）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？

?

2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb'?100?，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。

- 3 -

3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压uI1、uI2的关系式。

- 4 -

《模拟电子技术》复习题一参考答案

一、填空题

1、自由电子， 空穴 。 2、绝缘栅型， 电压 3、共射 4、输入 5、负反馈

6、饱和， 放大， 截止

7、放大电路， 选频网络 ， 正反馈网络 ，稳幅环节 二、选择题

1、B 2、B 3、D 4、B 5、C 6、A 7、A 8、C 9、C 10、B 三、判断题

1、√ 2、√ 3、× 4、× 5、√ 6、× 7、× 8、√ 9、√ 10、√ 四、分析题 答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。 （2）消除交越失真。 （3） UE4 =0， IL =0。 （4）为交越失真。应调Ｒc3 ，应将阻值调大。 （5）电压串联负反馈。 Auf?VO1Rb2?Rf ??VIFRb2（6）Vom.M?9V（幅值）或Vom?92V(有效值)

2Vom92Pom???1.69W

2RL2?24(7) Auf?2?100?51 2VI?Vom92??0.125V Auf51五、计算题 1、

解：（1）Q点：

- 5 -

（2）画出微变等效电路

ibuiRbrbe?RiCRLb

动态分析：

（3）设Us＝10mV（有效值），则

若C3开路，则

2、

解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：

Ad和Ri分析如下：

- 6 -

3、

解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器

，

运放A4组成反相输入比例运算电路

运放A3组成差分比例运算电路

以上各式联立求解得：

- 7 -

《模拟电子技术》复习题二

一、填空题

1、当PN结外加正向电压时，P区接电源 极，N区接电源 极，此时，扩散电流 漂移电流。 2、二极管最主要的特性是 。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。由图1-3可知，中频放大倍数|Avm|=__ __。

图1-3 图1-7

4、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。 6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。 二、选择题

+5VUccUccRbUoUiB=50RfRe1Re2id50KRbRc2.5KL1CL20?2-1í?2-2íUgsRLR

图 图2-8 图2-9 图2-10 ?2-3 í2-2 ? í2-4UccUccRb1Rc1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。 C2C1A NPN型 B PNP型 C 不正确

2R2、C1N型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 Rs?2-5íR-+UiA1?2-6íC2LRe1RL+-usRRb2A1Uo1R-Re2A2Uo2+Ce-A3Uo- 8 -

+2-4í?R2RR2RA 空穴 B 三价元素 C五价元素

3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝2Ｖ，V2＝2.7Ｖ， V3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：e、2：b、3：c B 1：c、2：e、3：b C 1：c、2：b、3：e D 其它情况

4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。则三极管的工作状态为（ ）。

A 放大 B 饱和 C 截止

5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。

A 电压并联负反馈 B 电压串联负反馈 C 电流串联负反馈 D 电流并联负反馈

6、已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相( )电路．

A 桥式整流 B 半波整流

C 桥式整流电容滤波 D 半波整流电容滤波

7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。

A 差 B 好 C 差不多

8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。 A P沟道增强型MOS管 B P沟道结型场效应管 C N沟道增强型MOS管 D N沟道耗尽型MOS管 9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止

C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 10、图2-10所示电路是( ) 。

A差分放大电路 B镜像电流源电路 C微电流源电路 三、判断题

( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。 ( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。 ( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 ( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。

( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。 ( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反 馈。

( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。 ( )10、滤波是将交流变为直流。 四、分析题

图示电路是没有画完的功率放大电路，已知输入电压ui为正弦波，运算放大电路为理想运放。

（1）在图上标出三极管VT1和VT2的发射极箭头，并合理连接输入信号ui和反馈电阻Rf，使电路具有输入电阻大、输出电压稳定的特点。在题图上完成。

- 9 -

（2）设三极管VT1和VT2的饱和管压降可忽略不计，计算VT1和VT2的极限参数ICM、U(BR)CEO、PCM大体应满足什么条件？

（3）电路最大的输出功率有多大？(Pomax =?)

五、计算题

1、电路如下图所示，晶体管的β＝100，rbb'?100?。 （1）求电路的Q点。

（2）画出微变等效电路，并计算Au、Ri、Ro。

（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分）

?

2、 电路如下图所示，晶体管的β=50，rbb'?100?。 （1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位； （2）用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mV，则uO=？

- 10 -

3、电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。求解iL与uI之间的函数关系。

- 11 -

《模拟电子技术》复习题二参考答案

一、填空题

1、正 ，负，大于 2、单向导电性 3、100

4、180˙， 78.5%， 2VCC 5、放大，抑制

6、整流，滤波，稳压

7、NPN, PNP，硅，锗，50，20 二、选择题

1、A 2、C 3、A 4、A 5、B 6、A 7、B 8、D 9、C 10、B 三、判断题

1、× 2、× 3、× 4、× 5、√ 6、× 7、√ 8、× 9、× 10、× 四、分析题

解：（1）

1接3，2接地，4接运放反相输入端，5接输出端。

（2），，（3）

五、计算题 1、

解：（1）静态分析：

- 12 -

（2）画出微变等效电路

动态分析：

（2）若Ce开路，则Ri增大，Ri≈4.1kΩ；

减小，

≈－1.92。

2、

解：（1）用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为

静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为

（2）△uO＝uO－UCQ1≈－1.23V

- 13 -

若uI=10mV，则

3、

解：以uI和uO为输入信号，A1、R1、R2和R3组成加减运算电路，电压

，其输出

以uO1为输入信号，A2、R4和R5组成反相比例运算电路，其输出电压

负载电流

可见，通过本电路将输入电压转换成与之具有稳定关系的负载电流。

- 14 -

《模拟电子技术》复习题三

一、填空题

1．用万用表测量二极管极性时，已知万用表的黑表笔为电源正极，红表笔为电源负极，若测得的二极管为合格产品，则红表笔所接一端为二极管 极，黑表笔所接一端为二极管的 极。

2．场效应管是 器件，只依靠 导电。

3．为了稳定输出电压和提高输入电阻，应引入 反馈；电流负反馈的反馈信号与输出 成比例；一反馈放大电路的开环增益为1000，反馈系数为0.099，则其闭环增益为 。

4．在双端输入，单端输出的差分放大电路中，发射极电阻RE对 输入信号无影响，对 输入信号具有抑制作用。

5．RC桥式正弦波振荡电路中，振荡的条件是 和 。

6．若乙类互补对称功率放大电路（OCL）的VCC=15V，vi=10sinωt (V)，RL=10Ω，则PO= W。

7．在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 状态。 8．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 。

二、选择题

1．在本征半导体中掺入（ ）构成P型半导体。

A)3价元素； B)4价元素； C)5价元素； D)6价元素。 2．带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（ ）。

A)减小； B)增大； C)不变； D)变为零。 3．场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ ）决定。

A)管子类型； B)gm； C)偏置电路； D)VGS。 4．串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ）。

A)1＋AF倍； B)1/(1＋AF)倍； C)1/F倍； D)1/AF倍。 5．集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ ）。

A)反相输入端为虚地； B)输入电阻大； C)电流并联负反馈； D)电压串联负反馈。 6．文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ ）才能满足起振条件。

- 15 -

A)为1/3时； B)为3时； C)＞3； D)＞1/3。

7．桥式整流电路若变压器二次电压为?2?102sin?tV，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ）。

A)102V；

B)202V； C)20V ； D)2V。

8．某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（ ）。

A)电流串联负反馈 B)电压并联负反馈 C)电流并联负反馈 D)电压串联负反馈 9．共模抑制比K越大，表明电路（ ）。

CMRA)放大倍数越稳定； B)交流放大倍数越大； C)抑制温漂能力越强； D)输入信号中的差模成分越大。

10．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有

内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ ）。

A)输入电阻大； B)输入电阻小； C)输出电阻大； D)输出电阻小。 三、判断题

（ ）1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）2、PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（ ）3、增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流iD必为零。 （ ）4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。

（ ）5、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。 （ ）6、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（ ）7、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。

（ ）8、复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（ ）9、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。 （ ）10、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。 四、分析计算题

1.电路如图所示，已知T1和T2的饱和管压降UCES＝2V，A为理想运放，忽略电阻的直流功耗。回答下列问题：(1)R3、R4和T3的作用是什么？

(2)负载上可能获得的最大输出功率Pom和电路的转换效率η各为多少？

(3)电路引入了哪种组态的交流负反馈？设在深度负反馈条件下，若最大输入电压的有效值为1V，为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？

- 16 -

2.某集成运放的单元电路如图所示，设T1、T2的特性相同，且β足够大，问： (1)T1和T2组成什么电路？在电路中起什么作用？(2)写出IREF和IC2的表达式，设VBE=0.7V，VCC和R均为已知。

3.在下图中：R?1??，C=0.47uF，R1?10?? 问：(1)由该集成运放组成的电路是什么电路？(2)计算R2的值？(3)计算输出电压的频率f的值？

4.图示电路，运放均为理想器件，求电路输出电压VO与输入电压Vi1，Vi2的关系。

- 17 -

5.在下图中，已知Rb1=300kΩ，Rc1=2kΩ,Rb2=200kΩ，Re=2kΩ，RL=2kΩ，IE2=2.2mA，β1=β2=60，

'rbb?200?。求：(1)第一级的静态工作点；(2)放大器的输入电阻和输出电阻；(3)电路总

的电压放大倍数。（22分）

- 18 -

《模拟电子技术》复习题三参考答案

一、填空题 1．阴（负）， 阳（正）

2．电压控制电流器件， 多数载流子 3．电压串联负， 电流， 10 4．差模， 共模

5．放大倍数大于约等于1， 输出与输入同相 6．5 7．正反馈

8．1?A?F??0

二、选择题

1、A 2、B 3、C 4、A 5、A 6、C 7、A 8、A 9、C 10、B 三、判断题

1、× 2、√ 3、√ 4、× 5、√ 6、× 7、× 8、√ 9、× 10、√ 四、分析计算题 1．

解：(1)R3、R4和T3的作用是为T1和T2提供适当的直流偏置，消除交越失真。(2)最大输出功率和效率分别为

P (V CC ? U CES )2 (18 ? 2 )2

om?2R??8?16WL2 ? ? π ? V CC ? U CES ??18 ? 2 ?(3)电压串联负反馈。4V ? 69 .8 %

CC

418当输出电压的峰值为16V时，其有效值为：

U16O?2?11.3

根据运算“虚短”和“虚断”的原理有：

UiR?Uo?Ui1R6 RUi11.3?6?Uo?UR?11?1i1即：

?10.3K?

- 19 -

2．

解：(1)T1 、T2组成镜像电流源，

在电路中作T3的集电极有源负载，能提高放大电路的电压增益。

IVcc?VBEVcc?0.7(2)

REF?Ic2?R?R

3．

解：(1)文氏桥式振荡器。

AR2V?1?(2)R?3为能起振，要求

1，R2 〉2R1=20K

f1(3)

o?2?RC?12?3.14?1?103?0.47?10?6?338.8(HZ)

4．[一般综合型](7分)

解： V1+=V1－=0 V2+=V2－=0 （虚地）

Vi1?00?Vo1R?1Rf1 （虚断）

Vo1??Rf1RV5Ki1??150KV1i1??10Vi1

Vo1?0Vi2?00?VR??o1R3Rf2 （虚断）

VRf2Rf2o??RVo1?Vi22R3??50K5K?(?150K10Vi1)?50KVi2?Vi1?Vi2

5.

IVCC解：（1）

BQ1?R?12V?40?Ab1300K

ICQ1??0IBQ1?60?40?A?2.4mA?IEQ1

VCEQ1?VCC?ICQ1RC1?12V?2.4mA?2K?7.2V

rbe1?rbb(1??26mV1)（2）

1??I?200??(1?60)26mV?0.86K?EQ12.4mA

Ri?rbe1//Rb1 Rb1??rbe1 Ri?rbe1?0.86K?

IVCC12BQ2?R?(1????37?A

b22)Re200?61?2- 20 -

《模拟电子技术》复习题四参考答案

一、填空题

1．加宽，具有单向导电 2．0.7，0.5

3．正向，反向；＜0 4．变压器

5．共射和共集，共射；共集。 6．0.45；0.9

7．串联负反馈；直流负反馈；电流负反馈 8．100 二、选择题

1、C 2、C 3、C 4、B 5、B 6、C 7、B 8、A 9、C 10、C 三、判断题

1、√ 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、√ 7、× 8、√ 9、× 10、√ 四、分析计算题 1、

解：(1)电路为3级放大电路。第一级为共源极放大电路，第二级、第三极均为共射极放

大电路。

（2）引入电流串联负反馈。

uiuoR8???R7//RLR3?R5?R8 方法一：R3uo(R//RL)(R3?R5?R8)??7uiR3R8

uR(R?R5?R8)Auf?o??73uiR3R8如果 Auf?方法二：

?UR8R3fF???R8?R5?R3 IO?I1R?R5?R3Ag?O??8?FRRUi83

?U(R//RL)(R3?R5?R8)Auf?o??7?R3R8Ui 2、

解：(1)OCL乙类双电源互补对称功率放大电路

- 26 -

理想情况下其效率可达78.5%。

1(Vcc?VCES)2?12W2RL(2)Pom= VCES=1V RL=6?

VCC－1=±12V VCC>0 VCC=13V

(3)

ICM?Vcc13V??2.17ARL6?

V(BR)CEO ≥2VCC=26V

3、

0?V?解：

R3?V??VoR4 （虚断）

?V??R31001Vo?Vo?Vo

R3?R4100?1002 （虚断）

Vi?V?V??0?R1R2

?V??R21001Vi?Vi?Vi

R1?R2100?1002V+=V－ （虚短）

?Vi?Vo 4、

VCC12??4mARC3K。

I?0,UCE?VCC?12V；N点坐标，

解：(1)M点坐标，C12Ib??75?A160K

在图上正确画出直流负载线，标明静态工作点Q。

UCE?0,IC?(2)过Q点做两条垂线，分别与坐标轴相交于一点。

3mA?2mA???5075?A?50?A得静态工作点的值：I=3mA,U=3V。。

CQ

CEQ

首先出现的是饱和失真。

- 27 -

(4)应减少RB。（2分）

I?12VR?50?A,?R12BB?50?A?240KB。应为240K比较合适。 (5) 小信号模型。

ibuiRbrbe?RiCRLb

(6) r'??26be?rbbI?200?50?26?633? CQ3Ri?Rb//rbe?rbe?633? Ro?Rc?3k? (7) A?u???Rc//RLr??50?3//3??118 be0.633

- 28 -

《模拟电子技术》复习题五

一、填空题

1．P型半导体中，以 导电为主。

2．场效应管属于 控制型器件，而晶体管 BJT 则是__ _ 控制型器件。

3．有一差分放大电路，Aud=100，Auc=0，ui1=10mV，ui2=5mV，则uid= ，输出电压，uic= u0= 。

4．已知放大电路加1mV信号时输出电压为1V，加入负反馈后，为了达到相同的输出需要加10mV输入信号。则反馈深度为

，反馈系数为

。

5．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 耦合三大类。 6．交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V。

二、选择题

1．测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的工作状态是（ ）。 A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．击穿状态 2．本征半导体在温度升高后，（ ）。

A.自由电子数目增多，空穴数目基本不变； B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变；

C.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同； D.自由电子和空穴数目基本不变。 3．某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（ ）。 A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管

4．如图3所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压u0 波形不失真，则应（ ）。 A．RC 增大 B．RB 增大 C．RB 减小 D．β增大

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图1 图2 图3 这说明放

大电路的输出电阻为（ ）。

A.10k? B.2 k? C.1 k? D.0.5 k? 6．电压放大倍数最高的电路是（ ）。 A.共射电路 A.基极电流

B.共集电路 C.共基电路

D.不定

7．三极管的电流放大系数由三极管的（ ）决定。

B.集电极电流 C.发射极电流 D.内部材料和结构

8．放大电路需减小输入电阻，稳定输出电流，则引入（ ）。

5．放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k? 的负载电阻后输出电压降为3V，

A.电压串联负反馈； B.电流并联负反馈； C.电流串联负反馈； D.电压并联负反馈。 9．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。

A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.便于使用

10．在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的（ ）倍。 A．1 B.2 C.1.5 D.0.5 三、分析题

1、三极管 BJT 放大电路中，测得一只 BJT 的三个电极的电位如下图4所示。试判断该 BJT 是 NPN 型还是 PNP 型？答： 。 是硅材料还是锗材料？答： 。

1—— ，○2—— ，○3—— 。 并判别出三个电极的名称。答：○

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3、

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《模拟电子技术》复习题六

一、 填空题

1．对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．一个放大电路，空载输出电压为6V，负载电阻为4Ω时输出电压为4V，则其输出电阻为 。

放大电路，其第一级通常采用 3．集成运算放大器是多级 ，因为这种电路能有效抑制 现象。

负反馈。

4．一个放大电路，为稳定输出电流和减小输入电阻，应引入 5．乙类互补推挽功率放大电路会产生 二、选择题

1.（ ）藕合放大电路具有良好的低频特性。 A、阻容 B、直接 C、变压器

2.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（ ）。 A、P 沟道增强型MOS 管 B、P 沟道耗尽型MOS 管 C、N 沟道增强型MOS 管 D、N 沟道耗尽型MOS 管

失真。

图1 图2

3．在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（ ）。 A、提高放大倍数 B、稳定直流静态工作点 C、稳定交流输出 D、提高输入电阻

4.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（ ），负反馈的效果越好。 A、越大， B、越小， C、越恒定， D、越适当

5．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ）。

A、（B、C 、E） B、（C 、B、E） C 、（E、C 、B）

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6.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A、变窄 B、基本不变 C、变宽 7.稳压管的稳压区是其工作在（ ）。

A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 8.功率放大电路的效率是指（ ）。 A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 D、以上说法均不正确

9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz。 A、0.45 B、0.9 C、1.2

10. 一个晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( ）是正常 工作状态。

A、UCE=3V，IC=10mA B、UCE=2V，IC=40 mA

C、UCE=6V，IC=20mA D、UCE=16V，IC=30mA 四、分析题

1、电路如图3所示，ui=5sinwt(V) ，uDC=0V,二极管可视为理想二极管。画出uo的波形。 2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图4所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。答： 。

3．已知BJT管子两个电极的电流如图5所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN或PNP）并在圆圈中画出管子。答： 。

D、热击穿

D、不定

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图3

图4 图5 图6

4、电路如图6所示，设UCES=0。试回答下列问题：

1）ui=0时，流过RL的电流有多大？答： 。

2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？答： 。 3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？答： 。 管耗为多少？答： 。

5、在图7所示电路中，要求其输入电阻为20 kΩ，比例系数为－15，试求解R、RF和R?的阻值。答：R= , RF= , R?= 。

图7 图8

6、电路如图8所示，试分析：

1）判断R5引入的反馈类型（整体或局部）和组态；答：

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2）反馈对输入、输出电阻Ri、Ro的影响，能稳定什么增益？

答： 3）在深度负反馈条件下，估算电路的AVf。答：

7、试用相位平衡条件判断图9所示（a），（b）两电路是否可能振荡？并求可振荡电路的振荡频率。

（a）： （b）：

图9 图10

8、串联型稳压电路如图10所示，稳压管的稳定电压为UZ。则调整管为 ， 输出电压采样电阻由 组成，基准电压电路由 组成，比较放大电路 组成；输出电压调节范围的表达式为 。 五、计算题

1、如图所示电路中，β＝50，rbb=200Ω，vBE=0.7V。试计算： 1）．画出直流通路，并求放大电路的静态工作点； 2）．画出放大电路的微变等效电路； 3）．求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

2、电路如图所示，设运放是理想器件，试求vo 的范围。

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