核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

性能指标：

屏蔽效能：10MHz~100MHz≥100dB 测试方法按国标GB12190-90 绝缘阻抗：＞1KΩ~10KΩ

接地电阻：＜4Ω

湿度：≤80%

压：86~106Kpa

照度：100-150LX

应用领域：

MRI型屏蔽室适用于永磁和超导核磁共振设备的射频屏蔽、核磁共振扫描成像仪(MRI)， 防止外界电磁场干扰MRI正常工作以及和MRI产生的磁场泄漏至外场干扰其它设备正常工作的场所。根据用户需要，可设计磁场屏蔽和射频屏蔽双重功能的屏蔽室。

核磁共振屏蔽室设计遵循原则：

1.被屏蔽物与屏蔽体内壁应留有一定间隙，防止磁短路现象发生；

2.应使屏蔽体的接缝与孔洞的长边平行于磁场分布的方向，圆孔的排列方向要使磁路增加量最小，目的是尽可能不阻断磁通的通过；从磁屏蔽的机理而言，屏蔽体不需接地，但为了防止电场感应，一般还是要接地。

核磁共振屏蔽室设计性能指标说明

环境要求：

1. MR磁体的强磁场与周围环境中的大型移动金属物体可产生相互影响，通常离磁体中心点一定距离内不得有电梯、汽车等大型运动金属物体，具体限制参见如下。

2. 震动会影响MR的图像质量，对MR场地的震动要求为：

制造工艺：

1、结构：MRI型屏蔽室设计有拼装式和焊接式两种结构。

2、焊接工艺：0.5mm紫铜板作射频屏蔽层，焊接采用氩弧焊或铜焊，高导磁率钢板作磁屏蔽层

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3、龙骨架支撑采用铝合金，并与墙体间作绝缘处理。手动锁紧屏蔽门屏蔽门，可拆卸式铍青传指型铜簧片。

4、高性能屏蔽观察窗双层铜网经特殊工艺制作，透光率好。

5、其它：电源滤波器、 信号转接板，空气供应及通风系统的屏蔽接口处理、同轴连接器、光纤转接盒、医疗气体波导接口、气体灭火截止波导管、心电监护系统接口或其它医疗设备接口以及室内照明等。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/4ja4.html