数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案

第8章

存储器与可编程逻辑器件

8.1存储器概述

自测练习

1． 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。

（a） 位 （b） 字节 （c） 字

2． 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多

少？

（a） 2K×8位 （ ）（ ）（ ）（ ） （b） 256×2位 （ ）（ ）（ ）（ ） （c） 1M×4位 （ ）（ ）（ ）（ ）

3． ROM是（ ）存储器。

（a）非易失性 （b）易失性 （c）读/写 （d） 以字节组织的

4．数据通过（ ）存储在存储器中。

（a）读操作 （b）启动操作

（c）写操作 （d） 寻址操作

5．RAM给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。 （a）电源关闭 （b）数据从该地址读出 （c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c）

6．具有256个地址的存储器有（ ）地址线。

（a）２５６条 （b）６条 （c）8条 （d）16条 7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（ ）。 （a）２５６×１位 （b）２５６×８位

（c）１Ｋ×４位 （d）２Ｋ×１位

答案：

1． a 2．（a） 2048×8；2048；2048；8

（b） 512；256；256；2

（c） 1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4

3．a 4．c 5．d 6．c 7．b

8.2随机存取存储器（RAM）

自测练习

1. 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。 2. 为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（ ）操作。

3. 半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。 4. RAM电路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分组成。 5. 6116RAM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。

答案：

1．栅极电容，触发器 2．刷新

3．只读存储器，读/写存储器

4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 5．11，8，2K×8位

8.3 只读存储器（ROM）

自测练习

1． ROM可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种类型。 2． ROM只读存储器的电路结构中包含（ ）、（ ）和（ ）共三

个组成部分。

2

3． 若将存储器的地址输入作为（ ），将数据输出作为（ ），则存储器

可实现组合逻辑电路的功能。 4． 掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（ ）。 5． 28256 型EEPROM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量

为（ ）位，是以字节数据存储信息的。

6． EPROM是利用（ ）擦除数据的，EEPROM是利用（ ）擦除数据的。 7． PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（ ）。 8．一个PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。 9．存储器2732A是一个（ ）（EPROM，RAM）。 10．在微机中，4种存储类型为（ ）。

答案：

1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM 2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路 3．输入，输出

4．标准与或形式（最小项表达式） 5．15，8，32K×8 6．紫外线，电

7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器 8．一次/许多

9．EPROM

10．寄存器，高速缓存，主存，外存

8.4 快闪存储器（Flash Memory）

自测练习

1． 非易失性存储器有（ ）。

（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存 （c）闪存和RAM

2． Flash Memory的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。

3． Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）两种操作方式。

4． 从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（ ）

存储器。

5． Flash28F256有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为

（ ）位，编程操作是按字节编程的。

答案：

3

1．b

2．一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失 3．只读存储方式，读/写存储方式 4．RAM，ROM 5．15，8，32K×8

8.5存储器的扩展

自测练习

1． 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。

2． 如果用2K×16位的存储器构成16K×32位的存储器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 16

3． 用4片256×4位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。

4． 若将4片6116 RAM扩展成容量为4K×16位的存储器，需要（ ）根地址线。

（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）13 5． 将多片1K×4位的存储器扩展成8K×4位的存储器是进行（ ）扩展；若扩

展成1K×16位的存储器是进行（ ）扩展。

6． 256?4的存储器有（ ）根数据线，（ ）根地址线，若该存储器的起始地

址为００Ｈ，则最高地址为（ ），欲将该存储器扩展为1K?8的存储系统，需

要256?4的存储器（ ）个。

答案：

1．字扩展，位扩展 2．C

3．256×16/1K×4 4．C

5．字，位

6．4，8，FF，8

8.6 可编程阵列逻辑PAL

自测练习

1． PAL的常用输出结构有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4种。 2． 字母PAL代表（ ）。

4

3． PAL与PROM、EPROM之间的区别是（ ）。

（a）PAL的与阵列可充分利用

（b）PAL可实现组合和时序逻辑电路

（c）PROM和EPROM可实现任何形式的组合逻辑电路

4． 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的PLD为（ ）。

（a）PROM （b）PLA （c）PAL 5． 一个三态缓冲器的三种输出状态为（ ）。

（a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态

（c）高电平、低电平、中间状态

6． 查阅资料，确定下面各PAL器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 （a）PAL12H6 （ ）（ ）（ ） （b）PAL20P8 （ ）（ ）（ ） （c）PAL16L8 （ ）（ ）（ ）

答案：

1．输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构 2．可编程阵列逻辑 3．B 4．C 5．B

6．（a）12，6，高电平

（b）20，8，可编程极性输出 （c）16，8，低电平

8.7 通用阵列逻辑GAL

自测练习

1．GAL具有（ ）

（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑 （b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列 （c）一次性可编程与或阵列

（d）可编程的与或阵列

2．GAL16V8具有（ ）种工作模式。

3．GAL16V8在简单模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（种不同的OLMC配置；在复杂模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置。 4．GAL16V8具有（ ）。 （a）16个专用输入和8个输出

5

）

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