第1章 发放半导体器件习题及答案

第1章 复习题

一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用\√\表示对,用\×\表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ）

10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）

12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 二、选择题

(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数

2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对

3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子

6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有 很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷

7、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压 时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。

A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变

1

8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。（A1．15% B1．大于

15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）

9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A1．上移 B1．下移 C1．不变）

说明此时反向电流________。（A2．减小 B2．增大 C2．不变）. 10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则

电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定

图1.10 图1.11 图1.13

11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20C时测得二极管的电压UD=0.7V。当温

度上生到为40C时,则UD的大小将是[ ]

A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定

12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升

到40℃时，则I的大小将是 。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击

穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ] A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA 14、二极管的主要特性是 [ ]

A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性

15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮

的灯是_________。 A. b B. c C. a

16、二极管电路如下图1.16所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压Vo为______。(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V

O

O

图1.15 图1.16 图1.17 图1.18

2

17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压Vo为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电

压Vo为______。(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V 19、电路如下图1.19所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降为0.7V。） A. 6.7V B. 6V C. 5.7V D. 6.7V

20、已知如下图1.20所示电路中VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定Vo

的值为_____。（设二极管的正向压降为0.7V。） A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V

图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b) 21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21(a)

中电路的输出电压Vo为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压Vo为_______；可 求出图1.21(c)中输出电压Vo为_______；可求出图1.21(d)中输出电压Vo为_______。 A.0.7V B.1.4V C.5V D.7V E.8V G..13V H.17V F.11.6V

图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)

22、已知DZ1、DZ2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中， 输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。 A. 1V B. 5V C. 6V D. 13V E. 7V 23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于 直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。 则可画出vo的波形为_________。 A. a) B. b) C. c) D. d)

3

24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能

最好的是_________。

A. a) B. b) C. c

管号 a) b) c)

加0.5V正向电压时的电流

0.5mA 5mA 2mA

加反向电压时的电流

1μA 0.1μA 5μA

25、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%）， 则电流ID 。 A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）； C.约为100mA（增大到原先的10倍）； D.仍为10mA（基本不变）。 三、计算题

1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

图3.1

4

2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图3.2所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

图3.2

3 电路如图3.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

图3.3

4 电路如图3.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

图3.4

5

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/46md.html