长沙理工大学电子科技创新基地培训计划书

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目录

前言.............................................................................................................................3 目录.............................................................................................................................5 一、长沙理工大学校历.............................................................................................6 二、组员资料.............................................................................................................7 三、本学期创新计划.................................................................................................9 计划（一）............................................................................................................9 计划（二）..........................................................................................................10 计划（三）..........................................................................................................11 计划（四）..........................................................................................................12 计划（五）..........................................................................................................13 计划（六）..........................................................................................................14

四、相关资料《常用电子元器件》........................................................................15 第一章 部分电气图形符号....................................................................................15 第二章 常用元器命名及参数................................................................................17 第一节 电阻器............................................................................................17 第二节 电容器.............................................................................................21 第三节 电感器.............................................................................................23 第四节 半导体二极管....................................................................................24 第五节 半导体三极管....................................................................................27 第六节 场效应管(MOS管)..............................................................................31 第七节 晶振................................................................................................32 第八节 基本逻辑门电路.................................................................................32

五、理工科学生就业方向探讨..................................................................................37 六、大学新生必读的几篇好文章..............................................................................38 七、会议记录..............................................................................................................45 八、网上如何搜索有用学习资料..............................................................................55 九、常去网站..............................................................................................................59

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一、长沙理工大学校历

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二、组员资料（每组最多4人）

组长 组员 电话： 电话： 电话： 电话： 电话： 电话： 电话： 专业班级 学号 电话 备注 电子组负责人 2012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划

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三、本学期创新活动计划 计划（一）、认识常用电子工具

1、每个组长统计好每组需要购买的工具，比如电烙铁，焊锡丝，松香，吸焊枪等等......

2、每组成员准备一个鞋盒子，用来存放工具。3、务必在第八周之前完成这项工作。

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计划（二）、认识常用电子元器件及工作原理

1、各组长按排各组任务，比如小电源的制作，双声道功放的制作，等等一些常用电子电路制作，也可以做智能小车，寻迹小车

2、本计划从第八周开始实施，我们会从第八周开始，开展每周小组工作总结大会，时间待等通知。

3、各小组手头最好备有电子制作相关书籍，比如《常用电子制作100例》等等相关书籍，图书馆有借，也可网上查找相关资料，最好是学会网上查找资料。

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计划（三）、C语言与51单片机入门学习

1、各小组成员应准备相关书籍，比如《C语言程序设计》、谭浩强《C程序设计（第四版）》，只要一本就足以。 2、本计划将在第十三周开始实施，请各小组成员做好准备。 3、51单片机的学习从“郭天祥10天学会单片机”视频开始，每个小组成员只需拷贝视屏，在学校机房或网吧观看学习视频并做笔记。

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计划（四）、单片机电子作品制作 1、流水灯控制

2、智能小车，寻迹小车制作。 3、各组长自行安排。

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计划（五）、Proter99与AD电路板画图软件学习

1、本计划将在第十八周后实施，具体内容请各小组负责人安排。

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计划（六）、参加第四届校园创新电子大赛

1，本次校园电子设置了一、二、三等奖，还有优胜奖，奖品多多等你来拿。

2、各小组自行计划本次大赛，选择合适作品参加本次比赛。

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四、相关资料《常用电子元器件》

常用电子元器件参考资料

第一章 部分电气图形符号

一．电阻器、电容器、电感器和变压器

图形符号 名称与说明 电阻器一般符号 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个 可变电阻器或可调电阻器 带磁芯、铁芯的电感器 滑动触点电位器 带磁芯连续可调的电感器 极性电容 双绕组变压器 注：可增加绕组数目 可变电容器或可调电容器 绕组间有屏蔽的双绕组变压器 注：可增加绕组数目 2012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 10

双联同调可变电容 器。 注：可增加同调联数 在一个绕组上有抽头的变压器 微调电容器 二．半导体管 图形符号 三．其它电气图形符号 图形符号 名称与说明 具有两个电极的压电晶体注：电极数目可增加 熔断器 指示灯及信号图形符号 或 名称与说明 接机壳或底板 导线的连接 导线的不连接 11

名称与说明 二极管的符号 发光二极管 (1) (2) 图形符号 名称与说明 JFET结型场效应管 (1)N沟道 (2)P沟道 光电二极管 PNP型晶体三极管 稳压二极管 变容二极管 NPN型晶体三极管 全波桥式整流器 2012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划

灯 扬声器 蜂鸣器 接大地 动合(常开)触点开关 动断(常闭)触点开关 手动开关 第二章 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

第一节、电阻器

1.1 电阻器的含义: 在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN

1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧

1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这 段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。

1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.

b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)

如：472 表示 47×102Ω（即4.7KΩ）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、 R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电 阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：

如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环 是色环电阻器的误差范围(见图一)

四色环电阻器（普通电阻)

标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字

标称值有效数字后0的个数(10的倍幂)

允许误差

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颜 色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 无色 第一位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第二位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 倍 率 100 允 许 偏 差 ±1% ±2% ±0.5% ±0.25% ±0.1% ―20% ~ +50% ?5% ?10% ?20% 101 102 103 104 105 106 107 108 109 10?1 10?2 图1-1 两位有效数字阻值的色环表示法

如果色环电阻器用五环表示,前面三位数字是有效数字,第四位是10的倍幂. 第五环是色环电阻器的误差范围.(见图二) 五色环电阻器（精密电阻）

标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差

颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 第一位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第二位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第三位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 倍 率 100 允许偏差 ?1% ?2% 101 102 103 104 ?0.5% ?0.25 ?0.1% 105 106 107 108 109 -20%～+50% 2012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 13

金 银 10?1 ±5% ±10% 10?2 图1-2 三位有效数字阻值的色环表示法

d、SMT精密电阻的表示法，通常也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表示，两个数字是有效数字，字母表示10的倍幂,但是要根据实际情况到精密电阻查询表里出查找.下面是精密电阻的查询表: 代码 阻值 代码 阻值 代码 code 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 D 103 阻值 resiscance 261 267 274 280 287 294 301 309 316 324 332 340 348 357 365 374 383/388 392 402 412 F 105 代码 阻值 代码 阻值 code resiscane 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 symbol multipliers

100 102 105 107 110 113 115 118 121 124 127 130 133 137 140 143 147 150 154 153 code resiscance 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 A B 101 code resiscance 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 G 106 code resiscance 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 94 95 96 96 Y 10-2 162 165 169 174 178 182 187 191 0.196 200 3205 210 215 221 226 232 237 243 249 255 C 102 422 432 442 453 464 475 487 499 511 523 536 549 562 576 590 604 619 634 649 665 H 107 681 698 715 732 750 768 787 806 825 845 866 887 909 931 981 953 976 976 Z E 104 X 10-1 100 10-3

1.10 SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如0201，0603，0805，1206等，具体如02表

示长为0.02英寸宽为0.01英寸）。

1.11 一般情况下电阻在电路中有两种接法:串联接法和并联接法

电阻的计算： R1 14

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R1 R2 R2 串连： 并联：

R=R1+R2 R=1/R1+1/R2 1.12 多个电阻的串并联的计算方法：

串联：R总串=R1+R2+R3+??Rn. 并联：1/R总并=1/R+2/R+3/R??1/Rn

1.13 电阻器好坏的检测:

a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.

b、 测量档位选择确定后,对万用表电阻档为进行校0, 校0的方法是:将万用表两表笔金属棒短接,观察指针有无到0的位置,如果不在0位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0位置.

c、 接着将万用表 的 两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏.

d、 用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K

档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.

第二节 电容器

2.1 电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量. 2.2 电容器的英文缩写:C (capacitor)

2.3 电容器在电路中的表示符号: C 或CN(排容) 2.4 电容器常见的单位: 毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）

2.5 电容器的单位换算: 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法; 1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;

2.6 电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等

2.7 电容器的特性: 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻 碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。。电容的特性主要是隔直流通交 流,通低频阻高频

2.8 电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容.

2.9 电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF表示220UF；.01UF表示0.01UF；R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.

b; 不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;

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c; 数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示10的倍幂.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UF

d: 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

2.10 电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.

2.11 电容器的主要性能指标是: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度

范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高工作温度。).

2.12 电容器的品牌有: 主板电容主要分为台系和日系两种,日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。 电容器的计算：

C1 c2 c1 c2 ~ 串连： 并联： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 2.13 多个电容的串联和并联计算公式:

C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CN C并:C=C1+C2+C3+??+CN

2.14 电容器的好坏测量

a; 脱离线路时检测

采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。

B. 线路上直接检测

主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。

c．线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一

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脚为负极，另一脚为正极。

第三节 电感器

3.1 电感器的英文缩写：L (Inductance) 电路符号：

3.2 电感器的国际标准单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；

3.3 电感器的单位换算是: 1H=103m H＝106u H＝109n H；1n H＝10-3u H=10-6m H=10 -9H 3.4 电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。 3.5 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。

3.6 电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常见的是铜芯绕线电感.

3.7 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。

3.8 电感的好坏测量:

电感的质量检测包括外观和阻值测量.首先检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本体断路.若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测.

第四节 半导体二极管

4.1 英文缩写：D (Diode) 电路符号是 4.2 半导体二极管的分类 分类：

a 按材质分：硅二极管和锗二极管；

b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极

管，变容二极管。

稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管

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4.3 半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。 4.4 半导体二极管的导通电压是:

a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.

B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.

4.5 半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

4.6 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。

4.7 半导体二极管的识别方法：

a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极. b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.

c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

4.8 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： （1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。

（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。

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出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。 4.9 稳压二极管的基本知识

a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：

型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761

稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

4.10 半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压

为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.

4.11 半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.

图三 硅和锗管的伏安特性曲线

4.12 半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。

第五节 半导体三极管

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5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T

5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 5.3 半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。

E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电极)

B(基极) B(基极)

NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。 5.5 半导体三极管的主要参数

a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。

b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。

c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。

5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。

a;半导体三极管的三种基本的放大电路。 电路形式 共射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 20

2012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划

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