模拟电路试卷及答案(十套)

更新时间:2023-10-09 06:29:01 阅读量: 综合文库 文档下载

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模拟综合试卷一

一. 填充题

1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。 3. 在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻 。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是 失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于 ,乙类放大电路的导通角等于 ,工作于甲乙类时,导通角为 。

6.甲类功率输出级电路的缺点是 ,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于 状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500μV, ui2=500μV,则差模输入电压uid为 μV,共模输入信号uic为 μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较 同相比例放大电路的输入电阻较 。

9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为 的影响。

10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中, 组态电流增益最; 组态电压增益最小; 组态功率增益最高; 组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是 组态。 二. 选择题

1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为( )。 A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小 C.β和uBE减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是( ) A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要( )来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个

C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性

4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数( )。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路( ) A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强

6.负反馈放大电路以降低电路的( )来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7.为了使运放工作于线性状态,应( ) A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈

8.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是( )。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9.振荡电路的振荡频率,通常是由( )决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数

10.在串联型线性稳定电路中,比较放大环节放大的电压是( ) A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压 三.分析计算题

1,如图所示的放大电路中,已知Rb1=16kΩ, Rb2=11kΩ, Rc1=0.5kΩ, Rc2=2.2kΩ, RE1=0.2kΩ, RE2=2.2kΩ, RL=2.2kΩ,β=80, uBE=0.7V, VCC=24V。 试求: (1)静态工作点

(2) 画出微变等效电路 (3)电压发达倍数

(4) 输入电阻Ri、输出电阻Ro

2. 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA, VDD=16v, RG1=160kΩ,,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。 试求: (1)静态工作点Q (2)画出微变等效电路 (3)电压放大倍数Au

(4)输入电阻Ri、输出电阻Ro

3.如下图所示的反馈电路,试求: (1)用瞬时极性法在电路图上标出极性,并指出反馈的类型;

(2)说明反馈对输入电阻和输出电阻的影响; (3)在深度负反馈条件下的闭环电压放大倍数。

4.如图所示的运算放大电路中,已知R1 =R2=10k, R5=15k, R3 =R4= R6 =30k, RF3=30k, RFi =RF2=10k, E1=3V, E2=4V, E3=3V。 试求:

(1)指出A1 、 A2 、A3运算放大功能; (2)计算输出电压uo1、uo2 和 uo 。

5.如图所示的单相桥式电容滤波整流电路,交流电源频率f=50Hz, 负载电阻RL=120Ω,要求:直流电压uo=30v, 试选择整流元件及滤波电容C。

模拟电路试卷一答案

一.填充题

1. 深度反馈 同相输入点接地 2. 稳定直流工作点 抑制零点漂移

3.小 4. 截止 5. 180 o 90 o 大于90 o 小于 180o 6. 效率低 甲乙类 7. 0 500 100

8. 低 9. 晶体管结电容 10. 共集 共集 共射 共集 共基 二.选择题

1.B 2. D 3. C 4. 5. D 6. C 7. D 8. A 9. D 10. A 三.分析计算题

1.解(1)

(2)

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