第二章 单片机结构和时序
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第二章 单片机内部结构和工作原理
本章主要内容1、 80C51系列单片机内部结构 、 系列单片机内部结构 2、外部引脚功能 、 3、存储空间配置和功能 、 4、片内 、片内RAM结构和功能 结构和功能 5、特殊功能寄存器的用途和功能 、 6、程序计数器 的作用和基本工作方式 、程序计数器PC的作用和基本工作方式 7、I/O端口结构、工作原理及功能 端口结构、 、 端口结构 8、时钟和时序 、 9、复位电路、复位条件和复位后状态 、复位电路、 10、低功耗工作方式的作用和进入退出的方法 、单片机原理及应用》 《单片机原理及应用》1
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第二章单片机内部结构和工作原理 第二章单片机内部结构和工作原理2.1 内部结构和引脚功能 2.2 存储空间配置和功能 2.3 I/O端口结构及工作原理 端口结构及工作原理 2.4 时钟和时序 2.5 复位和低功耗工作方式2
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2.1 内部结构和引脚功能 2.1.1 内部结构
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MCS-51单片机基本特性 单片机基本特性8 位的 CPU,片内有振荡器和时钟电路,工作频率 ,片内有振荡器和时钟电路, 为 1~12MHz(Atmel 89Cxx为0~24MHz) ~ ( 为 ~ ) 片内有 128/256字节 RAM 字节 片内有 0K/4K/8K字节 程序存储器 字节 程序存储器ROM 可寻址片外 可寻址片外 64K字节 数据存储器 字节 数据存储器RAM 可寻址片外 64K字节 程序存储器ROM 可寻址片外 64K字节 程序存储器ROM 片内 21/26个 特殊功能寄存器(SFR) 个 特殊功能寄存器( ) 4个8位 的并行 口(PIO) 个 位 并行I/O口 ) 1个 全双工串行口(SIO/UART) 串行口( 个 全双工串行口 ) 2/3个16位 定时器/计数器(TIMER/COUNTER) 个 位 定时器 计数器( ) 计数器 个中断源, 可处理 5/6个中断源,两级中断优先级 个中断源 内置1个布尔处理器和 个布尔累加器( ) 个布尔处理器和1个布尔累加器 内置 个布尔处理器和 个布尔累加器(Cy) MCS-51指令集含 111条指令 指令集含 条指令 4
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MCS-51系列单片机配置一览表 系列单片机配置一览表片内存储器(字节) 片内存储器(字节) 系列 无 Intel MCS-51 子系列 Intel MCS-52 子系列 ATEML 89C系列 系列 (常用型 常用型) 常用型 8031 80C31 片内ROM 片内 有ROM 8051 80C51 (4K字节 字节) 字节 8052 80C52 (8K字节 字节) 字节 有 EPROM 8751 87C51 (4K字节 字节) 字节 8752 87C52 (8K字节 字节) 字节 片内 RAM 128 字节 定时器 计数器 并行 I/O 串行 I/O 中 断 源
2x16
4x8位 位
1
5
8032 80C32
256 字节
3x16
4x8位 位
1
6
1051(1K)/ 2051(2K)/ 4051(4K) 条引脚DIP封装) 封装) (20条引脚 条引脚 封装 89C51(4K)/ 89C52(8K) 条引脚DIP封装) 封装) (40条引脚 条引脚 封装
128 128/2 56
2
15
1
5
2/3
32
1
5/6
注意:今后将会经常提到 注意:今后将会经常提到ATMEL
的 的 AT89C2051/51/52等MCU! 等 !
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单片机的引脚定义从一片集成电路的角度去认识单片机
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2.1.2 引脚功能40个引脚双排直插 个引脚双排直插DIP封装,大致可分为 类: 封装, 个引脚双排直插 封装 大致可分为4类 电源、时钟、控制和 引脚 引脚。 电源、时钟、控制和I/O引脚。
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单片机的引脚1、电源:1)VCC — 芯片电源,接5V/3.3V/2.7V; 、电源: ) 芯片电源, ; 2)VSS — 接地端; 接地端; ) 2、时钟:XTAL1、XTAL2 — 晶体振荡电路反相 、时钟: 、 输入端和输出端。 输入端和输出端。通常外接一个晶 通常外接一个晶 振两个电容XTAL1
也可以由 XTAL1端 端 接入外部时钟, 接入外部时钟,此 时应将 XTAL2接地 接地外部时钟 XTAL1 XTAL2 XTAL2
15~45pfx2 ~
1~12MHz(MCS-51) ~ ( ) 0~24MHz(Atmel-89C) ~ ( )
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3、控制线:4根 、控制线: 根1)ALE/PROG:地址锁存允许/片内 ) :地址锁存允许 片内EPROM编程脉 编程脉 片内 冲 功能: 口送出的低8位地址 ① ALE功能:用来锁存 口送出的低 位地址 功能 用来锁存P0口送出的低 功能: 的芯片, ② PROG功能:片内有 功能 片内有EPROM的芯片,在 的芯片 EPROM编程期间,此引脚输入编程脉冲。 编程期间,此引脚输入编程脉冲。 编程期间 2)PSEN:外ROM读选通信号。 ) 读选通信号。 外 读选通信号 3)RST/VPD:复位 备用电源。 ) 复位/备用电源 复位 备用电源。 ① RST(Reset)功能:复位信号输入端。 ( )功能:复位信号输入端。 功能: 掉电情况下, 功能 掉电情况下 接备用电源。 ② VPD功能:在Vcc掉电情况下,接备用电源。9
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单片机的引脚( 单片机的引脚(PSEN端) 端PSEN:寻址外部程序存储器时选通外部EPROM的读控 :寻址外部程序存储器时选通外部 的读控 制端( )低有效。 制端(OE)低有效。
单片机 P0.0-P0.7 ALE EA PSEN P2.0-P2.4
锁存器 74LS373 8D G OE 8Q
D0-D7 A0-A7 EPROM OE A8-A12 CE
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4)EA/Vpp:内外 ) 内外ROM选择 片内 选择/片内 编程电源。 内外 选择 片内EPROM编程电源。 编程电源 ① EA功能:内外 功能: 选择端。 功能 内外ROM选择端。 选择端80C51单片机 单片机ROM寻址范围为 寻址范围为64KB,其中 在片内, 单片机 寻址范围为 ,其中4KB在片内, 在片内 60KB在片外 在片外(80C31芯片无内 芯片无内ROM,全部在片外 。 在片外 芯片无内 ,全部在片外)。 保持高电平时, 当EA保持高电平时,先访问内 保持高电平时 先访问内ROM,但当 (程序计数 ,但当PC( 器)值超过4KB(0FFFH)时,将自动转向执行外 将自动转向执行外ROM中 值超过 ( ) 中 的程序。 的程序。 保持低电平时, 当EA保持低电平时,则只访问外 保持低电平
时 则只访问外ROM,不管芯片内有否 , 芯片, 必须接地。 内ROM。对80C31芯片,片内无 。 芯片 片内无ROM,因此 必须接地。 ,因此EA必须接地
② Vpp功能:片内有 功能: 的芯片, 功能 片内有EPROM的芯片,在EPROM 的芯片 编程期间,施加编程电源Vpp。 编程期间,施加编程电源 。11
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4. I/O线 线80C51共有 个8位并行 端口:P0、P1、P2、 共有4个 位并行I/O端口 端口: 、 、 、 共有 P3口,共32个引脚。P3口还具有第二功能,用于特 个引脚。 口还具有第二功能 第二功能, 口 个引脚 殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。 殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。 P3.0 —— RXD:串行口输入端; 输入端; :串行口输入端 P3.1 —— TXD:串行口输出端; TXD:串行口输出端 输出端; P3.2 —— INT0:外部中断 请求输入端; 请求输入端; :外部中断0请求输入端 P3.3 —— INT1:外部中断 请求输入端; 请求输入端; :外部中断1请求输入端 P3.4 —— T0:定时 计数器 外部信号输入端; 计数器0外部信号输入端 :定时/计数器 外部信号输入端; P3.5 —— T1:定时 计数器 外部信号输入端; 计数器1外部信号输入端 :定时/计数器 外部信号输入端; P3.6 —— WR:外RAM写选通信号输出端; : 写选通信号输出端; P3.7 —— RD:外RAM读选通信号输出端。 返 回 : 读选通信号输出端。12
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2.2 存储空间配置和功能
80C51的存储器配置方式与其他常用的微机系 的存储器配置方式与其他常用的微机系 统不同, 哈佛结构 注意 什么是哈佛结构?), 注意:什么是哈佛结构 统不同,属哈佛结构(注意 什么是哈佛结构 ,它 把程序存储器和数据存储器分开,各有自己的寻址 程序存储器和数据存储器分开, 分开 系统、控制信号和功能。 系统、控制信号和功能。程序存储器用于存放程序 和表格常数; 和表格常数;数据存储器用于存放程序运行数据和 结果。 结果。
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80C51的存储器组织结构可以分为三个 的存储器组织结构可以分为三个 的存储器组织结构可以分为 不同的存储空间,分别是: 不同的存储空间,分别是: 1)64KB程序存储器(ROM),包括 ) 程序存储器( ),包括 程序存储器 ), 片内ROM和片外 和片外ROM; 片内 和片外 ; 2)64KB外部数据存储器(外RAM); ) 外部数据存储器( 外部数据存储器 ); 3)256B内部数据存储器(内RAM) ) 内部数据存储器( 内部数据存储器 ) 包括特殊功能寄存器) (包括特殊功能寄存器) 。
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80C51存储空间配置图 存储空间配置图
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2.2.1 程序存储器(ROM) 程序存储器( )地址范围: 地址范围:0000H~FFFFH,共64KB。其中 ~ , 。
其中: 低段4KB:0000H~0FFFH : 低段 ~ 80C51和87C51在片内(或片外), 和 在片内(或片外),80C31在片外。 在片外。 在片内 ), 在片外 高段60KB:1000H~FFFFH。在片外。 : 高段 ~ 。在片外。 读写ROM用MOVC指令,控制信号是 用 指令, 读写 指令 控制信号是PSEN和EA。 和 。 是以程序计数器PC作为 位地址指针, 读ROM是以程序计数器 作为 位地址指针,依 是以程序计数器 作为16位地址指针 次读相应地址ROM中的指令和数据,每读一个字节, 中的指令和数据, 次读相应地址 中的指令和数据 每读一个字节, PC+1→PC,这是 自动形成的。 ,这是CPU自动形成的。 自动形成的 但是有些指令有修改 的功能,例如转移类指令 修改PC的功能 但是有些指令有修改 的功能,例如转移类指令 指令, 将按修改后PC的 位地址读 位地址读ROM。 和MOVC指令,CPU将按修改后 的16位地址读 指令 将按修改后 。16
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读外ROM的过程 的过程 读外CPU从PC(程序计数器 中取出当前 从 程序计数器)中取出当前 程序计数器 中取出当前ROM的16位 的 位 地址,分别由P0口 地址,分别由 口(低8位)和P2口(高8位)同时 位 口 位 输出, 信号有效时由地址锁存器锁存低 输出,ALE信号有效时由地址锁存器锁存低 位地址 信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址 信号,地址锁存器输出的 位地址信号和P2口 输出的低 信号,地址锁存器输出的低8位地址信号和 口输出 位地址输入端, 的高8位地址信号同时加到外 位地址信号同时加到外ROM 16位地址输入端, 位地址输入端 信号有效时 当PSEN信号有效时,外ROM将相应地址存储单元中 信号有效时, 将相应地址存储单元中 的数据送至数据总线( 口),CPU读入后存入指 的数据送至数据总线(P0口), 读入后存入指 定单元。 定单元。
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注意
64KB中有一小段范围是 中有一小段范围是80C51系统专用 中有一小段范围是 系统专用 单元, 个中断源中断服务程 单元,0003H~0023H是5个中断源中断服务程 是 个中断源 序入口地址(详见第 详见第5章 , 序入口地址 详见第 章),用户不能安排其他 内容。 内容。
80C51复位后,PC=0000H,CPU从地址 复位后 复位 , 从地址 单元中读取指令和数据。 为0000H的ROM单元中读取指令和数据。从 的 单元中读取指令和数据 0000H到0003H只有 ,根本不可能安排一个 只有3B, 到 只有 完整的系统程序, 又是依次读ROM 完整的系统程序,而80C51又是依次读 又是依次读 字节的。因此, 只能用来安排一条跳转 字节的。因此,这3B只能用来安排一条跳转 只能用来 指令, 指令,跳转到其他合适的地址范围去执行真正 的主程序。 的主程序。
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2.2.2 外部数据
存储器(外RAM) 外部数据存储器( )地址范围:0000H~FFFFH,共64KB 地址范围: ~ , 读写外RAM用MOVX指令,控制信号是 用 指令, 读写外 指令 P3口中的 和WR。 口中的RD和 口中的 。 注意 一般情况下,只有在内 一般情况下,只有在内RAM不能 不能 满足应用要求时, 外接RAM。 。 满足应用要求时,才外接
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读外RAM的过程: 的过程: 的过程 外RAM 16位地址分别由 口(低8位)和P2口(高8 位地址分别由P0口 位 口 位地址分别由 同时输出, 信号有效时由地址锁存器锁存低8位 位)同时输出,ALE信号有效时由地址锁存器锁存低 位 信号有效时由地址锁存器锁存低 地址信号,地址锁存器输出的低8位地址信号和 位地址信号和P2口 地址信号,地址锁存器输出的低 位地址信号和 口输出 位地址输入端, 的高8位地址信号同时加到外 位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端,当 位地址输入端 RD信号有效时,外RAM将相应地址存储单元中的数据送 信号有效时, 将相应地址存储单元中的数据送 信号有效时 将相应地址存储单元中的 至数据总线( 口),CPU读入后存入指定单元。 读入后存入指定单元。 至数据总线(P0口), 读入后存入指定单元 写外RAM的过程: 的过程: 的过程 写外RAM的过程与读外 写外 的过程与读外RAM的过程相同。只是控 的过程相同。 的过程与读外 的过程相同 制信号不同,信号换成WR信号。当WR信号有效时,外 信号。 信号有效时, 制信号不同,信号换成 信号 信号有效时 RAM将数据总线(P0口分时传送)上的数据写入相应地 将数据总线( 口分时传送 口分时传送) 将数据总线 址存储单元中。 址存储单元中。20
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2.2.3 内部数据存储器(内RAM) 内部数据存储器( )
从广义上讲, 从广义上讲,80C51内RAM和特 内 和 殊功能寄存器均属于片内 均属于片内RAM空间, 空间, 殊功能寄存器均属于片内 空间 地址范围为00H-7FH(00H内RAM地址范围为 ( FFH),特殊功能寄存器地址范围为 ),特殊功能寄存器 ),特殊功能寄存器地址范围为 80H-FFH(与高 (与高128BRAM地址范围 地址范围 相同),通常用寻址方式加以区别。 ),通常用寻址方式加以区别 相同),通常用寻址方式加以区别。
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