材料科学基础名词解释（全）

晶体：即内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。

非晶体：原子没有长程的排列，无固定熔点、各向同性等。

晶体结构：指晶体中原子或分子的排列情况，由空间点阵和结构基元构成。 空间点整：指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结

构的抽象。 晶面指数：结晶学中用来表示一组平行晶面的指数。

晶胞：从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的重复单元。

晶胞参数：晶胞的形状和大小可用六个参数来表示，即晶胞参数。

离子晶体晶格能：1mol离子晶体中的正负离子，由相互远离的气态结合成离子晶体时所释

放的能量。

原子半径：从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。 配位数：一个原子或离子周围同种原子或异号离子的数目。

极化：离子紧密堆积时，带电荷的离子所产生的电厂必然要对另一个离子的电子云产生吸引

或排斥作用，使之发生变形，这种现象称为极化。 同质多晶：化学组成相同的物质在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。 类质同晶：化学组成相似或相近的物质在相同的热力学条件下形成具有相同结构晶体的现象。 铁电体：指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。

正、反尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，称

为正尖晶石。 如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙则称为反尖晶石。

反萤石结构：正负离子位置刚好与萤石结构中的相反。

压电效应：由于晶体在外力作用下变形，正负电荷中心产生相对位移使晶体总电矩发生变化。 结构缺陷：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为结构缺陷。 空位：指正常结点没有被质点占据，成为空结点。 间隙质点：质点进入正常晶格的间隙位置。

点缺陷：缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，三维方向上的尺寸都很小。

线缺陷：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。

面缺陷：是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。 弗伦克尔缺陷：质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置，特征是空位和间隙质点成对出现。 肖特基缺陷：质点由表面位置迁移到新表面位置，在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部留下空位，特征是正负离子空位成比例出现。

非化学计量缺陷：是指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。

电荷缺陷：是指质点排列的周期性未受到破坏，但因电子或空穴的产生，使周期性势场发生

畸变所产生的缺陷。 辐照缺陷：指材料在辐照下所产生的结构的不完整性。 位错：晶体已滑移部分和未滑移部分的交线。

混合位错：晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向的位错。 晶界：不同取向的晶粒之间的界面。

堆垛层错：是指正常堆垛顺序中引入不正常顺序堆垛的原子面而产生的一类面缺陷。 固溶体：将外来组元引入晶体，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分，仍保持一个晶

相，这种晶体称为固溶体。 置换型固溶体：溶质原子位于点阵结点上，替代了部分溶剂原子。 间隙型固溶体：溶质原子位于点阵的间隙中。

非化学计量化合物：正负离子比例不成固定比例关系的一些化合物。

色心：是由于电子补偿而引起的一种缺陷。

熔体：特指加热到较高温度才能液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。 熔融石英的分化过程：在氧化钠作用下，使架状{sio4}断裂的过程。

缩聚：由分化过程产生的低聚合物不是一成不变的，它可以相互发生作用，形成级次较高的

聚合物，同时释放出部分氧化钠，这个过程称为缩聚。 桥氧、非桥氧：在硅酸盐熔体中，与两个si相连的氧称为桥氧，与一个si相连的氧称为非

桥氧。 粘度：是流体抵抗流动的量度。物理意义：指单位面积、单位速度梯度下两层液体间的内摩

擦力。 硼反常现象：这种由于硼离子配位数变化引起性能曲线上出现转折的现象称为 表面张力物理意义：作用于表面单位长度上与表面相切的力。 表面能：在恒温恒压下增加一个单位表面积时所做的功。 玻璃：由熔体过冷而形成的一种无定形固体。 均态核化：如果熔体内部自发成核，称为~。

非均态核化：如果是由表面、界面效应，杂质或引入晶核剂等各种因素支配的成核过程，称

为~。 根据单键能的大小，可将氧化物分为三类：

（1）玻璃网络形成体：其单键强度大于335kj/mol，这类氧化物能单独形成玻璃。 （2）网络改变体：单键强度小于250，这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构，从而使玻璃性质改变。

（3）网络中间体：其单键强度介于250~335，这类氧化物的作用介于玻璃形成体和网络改变体之间。

界面：相邻两个结晶空间的交界面。

物体表面：晶体三维周期结构和真空之间的过渡区域

润湿现象分为：沾湿、浸湿、铺展。 接触角小于90，可润湿，大于90，不可润湿 扬德方程：

粘附功：指把单位粘附界面拉开所需的功。

相：系统中具有相同物理与化学性质的完全均匀部分的总和称为相。

组元：系统中每一个能单独分离出来并能独立存在的化学纯物质称为组元。

独立组元：足以表示形成平衡系统中各相组成所需要的最少数目的组元称为独立组元。 自由度：在一定范围内，可以任意改变而不引起旧相消失或新相产生的独立变量。 吉布斯相律：

F=C-P+n

相律确定了多相平衡系统中，系统的自由度数、独立组元数、相数和对系统的平衡状

态能够发生影响的外界影响因素数之间的关系。应用相律可以很快的确定平衡体系的自由度数目。

凝聚系统：没有气相或气相影响可忽略不计的系统称为~。

相平衡：当外界条件不变时如果系统的各种性质不随时间而改变，则系统处于平衡状态。 相图：根据多相平衡的试验结果，可以绘制成几何图形用来描述这些在平衡状态下的变化关系，这种图形称为~。

一致熔融化合物：是一种稳定的化合物，与正常的纯物质一样具有固定的熔点，熔化时所产生的液相与化合物组成相同。

不一致熔融化合物：是一种不稳定的化合物，加热这种化合物到某一温度便发生分解，分解

的产物是一种液相和一种晶相，二者组成和化合物组成皆不同。

可逆多晶转变相图特点：多晶转变温度低于两种晶型熔点。不可逆相反。

一级变体之间的转变：不同系列和熔体之间的转变。

二级变体间的转变：同系列的不同形态之间的转变，也称高低温型转变。 扩散：当物质内有梯度存在时，由于热运动而触发的质点定向迁移即扩散。（扩散是一种传

质过程，宏观上表现为物质的定向迁移，本质是质点的无规则运动） 扩散通量：单位时间内通过垂直于X轴的单位面积的原子数量。 扩散系数：单位浓度梯度下的扩散通量。

稳态扩散：扩散系统中，空间中任意一点的浓度不随时间变化，扩散通量不随位置变化。 非稳态扩散：···，空间任意一点的浓度随时间变化，扩散通量随位置变化。 相变：在外界条件发生变化的过程中，物相于某一特定的条件下发生突变。

一级相变：在临界温度、临界压力时，两相化学位相等，但化学位的一阶偏导数不相等的相

变。

二级相变：相变时化学位及其一阶偏导数相等，而二阶偏导数不相等的相变。 扩散型相变：在相变时依靠原子的扩散来进行的相变。

无扩散型相变：相变过程不存在原子的扩散，或虽存在扩散，但不是扩散所必须的或不是主

要过程的相变即为。 重构型相变：相变前后有旧键破坏和新键形成，相变所需的能量高、速度慢，此类相变称为。 位移型相变：相变时只是原子间键长、键角的调整，没有旧键破坏和新键形成，相变的能量

低，速度快，此类相变称为。 成核速率：单位时间单位体积母相中形成新相核心的数目。 晶化速率（长大速率）：单位时间新相尺寸的增加。

液相不混溶或玻璃的分相：一个均匀的液相或玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成

两个互不溶解或部分溶解的液相或玻璃相，并相互共存的现象。

上坡扩散：转变时发生浓度低的向浓度高的方向扩散，产生成分的偏聚而不是成分的均化。 扩散控制的长大：新相长大速率受溶质原子的扩散速率所控制。

界面控制的长大：晶体生长取决于分子或原子从熔体中向界面扩散与其反向扩散之差。 固态反应：固体直接参与反应并起化学变化，同时至少在固体内部或外部的一个过程中起控制作用的反应。

固态反应的两个过程：相界面上的化学反应和固相内的物质迁移。

连续反应：在固态反应中，有时反应不是一步完成，而是经由不同的中间产物才最终完成，称为连续反应。

当扩散速度远大于化学反应速度时，说明化学反应控制此过程，称为化学动力学范围。特点是：反应物通过产物层的扩散速度远大于接触面上的化学反应速度。

泰曼温度：一种反应物开始呈现显著扩散的温度。

烧结宏观定义：粉体原料经过成型、加热到低于熔点的温度，发生固结、气孔率下降、收缩

加大、致密度提高、晶粒增大，成为坚硬的烧结体，这个过程称为烧结。 烧结微观定义：固体中分子或原子间存在相互吸引，通过加热使质点获得足够的能量进行迁移，使粉末体产生颗粒粘结，产生强度并导致致密化和再结晶的过程称为烧结。 固相烧结：是指松散的粉末或经压制具有一定形状的粉末压坯被置于不超过其熔点的设定温度中在一定的气氛保护下，保温一定时间的操作过程。 液相烧结：烧结温度超过某一组成的熔点，因而形成液相。

初次再结晶：指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过

程。

二次再结晶：是坯体中少数大晶粒尺寸的异常增加，其结果是个别晶粒尺寸的增加。

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