LED芯片制作
更新时间:2023-08-19 07:53:01 阅读量: 高中教育 文档下载
供参考
MOCVD实物图
供参考
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供参考
Hall measurement
供参考
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材料所的外延片
(002): 225arcsec (102) : 256 arcsec
强 度 计 数 (002) (102)-720 -360
ω (arcsec)
0
360
720
位错密度:8×107/cm2。
通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错进行 分析,获得位错密度低于1×108/cm2的未掺杂GaN材料。
供参考
强 度 A 计 数)BC 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0
1.0μ m
1.0μ m
1.0μ m
A
B
C
2θ (degree)
供参考
图形衬底生长GaN
衬底截面
生长GaN截面
GaN表面
采用图形衬底,进一步提高了GaN质量。
供参考
在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。
x100
供参考
LED外延片产品
AlGaInP红光LED外延片
GaN基蓝光LED外延片
LED外延片电致发光
供参考
Room temperature properties of semiconductorssymbolCrystal structure Lattice constant a0 c0
AlNWurtzite 3.112 4.982
GaNWurtzite 3.191 5.185
InNWurtzite 3.545 5.703
Bandgap energyIntrinsic carrier concentration Effective DOS at CB edge Effective DOS at VB edge
Egni Nc Nv
6.289.4x10-34 6.2x1018 4.9x1020
3.4251.9x10-10 2.3x1018 1.8x1019
0.77920 9.0x1017 5.31019
Electron mobilityHole mobility Electron diffusion constant Hole diffusion constant
μnμp Dn Dp
30014 7 0.3
150030 39 0.75
320080 -
Electron affinityMinority carrier lifetime Electron effective mass Heavy effective mass
me* mh*
1.90.4me 3.53me
4.110-8 0.2me 0.80me
0.11me 1.63me
Relative dielectric constantRefractive index near Eg Absoption coefficient near Eg
εrn α
8.52.15 3x105
8.92.5 105
15.32.9 6x105
供参考
LED芯片主要工序
清洗 前 段 图案 Mesa台面 电极制作 合金 钝化
后 段
磨片
抛光
划片
裂片
扩片
测试
激光切割痕迹
分类
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