2009-2010学年二学期电子线路期中考试试卷(B卷)

电子线路

___期日______

_名___签__任__主__室__研_教名课姓 任 _ _ ____________名__签__员_教号题学 出 _ ________________员__教_课次任班学 __教_ _ _ _ _ _ ______________次__班_核别考队 ______数人核考…

山西大学

………《模拟电子技术基础》期末考试试卷(B卷)

………

………3．在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当V=100V、温度为20℃时，

……μA 。

…

I＝1…1．当V降低到50V，则I约为____。

…A、0.1μA ， B、0.5

μA ， C、1μA ， D、2μA 线…2．当V保持100V不变，温度降低到10℃，则I约为____。 ……题目部分，（卷面共有44题，100分，各大题标有题量和总分）

A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA …3．该二极管在反向电压为200V的电路中使用是____。 ……

A、安全的， B、不够安全的

………一、选择题（10小题，共10分）

……

V

…封1．指出符合下列性能特点的电路有哪些？

……1．电压放大倍数绝对值能大于1的电路有____； ……2．输出电压和输入电压同相的电路有____； 4．石英晶体振荡电路如图示。试选择正确答案填空：

……3．能获得比较大的输入电阻的电路是____。

…1．欲使电路能产生振荡，晶体频率f1…

0与LC1回路谐振频率f1 2πLC应有____关系。

1

……

…A、f1略高于f0，B、f1略低于f0，C、f1 f0 …密2．在电路振荡时，晶体等效为____，LC…1回路等效为____。 …

…A、电容，B、电阻，C、电感

…3．该振荡电路属于____晶体振荡电路。 …A、串联型，B、并联型

………( a )

( b )( c )

……2．图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填

空（如果存在多种选择，应都选择）。 1．要求等效PNP型，应选择______；

2．要求等效输入电阻大，应选择______；

3．要求等效UBE的温度系数小，应选择______。

试卷 第 1 页 （共 8 页）

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乙： u 1 R4 42

…OR uI1 R 1 R

R

3 3 R 1 uI2 …R………2．若已知

R1…R R4 0.5，uI1 0.5V，uI2 1V，你认为输出电压uO＝？

2R3

………u…R…O

……

…线5．某放大电路电压放大倍数A u

的折线近似幅频特性如图所示。由此可知中频电压放大倍数…u……A um

为____（A、40， B、100， C、10000）倍，下限截止频率为____（A、10Hz， B、………100Hz， C、1000Hz），上限截止频率为____（A、100kHz， B、1MHz，

C、10MHz）。

…当信号频率恰好等于上限截止频率或下限截止频率时，该电路的实际电压增益约为____（A、……40dB， B、－3dB， C、37dB)。

……

…封7．在如图所示OCL电路中，已知输入电压ui为正弦波；C1、C2、C3在交流通路中可视为短

………路；VT3所构成的共射放大电路的电压放大倍数Au1 uC3 uB3 10，输出级的电压放大………0倍数约为1，VT1、VT2的饱和管压降可忽略不计。设输入电压有效值Ui＝1V。选择填空：

……101010

…1．输出电压有效值U…o （ ）；

…6．图示运算电路中，A1、A2为理想运算放大器。

… A、9.1V B、10V C、－10V 密…1．甲、乙两同学在推导输出电压u2．若C3开路，则（ ）；

O的表达式时，得到如下不同的结果。你认为谁的结果正确？

…… A、uo 幅值不变 B、输出电压波形正半周峰值大于负半周峰值

……甲：u R2

O2 …

1 R uI2

C、输出电压波形负半周峰值大于正半周峰值

1 …3．若C2开路，则（ ）；

………uuO2 uI1

A、uo 幅值增大 B、uo 幅值不变 C、uo 幅值减小

O

R R3 R4 uO2 3

2 R4 1R2

R4 R RuI2 1 uI1 3 1

R3 试卷 第 2 页 （共 8 页）

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…1．如图所示串联型稳压电源，判断下列结论是否正确。

……1．输出电压UO不可能低于UZ1，高于20V；（ ） ……2．VDZ2上的电压为稳压电源的基准电压；（ ） ……3．电阻R3中的电流IR3基本不变；（ ）

………4．负载电流IL增大时，VT5管的集电极电流也随之增大；（ ） …5．VT5管是VT3管的有源负载。（ ）

……R…线………(－24V)…

………8．在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度；在

N型半导体中，空穴浓度____电子浓度；

……在P型半导体中，空穴浓度____电子浓度。

……A、大于， B、小于 ， C、等于

…封9．如果输入信号源为高内阻电压源，则多级放大电路中的输入级应采用 ；

…A、共射放大电路，B、共基放大电路，C、共集放大电路

…………10．分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通， B、高通，

C、

……带通， D、带阻， E、全通）。

…对于正弦信号，电压放大倍数可定义为输出电压正弦有效值与输入电压正弦有效值之比。

……A12．up（ ）

……1．Au s

Q

0s密s2

s 2

…0

3．输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。（ ） Q

……4．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。（ ）

… …

s

2

…A

up 1s

1 …

0

5．直接耦合放大电路，只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ ）

…2．A

u s

Q 0… 2

… s 1s

6．指出下列说法是否正确：

Q 1

001．只用集成运放和线性电阻即可实现uO KuXuY。

2．只用模拟乘法器即可实现uO KlnuI。

二、是非（10小题，共10分）

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3．用模拟乘法器和集成运放组合可实现uKO

。…u I

…U

O = 10V

……4．用模拟乘法器和集成运放组合可实现uO KI。

…

……7．在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。（ ）

3．欲用图示电路实现IL 10mA的恒流源，试问该电路是否正确？如有错，指出错误在哪

…………8．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力

里？错误原因？如何改正？设集成运算放大器A具有理想特性，晶体三极管VT的 足够大，……大大减小。（ ）

饱和压降…UCES 0。求负载电阻的最大值RLmax。

线9．在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频

……响应特性。（ ）

………10．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（ ）

………

………

…封三、改错题（7小题，共14分）

……

+VCC(+10V)

………1．在如图所示的OCL电路中，已知输入的动态信号是正弦波电压，三极管VT2、VT4的最

4．在PN结中，P区的电势比N ）；未加外部电压时，PN结中空穴

……大耗散功率均为2W。为使负载能够获得足够大的功率，最大输出电压的峰值应为16V，指出的扩散运动方向是从P区到N区（ ），空穴的漂移运动方向是从N区到P区…电路参数明显不妥的元器件，并分别说明其取值是太大，还是太小。

…（ ），参与扩散运动的载流子数量大于（ ）参与漂移运动…的载流子数量。

……密5．某同学连接了一个有源带通滤波器，如图所示，A为理想运算放大器，实验发现滤波特性

………与带通滤波电路不符。

…1．指出电路中的错误，并给予改正。

……2．已知改正后的电路，当C1 C2 C时，其传递函数为

…………Ao s sCR2Ru s

UUs 3

RR22

i1 2 2sCR1R2 sCR1R2R3

试写通带截止频率

fp和带宽B的表达式。

2．

图示电路是输出电压为+10V的稳压电路，指出图中错误。

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……U.……C

C

C

C

.o

………

……6．欲使集成运放A

1工作在负反馈状态，并且使电路的输入电阻Rif近似为R，输出电阻Rof

……近似为零。

2．组成图示复合管的VT1和VT2的β均不小于10，它们的极限参数如表中所列，作为复合

……试找出图示电路中的接线错误，并加以改正，改正后A1所引的交流负反馈属哪种组态？

管的极限参数约等于多少？请填入表中。

…

线………ui=Uim

sin t

………

………

………封……7．判断图中给出的两种复合管的接法是否正确。若不正确，则改正其接法，画出正确的连接

……图。在改正的过程中，不能改变原晶体管的类型，并要求复合后等效为PNP型晶体管。

3．晶体管的ICBO是指________________极开路时，________________极与 ________________

……极间的反向饱和电流；ICEO是指________________极开路时，_______________极与……_________________极之间的穿透电流；ICEO大约为ICBO ________________倍。

……4．设VD1

、

VD2的正向压降为0.3V，试分析在不同的U1、U2组态下，VD1、VD2是导通还是

……密

截止，并求UO的值，把正确答案填入表内。

…VD1

……

U………U

2

……四、填空题 （10小题，共10分）

……

1．在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测

量图中各故障电路的集电极对地静态电压UC时，电压读数分别约为 ①__________V，②__________V，③__________V，④__________V。

试卷 第 5 页 （共 8 页）

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…

8．组成图示复合管的VT1和…5．图中 VT为小功率硅晶体管，当Rb不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状

…请填入表中。

…

…………………

……V…CC

…线…2

……

………9．晶体管的共射交流电流放大系数β定义为_________________与_________________之比，

……共基交流电流放大系数 定义为 ________________与________________之比。已知某晶体管…

的 ＝0.99，那么该管的β _________________。

………6．已知某晶体管的

PCM＝800mW，ICM＝500mA,，U(BR)CEO＝30V。若该管子在电路中工作10．在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表

封…电压UCE ＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA；若UCE＝1V，则IC不应超过……_______________mA。若管子的工作电流I测量图中各故障电路的集电极对地静态电压UC＝10mA，则工作电压UCE不应超过C时，电压读数分别约为 …_______________V；若IC＝200mA，则UCE不应超过_______________V。

①__________V， ②__________V， ③__________V， ④__________V。

………7．图中 VT为小功率锗晶体管当Rb不同时，VT可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状

12V

12V

+15V

…………C

CCC

…密………

……V…CC

……

……五、非客观题（7小题，共56分）

1．图示放大电路中，已知A为理想运算放大器，其它参数如图。

1．求输出电压uO；平衡电阻RP应选多大？

试卷 第 6 页 （共 8 页）

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…

………

…U…uI……uO

…

………5．放大电路和所使用的晶体管输出特性曲线如图所示，晶体管的

UBEQ＝0.6V，电容的容量

……足够大。

…1．估算电路静态时的IBQ；

线…( a )

( b )

2．图解确定电路静态时ICQ和UCEQ；

………2．设计下列运算电路：画出电路图，标明参数值。

3．图解确定此时的最大不失真输出电压幅值Uom；

…4．为获得尽可能大的不失真输出电压，Rb应取多大？（设饱和电压UCES＝0.5V)。

…1．用乘法器组成电路，实现…uO uI1 uI2 uI3运算。 …

……2．用乘法器和理想集成运放实现uuI1

…O

5u运算。 …I2

4

封……3．图示积分电路是用三只电容组成T型网络替代一个容量较小的单一积分电容，以得到较小

RL36k

2……的积分时间常数，并减小寄生分布电容引起的运算误差。已知A为理想运算放大器，电容C1…上的初始电压为零

。

…0

…1．电路的积分时间常数 ?

2

4

6

8

10

12

CE

……2．当输入电压为u…I＝1V直流电压，运放A的最大输出电压UOM 10V。在t＝0时接入uI，6．放大电路如图所示。若希望电路具有较低的输出电阻和较高的输入电阻。试问：

……问当输出电压

密uO＝U1．应该引入什么类型的反馈？反馈电阻Rf应接在哪两点之间（在图中画出）？ OM时，需经多长时间？

……2．若为深度负反馈，且要求闭环电压放大倍数Auo

uf

…u 10，则Rf的阻值应是多少？ …i

………u…I

…uO

…

4．现有一个理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为 12V。试用它和有关器件设计一

个电路，使之具有如图所示电压传输特性，要求只画出电路，不必计算参数。

试卷 第 7 页 （共 8 页）

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…………………R

………uI

…………EE

线……7．高速型集成运放CF715内部电路原理图如图所示。试回答：

……1．电容C1的作用。

……2．该电路中的电平移动电路由哪些元器件组成？该电平移动电路的作用是什么？

………+

………封………………O

………………密…………………………

试卷 第 8 页 （共 8 页）

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/21nm.html