MIC-设计资料(ECM)

THEORY AND MEASUREMENT TECHNIQUES FET ? CASE ? POLAR RING ? PET FILM ? SPACER ? BRASS COIL ? BACK PLATE ? BASE ? RING ? JFET ? PCB ELECTRET CONDENSER MICROPHONE UNIT

MANUFACTURING DEPARTMENT

Contents

■ 前言

■ 驻极体麦克风（Electret Condenser Microphone）

■ 驻极体麦克风之结构种类

一、 背极式（Back Type） 二、 振膜式（Foil Type） 三、 前极式（Front Type）

■ 麦克风之指向性

一、 全指向性（Omni directional） 二、 单指向性（Unidirectional） 三、 双指向性（Bi directional）

■ 微音器之名词

■ 微音器之基本动作原理 与 驱动原理

■ J-FET(Junction Field Effect Transistor) 接面型场效晶体管之动作原理

■ FET之驱动回路

■ 微音器的制造与量测

一、 极化工程 二、 组装工程 三、 封口工程 四、 量测工程

■ 前言

因信息、电子及通讯事业的蓬勃发展，彼此之间的相互结合下，现在的社会已由信息化提升至情报化。透过有线、无线的网络连结情报的搜集、交换及传递造就一个更活跃的信息情报化时代。

比如基本的视觉通讯传递或交谈时，传送影像与声音时就需要影像撷取设备及麦克风。而随着行动通讯的发展已成为个人随身数据器上，需利用声音相互通讯时，麦克风也是一项基本配备。

何谓麦克风？

麦克风(集音器)就是把音源发出的音转换成电气信号的转换器。基本原理为音波振动麦克风振动感应器时，在感应器的输出端会根据此振动的反应产生电气信号。

声音转换成电气信号的过程如下:

a. 由音源发出的声音，以空气为介质而传导。

b. 传导的音波会碰击麦克风的振动感应器使其振动。

c. 此振动会随音波传导的方向，沿着振动器轴心以前、后来振动。振动次数与振动距离

为音波的频率与波长。也就是声音的频率与大小成比例。

d. 振动感应器的振动次数与距离变化，是以不同之麦克风形式而转换成电气信号，并于

输出端输出。

麦克风信号

实际产生在麦克风输出的电气信号为数+mV(milli-voltage)的小信号。所以当用Receiver或是Speaker要来听这声音时，一定要用放大器〈扩大器〉来增幅才可听到声音。

麦克风原理

虽然麦克风的种类及用途很多，但大多是利用电容特性原理。主要例用电容特性之区分如下：

a. 开放性─利用外界输入高电压 b. 封闭性─内置高电压驻极体

麦克风的用途可分类为:

a. 测定用 – 是高灵敏度、高信赖性之麦克风 ； 适用于测定都市环境杂音及 家电产

品、汽车、产业、仪器设备等杂音的测定。

b. 音频用 – 是拥有高频率特性或指向特性及最大音压特性之麦克风 ； 适用于现场音乐、

演奏会及演讲方面。

c. 通讯及一般用 – 是比较低价位且便于装置在机器内部的小型麦克风 ； 适用于一般家

电及通讯方面。

d. 保全系统 – 因微型麦克风体积较小，在灵敏度又比一般为高。现有一些保全防盗系统

就依照此一特性作传感器。如：汽车防盗器，家用保全系统? 等。

而此份手册编订内容以介绍常驻电荷之驻极体电容式麦克风开始及应用、动作原理、零件特性及原理；至量测分析、制程掌控及研究开发要点?等。循序渐进期望能有完整麦克风数据。在内容理论以物理学为基本，电子学为辅；并将电声学以较简单白话的方式表现。

而要融会贯通不是记公式及原理，而是重点(Key point)掌握反复推敲；并整体连结相关影响因素检讨分析就能做到基本了解。要再进而到研究开发，则应用面、加工面及零件面均需再下苦心学习。而此部份则无实际整体之数据，必须多方涉猎及勤跑厂商方能更上层楼。

■ 驻极体电容式麦克风（Electret Condenser Microphone）

所谓的驻极体电容式麦克风；简称ECM，就是在高分子的薄膜上聚积电荷，使其成为半永久性或临时性的电极长驻之带电体（驻极体 Electrets）。利用PET薄膜与金属导电环(Polar Ring)所结合制作成的振动板（Diaphragm），中间以环状塑料绝缘造成极小的间隙并将驻极体与振动板间维持相互平行。而在此空隙间，就会形成一种静电电场，这种驻极体与振动板之间形成的电气静电容量，会随着音波振动的强弱产生距离变化，使它的电容量产生变化，构成电气讯号转换出来，使音波转换出电气信号。也就是说当音源由麦克风的音孔进入后，振动板（Diaphragm）就会随着进来的音波开始振动，而振动的振动膜越接近驻极体，静电的电荷量就会增大；相反的越远离驻极体，静电的电荷量就会减少。因此可知电荷量会产生变化，而随之此变化，也导致电压上也产生变化。而把此电压用JFET来放大，使外接电路可读取。以此原理制造应用支麦克风称为─驻极体电容式麦克风（Electret Condenser Microphone；ECM）。

■ 驻极体电容式麦克风之结构种类

本手册主要以长驻型驻极体电容式麦克风为主，属于无极性电容麦克风的一种；故不需由外部提供电源。而依它的驻极体于构造内位置及零件差异，可区分为以下三种类型：

一、背极式（Back Type）

FEP Film PET or PPS Film NI Coated Brass Plated AL or NI （背极板） （振动板）

背极板

绝缘片 极板排列图 振动板

特 性：为ECM中的最佳类型，电气性稳定度、信赖度高。 适用范围：Hand Free Phone（PCS、CDMA、GSM） 900MHz Cordless Phone Hand Free Ear Phone Hi-Fi Audio Recorder Cam coder CCD Camera

Sound Level Measuring Instruments

二、振膜式（Foil Type）

FEP Film

AL or NI （振动板）

背极板

绝缘片 极板排列图 振动板

特 性：为ECM中的最普遍适用的类型，生产性高、制造成本便宜。 适用范围：Key Phone Fax Phone

Car Hand Free Internet Microphone Cassette Recording Toy（Sound Sensor）

三、前极式（Front Type）

振动板

绝缘片 极板排列图 铝壳

特 性：为ECM中最先进的构造结构，可说是Back Type与Foil Type的混合类型，依设

计可小型化、节省制造成本。但耐久性与电气特性较弱。

适用范围：Key Phone Fax Phone Internet Phone

Toy（Sound Sensor）etc

■ 麦克风之指向性

所谓的指向性，就是把振动板的正面（垂直方向）定位为零，由前后、左右、360度于发声音源1KHz频率下测试各指定收音角度方向的指向灵敏度变化。指向特性是指向灵敏度对应于正弦波入射角变化的特性。麦克风的指向性可分类为全指向性（Omni directional）、单指向性（Unidirectional）、双指向性（Bi directional）。

Omni directional

Omni directional Microphone

为不管任何方向的声音，都以同等的方式接收。

Diaphragm

信号 与 P1 成正比（内部构造）

Unidirectional

Unidirectional Microphone 为当靠近音源位置时，比起Omni directional Microphone 的S/N比高的指向性麦克风。只在麦克风正面接收 音源的麦克风。

FELT

信号 与 P的变化量 与 角度 成正比（内部构造）

Noise Cancelling

NoiseCancelling Microphone

为一种靠近嘴边使用而制作的指向性麦克风。

指向图形像数字8，也另称谓Cosine或是Bi directional 麦克风。

大部分使用在Headset、Hand-held Microphone上。

信号 与 P的变化量 成正比（内部构造）

注：P为音压音场。

■ 微音器之名词

Polar pattern

Polar pattern

Polar pattern

灵敏度（Sensitivity）

当麦克风连接标准测试电路(2.2Ω，2V)有音压进入时，输出端显示有多少输出电压流出，就是所谓的麦克风的灵敏度。

灵敏度的表示虽然因它的规格而异，但在一般的情况下，都在使用JIS规格与BTS规格（台湾CNS）。在此些规格中，都是以麦克风在标称灵敏度下，基准点置于平面进行正弦波的定音压音场内的1点时，灵敏度是指于其输出端每0.1Pa的开路电压，而以dB表示（0 dB=1V/0.1Pa）。正弦波入射于麦克风的方向与其位准轴的方向一致时，称为正面灵敏度；频率1000Hz时的正面灵敏度称为标称灵敏度。而标记麦克风的灵敏度要注意的一点，就是依照表示的方法有所不同而会不同，也就是说音压与输出电压的值会不同的显示。

分贝（dB-Decibel）

声音的大小，决定于依空气振动产生的音波振幅大小而定。振幅越大听到的声音越大，振幅越小声音就越小。但是人耳所听到的声音有限，与物体现象声音的大小又有所差别。因此人听觉所能听到声音叫做音量，以物体来测定的声音之大小称做音压（Sound Pressure）。可是人耳听觉所听到的声音大小与以物体电气性质测定的音压是完全的不同，故要有一个横量标准单位，把音压的大小表示为人耳听觉的测定标准值，此单位就称作为dB-Decibel。所谓的dB也就是把此两种不同音差的物理性强弱，以绝对数（Logarithm）表示的比较值。

人耳可听的音压范围：约0~120dB

人听力可及的音域范围：约20~20,000Hz

当输入1Pa的音压给麦克风时，输出端如显示1V，灵敏度就是0 dB。因此比如输出端显示10mV时，由以下的公式可求出dB值。

20㏒Vo=20㏒10mV=20 x (-2)=-40dB（规定频率1KHz）“-40 dB/Pa at 1KHz” 0 dB=1V/Pa=1V/10ubar 1Pa =10ubar 1Pa =94dB SPL 1ubar =74dB SPL

开路输出电压（V）：麦克风输出端子开路时，该端子的输出电压。 音压灵敏度（V/Pa）：开路输出电压与平均作用于振动膜上音压之比值。 音压灵敏度位准（dB-Decibel）：音压灵敏度绝对值取常用对数之20倍。

音压位准SPL（Sound Pressure Level） SPL意为音压的音域，是测定“连续声音”强弱的单位。0dB为区分人可听到的声音的一个区分点，也就是说人最小可听值为0dB SPL。一个健康的青年，对1000Hz的声音隐约可听到的音压为0.002ubar（最小可听值），以此作为某一音压的位准时，SPL（dB）=20 log 10（P/0.002）。至于输出音压基准（Output Sound Pressure Level）是表示麦克风的功率值，也就是音响输入对电力输入的变换功率值，通常是取频率特性曲线上的4个点的平均值，作为输出音压基准。

实效频率：

就是频率响应，在电声气材上最常用的用语，反应器材显示各各频率 响应的有效范围。在器材的输入端连接振荡器，于输出端连接测定 器后，调节振荡器的频率从20Hz到20KHz，利用器材输出转换的 功能，测试对音色的特性。

电气阻抗（Ω）

加于麦克风端子之电压与电流之比值。此值因频率及加于振动膜上之音响负载而异。

输出阻抗（Output Impedance）

指麦克风于1000Hz时，从输出端看入内部的阻抗值。

低音谐振（Fo）

指每一个麦克风的频率响应曲线，从低音域开始的第一个高峰所在，称为低音谐振点（最低共振频率），也为划定麦克风之低音域所在界限的一个重要条件，也是振动板最强烈的振动所在。公差要求通常以麦克风的口径越大时越严格。口径越大，Fo也越低。另外要注意的两点为湿度与温度，因对Fo会产生影响。湿度越大Fo会低，湿度越小Fo会高，其间的差距约在6%~8%之间。而温度恰好相反，温度越高Fo会高，温度越低Fo会低，其间的差距约在3%~6%之间。通常对振动板的Fo测定，应在20℃相对湿度60%的条件下进行，以其求得振动板之Fo的正确值。最后会影响的因素为输入功率的大小，通常是在额定输入功率范围以内，输入功率如大时，低音谐振微许下降，但将输入功率增加到超过额定输入功率范围之外时，低音谐振反会增高。举例来说，8Ω10w的扬声器，标准测定的电压是√8Ω10w=8.9v，既以6v、7v、8v来测试时Fo会越来越低，到额定输入功率10w（8.9v）为止时Fo最低，但如已超过额定输入功率既以10v测试时，则Fo将会增高，其相差幅度通常是4%~6%。

阻尼系数（Qo）

阻尼系数也就是低音谐振的尖锐度，Qo可以改变低音特性的变化。所以在制造大口径的麦克风时，为一个重要的条件。

信号 对 杂音 比（Signal to Noise Ratio,dB）

于没有输入状态下，麦克风输出端显示的内部杂音感度，与输入1Pa的SPL时，在输出端显示的灵敏度之差比。

S/N ratio[dB]= 20㏒(Vs/Vn)[V]= 20㏒Vs[V]- 20㏒Vn[V]=S[dB]-N[dB]

■ 微音器之基本动作原理 与 驱动原理

下图为无极性电容麦克风的静电界分析及基本动作原理。一定的面积和一定的电荷量上，距离d变化时，可预测电压的变化。以公式可表示为：

△V=E˙△d=(△d˙Q)/(e˙S)= (△d˙Q)/(e˙π˙r2)[V]

无极性电容麦克风不必由外部供给电源，因在B.P上可存蓄阴电荷来驱动，空气流电率e和面积S为规定定数，存蓄在B.P上的阴电荷量-Q是增减电压△V数变化的比例定数。因此Q在无极性电容麦克风上来说，对保持信赖性方面，可说是重要的因素。

而它的驱动原理是依赖FET的动作原理与驱动回路来完成性能。实际产生在麦克风输出端上的电气信号为数+mV(Milli-Voltage)的小信号。所以当要用Receiver或是Speaker来听这些声音时，一定要用扩大器来放大，才可听的到声音。因电容式麦克风的静电容量值很小，电气的耗电流量为大，故不可直接使用于一般的放大器。为符合放大器所要求的输入耗电流量，必须要接合FET，使电流量转换成素子来使用。FET(Field Effect Transistor)为一种电界效果，Transistor以Source、Gate、Drain三个闸点所构成。依Gate的电位变化改变Drain与Source之间所流的电流值。如下图构成ECMs的基本动作回路图，可知随音波怎样得到电气信号。 ■ J-FET(Junction Field Effect Transistor) 接面型场效晶体管之动作原理 FET之种类；依照场效应晶体管的构造来分，目前所常用的FET有下列三种：

1. 接面型场效晶体管(Junction FET)，简称JFET。为电压型，适用于扩大及开关，有小信号及

Power用。

2. 金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FET)，简称 MOSFET。

2-1) 空乏型MOSFET [Depletion-Type MOSFET]

特性比JFET向上，适合AGC扩大用。

2-2) 增加型MOSFET [Enhancement-Type MOSFET]

构成Chip回路时，占用面积及消费电力小。Digital回路；也就是

说适合于MOS-LSI , Microprocessor , RAM等。

3. 互补式金氧半场效晶体管(Complementary MOSFET)，简称CMOS。

以上为FET分类的概略，于其中J-FET最为适用于ECMs，故在此对J-FET再做进一步的解释。

FET之基本构造；FET是一种三端点的装置，它包含了一个基本的P-N接面，如下图为N信道JFET的构造图，上端称为泄极(Drain)，下端称为源极(Source)，泄极和源极之间的半导体称为信道，因为信道通常采用N型材料，故其多数载子为传导带中的电子。两旁的P型区在内部互相接通称为闸极(Gate)。N信道JFET的符号，依闸极箭头的方向即可判断出闸极是用P型材料，而通道是用N型材料所制成的。另有用导线引出两个闸极的，称为双闸极FET，用在混波器中。 我们可以依据下列原则来判断FET的结构：符号中\｜\代表闸极侧，一般箭头恒指向P型区域，若闸极不是P型材料，则箭头向外指，上图中因箭头指向闸极，故知此符号为N信道，下图中箭头外指，故知此闸极不是P型材料，而是N材料，故信道是P信道。P信道JFET的结构图与符号，因为其闸极为N型区，故闸极的箭头方向就是指向外面。

由上述可知，FET是一种单载子组件，它的传导电流，不是靠电子，就是靠电洞视通道之型别而定，与晶体管同时靠电子与电洞来传导电流是不同的。所以JFET是利用输入电压来控制信道电流的半导体组件。

在此我们要注意的一点是JFET的偏压，正电压VDS接到泄极，负极接到源极，而闸极－源极之间所接的则是逆向偏压。由于闸源极间逆向偏压的关系，故闸极只流过小的漏电流，这表示了闸极间有大的输入阻抗，另外，在P型区附近会产生空乏区。此空乏区的形成减小了通道的宽度，也使得泄极到源极的电流ID减小。若是逆向偏压越大，则空乏区越大，通道宽度更为狭窄，ID的量也就越小。由此可知，闸极电压能决定泄极和源极间的总电流量，此种作用使得JFET像一电压控制装置。下图为逆流的Diode，而在此p型半导体的阳孔会以电池的阴极方向流动，n型半导体的电子会以电池的阳极方向流动。这会形成在没有自由电荷(阳孔、电子)空间上L的中间地带，此地带称之为空乏区(Deflection Region)。空乏区随着逆方向电压之增加程度，会从接面越远，L的分离效果也随之增加。

以下为JFET电压与电流的特性：

因根据Vds与Vpo的变化条件，会影响到JFET内的空乏区接面的大小。 Ids的增加比率与Vds的增加量成反比。

Ids为Drain电流；Vds为Drain电压；Vpo我们称为夹止电压(Pinch off Voltage)。

Vds

随Vds增加的程度通道会缩小， 空乏区增大。

Vds=Vpo时

空乏区充满信道，信道被夹止。 这是因为在D与S之间的连接 通道被夹断了。

Vds>Vpo时

空乏区充满通道厚度增宽。 但本质上Vpo还存在，故电流 Ids因Vpo的增加，会以常数存 在，被称为饱和。

因此我们知道Ids是随Vds向着Vpo增加时，会急速的增加。Vpo以后的电流会形成Ipo的水平状态后再慢慢会增加。

而当Vds与Bvdso(Breakdown电压)相等时，会产生崩溃( Avalanche Breakdown)，电流又会开始急速的增加。

如果假设Vds固定使Vgs变化，再把G与S之间的电压逆向的PN接面，转向逆流的话，G与S之间的空乏区就会增加。这是因信道阻抗的增加，使通道的宽度缩小，因此电流Ids减小。而如果增加顺流的Vgs，到空乏区缩小为止的话，通道会打开，G与S会成为顺流的PN接面，电流会从G流向S。

n-Type JFET一般以G与S之间的电位在阴极，不然G与S之间的电流为可忽略的少量电位而动作。简单的来说，也就是Gate的电压变化可改变信道的宽度与信道阻抗值；也可以说是改变从D流向S的电流Ids。所以FET为以Gate电压变化来改变Drain电流的电压感应素子，相反的JFET为电流感应素子。

■ FET之驱动回路

FET的驱动回路基本上可分类为三种：

FET的驱动回路：1.COMMON-SOURCE VOLTAGE AMPLIFIER 2.COMMON-DRAIN VOLTAGE AMPLIFIER

3.COMMON-GATE VOLTAGE AMPLIFIER

最近似ECMs标准驱动回路的为Common-Source Voltage Amplifier及偶尔会使用的Source Follow(Common-drain amplifier)两种驱动回路。

而对FET的媒介变量Parameters，可以小信号等价回路来间单记述：

FET的小信号等价回路(Small-signal equivalent circuit)

在FET小信号等价回路中， h Parameters 如右图(a)所示，于Common-Source放大器 上Gate的输入在低频或中频显现为Open 回路。因此hi为无限，h Parameters成Open 的状态。更把从输出到输入的馈还量忽略， 故hr≒0

只是输出回路的h Parameters在此频率区里， 记印FET的特性。为了记述FET所需要的 Parameters，也就是所谓相互连接的gm与 Drain与Source之间的输出阻抗rds。

■ 微音器的制造与量测

制造麦克风的过程可分为极化、组装、封口、量测四大步骤。而零件的大小规格设计及机具设备、各零件材质之选择为决定产品质量的重要因素。

极化工程

定义：以直流高压放电的方式，使背极板上带有静电的负电荷，以达到所要求的灵敏度标准

范围。

根据此种极化方法，可构成使FET可动作的因素。背极板FEP表面所带的阴 电荷量，对麦克风的性能(对决定音波的电气信号之输出频率感度)为非常重要 的控管因素。而带电量虽然可依极化的电压、TIP高与时间来调整，但随环境 的温、湿度条件，极化的条件会有所变化，故最好的理想条件为真空状态。

10MΩ

H.V Electron BackPlate Base

Metal Plate Panel Back Plate 之对应方法

极化时首先要决定所要求的收率（一般微音器的收率规格为 ±3dB以内），预估能否达到所要求的灵敏度范围之内。

收率：0~36~70dB

要求收率：中心灵敏度 ±3dB

正比例：电荷量10~15V的调整比例相近1dB左右

组装工程

定义：按顺序一步一步组合零件，完成产品的内部结构条件。

所备零件及说明： 1 2 3 4 5 6 CASE DP SPACER B/ASS’Y RING PCB 铝壳 振动板 绝缘片 背极板 铜环 空基板 容纳2~6零PET or PPS PET Film冲在镀镍的黄为镀金冲压麦克风的顶件的空壳， Film振动膜压成型打造铜板上黏着成型的黄铜,盖，结合FET组装后紧压及不锈钢圆的电气绝缘FEP Film的主要扮演传及电容，主要密封防止异环POLAR 体. B/P与内部导作用的角功能为输出物质或电气RING的组合支柱物BASE色. 功能 杂音的流入 体 的组合体

FET

封口工程

定义：防止内部零件结构松弛的紧密度及隔绝收到外部异物、杂音的影响。

封口条件及检查点

封口的先决条件就是不可有空隙，一定要密封，但都不可有外观与变形的现象。而检查项目会依机种而不同，因此检查项目相当重要，以下为各机种的封口条件： 机种（Tpye） 检查项目 同心圆（Contact） 封口高度 中心高度 外围高度 PCB平坦度 X X X 锡点 （Terminal） 封口高度 针点 （Pin） 封口高度 中心高度 外围高度 PCB平坦度 封口高度：从铝壳最底部到封口后的最高点，误差容许范围 ±0.02mm。 中心高度：从铝壳最底部到空基板的中心点。 加工高度：封口高度减中心高度。

外围高度：从铝壳最底部到空基板与铝壳封口面的连接点。 平坦度偏差：空基板的平衡度。

A部分的面积要大于B部分面积的三分之一以上。

量测工程

定义：测定产品的灵敏度及各频率的响应特性，是否符合所定的规格范围。

量测麦克风需要有精密的测试仪器设备及测试环境。目前一般电声业界都以无响室与B&K作为一个公认量测电声产品仪器的标准。而测定的设定方法与条件可为最基本的测试认知。基本设定条件：

◎ 测定音压：SPL=1Pa(94dB) ◎ 测定距离：50Cm ◎ 测定高度：1M

◎ 测定频率（输出音压）：50 – 15KHz(随无响室及标准Speaker条件而定) ◎ 麦克风灵敏度dB Ref：1V/Pa

灵敏度测试的设定 频率响应特性的测试设定 最大输出音压音域（Max Input Sound Pressure Level）的测试设定 信号对杂音比（Signal to Noise Ratio）的测试设定 指向特性（Directivity）的测试设定

灵敏度变化特性（Sensitivity Reduction）分析与测试设定

由前述所知，因ECM的电气特性，灵敏度会随着供给的电源VDS及阻抗RL而产生变化。（VDS及RL增加时灵敏度会随之增加） 测试方法为：

1.固定一设定值S/W1，转换调整S/W2，测出每一个电压的不同dB值数据。 2.固定一设定值S/W2，转换调整S/W2，测出每一个阻抗的不同dB值数据。

TABLE (A) VDS-SENS RL=2KΩ VDS[V] 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 SENS[dB] -40.8 -38.4 -37.8 -37.3 -37.1 DIFF[dB] 2.4 0.6 0.5 0.2

TABLE (B) RL-SENS VDS=4.5V 0.5 1.0 2.0 4.0 8.0 RL[KΩ] SENS[dB] -51.9 -46.6 -41.5 -36.8 -34.1 DIFF[dB] 5.3 5.1 4.7 2.7

S1(V3.0/1.5)≒3dB 43dB S2(RL2.0KΩ/1.0KΩ)≒5dB 45dB

简易的灵敏度测试方法

简易的灵敏度测试方法，是利用可以设定音压的标准麦克风来设定一个标准音压后的一种测试方法。它的构成图如下：

简易的灵敏度测试，需要一组在标准测试环境及设备下测试的标准麦克风，来设定一个标准音压后，才可实行测定筛选。而此标准件则需要一定的规格，以下为标准件的规格条件：

标准件测试条件：1.质量与电气特性要稳定。

2.对恒温（20℃ ±2℃）恒湿（65% ±20%）的变化对应，

SENS、L.F、H.F之特性变化要在 ±0.1dB以内

3.在标准环境下测试1~4次时，总变化值要在 ±0.3dB以内， 每单次误差不可超过 ±0.1dB以上。

4.要为同一制程下各机种的中心感度麦克风。

5.要满足以下频率的范围内：SENS/中心感度值 ±0.1dB以内 L.F / ±1.0dB以内 H.F / -2~ +3 dB以内

标准件设定规格：1.灵敏度（1KHz）：依在标准环境下测试的基准值。 2.L.F（200Hz）：±1.5dB 3.H.F（5KHz）：-3 ~ +4 dB（Back Type） -0.5 ~ +9 dB（Foil Type） 4.电流值（Current）：Max 480uA（可依要求而变更）

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/1ikf.html