《模拟电子技术基础》胡宴如 课后答案

第1章 半导体二极管及其电路分析

`

1．1 某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为0.1pA，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V之间变化时，二极管电流的变化范围。 解：由于 iD=IS(e

uDUT

1)

由题意知IS=0.1pA，室温下UT≈26mV，故当UD=0.5V时，得

iD=0.1×10

当UD=0.7V时，得

－12

×（e

50026

1）A≈22.5μA

iD=0.1×10

12

×(e

70026

1)A≈49.3mA

因此UD在0.5~0.7V之间变化时，iD在22.5μA~49.3mA之间变化。

1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压UD(on) =0.7V，试分别求出R为1kΩ、4kΩ时，电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO。 （1）R=1kΩ 解：

假设二极管断开，可求得输出电压

'UO=

9×1

V= 4.5V 1+1

可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V，所以，二极管处于导通状态，故

UO=( 3 0.7)V= 3.7V

3.7 ( 9)

I2=mA=5.3mA

1

I1=IO+I2=( 3.7+5.3)mA=1.6mA

（2）R=4kΩ

假设二极管断开，可求得输出电压

'UO=

IO=UO/RL=( 3.7/1)mA= 3.7mA

9×1

V= 1.8V 4+1

可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以

1

I1=0

'

UO=UO= 1.8V

IO=UO/RL=( 1.8/1)mA= 1.8mAI2= Io=1.8mA

1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO。

解：图（a）中，断开二极管V1、V2时，可得V1、V2正极电位均为10V，而V1、V2的负极电位分别为0V和－6V，因此V2的正偏电压大于V1的，V2优先导通，使UAO=－6V。这样就迫使V1反偏截止。

图（b）中，断开管V1、V2时，V1、V2负极电位均为10V，而正极电位分别为0V、－6V，因此V1、V2均反偏截止，UAO=10V

图（c）中，断开管V1、V2，则V1、V2负极电位为－10V，正极电位分别为0V、－6V，故V1优先导通，使UAO=0，迫使V2反偏截止。

图（d）中，断开管V1、V2，则V1、V2负极电位为－5V，正极电位分别为0V、+5V，设V2优先导通，则

2

UA=5V

3

×[5V ( 5V)]= 1V 3+2

这样V1的负极电位为－1V，正极电位为0V，V1也正偏导通。V1导通后使UAO=UA=0，此时V2仍正偏导通。

1.4 二极管电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD(on)=0.7V, UI=6V试求电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO。

解：由图可见，图中三个二极管均加正向电压而导通，所以

UO=3UD(on)=3×

0.7V=2.1V

IO=UO/RL=2.1V/1kΩ=2.1mA 故

I1=（6－2.1）V/560Ω=7mA I2= I1－IO=7mA－2.1mA=4.9mA 1．5 图P1.4所示电路中，当UI=±1V时，试分析UO的变化范围。

解：当UI在6V上有±1V的波动时，可视为与6V恒压源串接了一个变化范围为±1V的信号源，图P1.4的小信号等效电路如图解P1.5所示。图中△UI=±1V，二极管动态电阻为

rd=

UT

ID

由题1.4已求得UI=6V时，ID=4.9mA，故rd=

26mV

≈5.31Ω

4.9mA

由图解P1.5得 ΔUO=由于3rd≈15.9Ω<< RL=1kΩ，故

RL//3rd

ΔUI

R+RL//3rd

ΔUO≈

15.9

×(±1V)≈±27.6mV

560+15.9

由题1.4 已求得UO=2.1V，故当UI=6±1V时，UO的变化范围为2.1V±27.6mV。

3

设二极管具有1.6 二极管电路如图P1.6所示，理想特性, ui=5sinωt(V)，试画出uo波形。 解：（a）图P1.6(a)中，在ui正半周，理想二极在ui负半周，理想二极管截止，uo=0，管导通，uo=ui； 故可对应输入波形画出uo波形如图解P1.6(a)所示。

i

通，uo=0

，在ui负半周，二极管截止，uo=ui，故得uo波形如图解P1.6(b)所示。

1．7 在图P1.7所示电路中，设ui=10sinωt(V)，且二极管具有理想特性，当开关S闭合和断开时，试对应输入波形画出uo波形。

oiωt(V);S合上时，在ui正半周，二极管截止，uo= 5sinωt(V)；在ui负半周，二极管导通，uo=0V。

故可画出输出电压波形如图解P1.7所示。

1．8 图P1.8所示电路中，设ui=1.5sinωt(V)，二极管具有理想特性，试分别画出开关S处于A、B、C时，输出电压uo的波形。

解：当S处于A时，理想二极管V导通，uo=（3+1.5sinωt）V。

4

当S处于B时，V截止，uo=0。 当S处于C时，在ui正半周，V导通。 uo=1.5sinωt(V)；在ui负半周，V截止，uo=0。故得上述3种情况下uo波形如图解P1.8所示。

1．9 图P1.9所示电路中， V1，V2为硅二极管，V3为锗二极管，试画出各电路的电压传输特性，并画出各电路在相应输入电压作用下的输出电压波形。

解：（a） 由图（a）可知，当－3V<ui<3V时，V1、V2均截止，uo= ui；当ui >3V时，V1导通，V2截止，uo=3V，当u2<－3V时，V1截止，V2导通，uo=－3V。故可画出图（a）电路的电压传输特性和uo波形分别如图解P1.9(a)所示。

uo=3V；V3导通，uo=(UI+0.2)V。（b）可知，当UI>2.8V时，V3截止，当UI<2.8V时，（b） 由图

5

故得电压传输特性和uo波形如图解P1.9因此当UI=5V时，uo=3V；当UI=0V时，uo=0.2V。（b）所示。

1.10 二极管电路及二极管伏安特性曲线如图P1.10所示，R分别2kΩ、500Ω，用图解法求ID、UD。

（1）R=2k

解：

二极管的直流负载方程为

uD=2－2×103iD

故可得直流负载线的纵、横截点分别为 、M（2V,0mA）。连接N1、MN1（0V，1mA）

可得该直流负载线，它与二极管伏安特性曲线的交点为Q1，故 ID =0.7mA，UD =0.55V （0.55V,0.7mA）

(2) R=500Ω时

，故ID=2.7mA,UD=0.7V。 同理可求得直流工作点为Q2（0.7V,2.7mA）

6

1．11 图P1.11所示电路中，设二极管导通电压UD(on) =0.7V, ui=5sinωt(mV),C对交流信号的容抗近似为零，试求二极管两端的电压uD和流过二极管的电流iD。

解：（1）求静态量UDQ、IDQ

画出图P1.11电路的直流通路如图解P1.11（ a）所示，

图可知静态时二极管正偏导通，UDQ=0.7V，故

IDQ=

5

0.

7

mA=1.72mA 2.5

（2）求动态量ud、id

画出图P1.11电路的小信号等效电路如图解P1.11（b）所示。由该图得

ud=ui=5sinωt(mV) 由于rd=

26mA26

=Ω≈15.1Ω

IDQ(mA)1.72

故id=

ud5

sinωt(mA)≈0.33Sinωt(mA) =

rd15.1

（3）求总量uD、iD

UD = UDQ + ud =(0.7+0.005sinωt)V iD = i

DQ +id =(1.72+0.33sinωt)mA

1．12 图P1.12所示电路中，稳压管V1、V2的稳定电压 分别为UZ1=8.5V、UZ2=6V，试求A、

B两端的电压U

AB。

解：V2均处于稳压状态，由图P1.12可知，V1、故UAB= UZ1

－UZ2=8.5V－6V=2.5V

1．13 稳压电路如图P1.13所示，UI=10V，稳压管参数（１）稳压管的工为UZ=6V，IZ=10mA，IZＭ＝30mA，试求：

作电流IDZ

和耗散功率；（2）限流电阻R所消耗的功率。

解： （1） 设稳压管已稳压工作，则由图P1.13可得

IDZ=IR IRL=(=0.02A=20mA

10 66

A100300

7

由于IZ< IDZ< IZM，故电路中的稳压管确实处于稳压状态，且能安全工作。 稳压管管耗为

PZ= IDZ UZ=20×6（mW）=120

mW

2UR(10 6)2

=W=0.16W=160mW （2）PR=R100

1.14 试求图P1.13所示电路安全稳压工作所充许的输入电压UI变化范围。

解：为了保证图P1.13所示电路既能稳压又能安全工作，当UI变大时，相应的IDZ应不超过IZM=30mA，UI变小时，相应的IDZ应不低于IZ =10mA，故可得

UImax 66

=30×10 3

100300 UImin 66

=10×10 3

100300

由此可求得

UImin =9V，即允许的UI变化范围为10V±1V。 1．15 稳压管稳压电路如图P1.15所示，稳压管的参数为UZ =6V，IZ =5mA，PZM=250mW,输入电压UI =20V，试分（2）当RL开路、UI增加10%时，稳压析：（1）求UO、IDZ；管是否能安全工作？（3）当UI减小10%，RL=1kΩ时，稳压管是否工作在稳压状态？

（1）设稳压管已稳压工作，则由图可得 解：

IDZ=(

由于IZ =5mA,而

20 66

mA=8mA 11

IZM=

PZM250mW==42mA UZ6V

故IZ＜IDZ＜IZM,稳压管能安全稳压工作，UO= UZ=6V，IDZ =8mA。

（2）当RL开路、UI=20×(1+10%)=22V时

IDZ=

22 6

mA=16mA＜IZM,故稳压管仍能安全工作。 1

18 66

)mA=6mA>IZ ,故稳压管仍能工作在稳压状态。 11

（3）当RL=1kΩ, UI=20×(1－10%)=18V时

IDZ=(

1．16 图P1.16所示电路中，ui=10sinωt(V)，稳压管参数为UZ1=UZ2=5V，UD(on)=0.7V

8

试画uO波形。

ωt

解：由图可知，当uI>5.7V时，V1正偏导通，V2稳压工作，uO=0.7V+5V=5.7V； V1稳压工作，V2正偏导通，uO=－5V－0.7V=－5.7V；当UI<－5.7V时，当-5.7V<uI<5.7V时，V1、V2均截止，uO=UI，故得uO

波形如图解P1.16所示。

1.17设计一稳压管稳压电路，要求输出电压为5V，负载电流允许范围为0~10mA，已知输入直流电压为9V，其变化范围不超过±10%，试画出电路，确定稳压管型号、限流电阻的阻值及功率。

解：可采用图解

P1.17所示电路 由于UO=5V，UO=Uz，故选择UZ=5V

为了能实现稳压，稳压管的稳压电流变化范围应大于IO的由于IO变化范围为0~10mA，变化范围，故要求IZM－IZ≥IOmax

查手册知稳压管2CW53的主要参数为UZ=4~5.8V，IZ=10mA，IZM=41Ma,能满足要求，故可选用UZ=5V的2CW53。

为使电路能安全地稳压工作，限流电阻R值应满足：

Rmin=Rmax=

UImax UZ9.9 5

Ω≈120Ω= 3

IZM+IOmin41×10UImin UZ8.1 5

=Ω≈155Ω 3

IZ+IOmax(10+10)×10

可选择R=130Ω，该电阻工作时的最大耗散功率为：

PRmax

(UImax UZ)2(9.9 5)2===0.185W

130R

1

2

为安全可靠起见，可选用130Ω、W的电阻。

9

第2章 半导体三极管及其电路分析

2.1 图P2.1所示电路中的三极管为硅管，试判断其工作状态。

解：（a）UBE=0.7－0V=0.7V，UBC=0.7V－3V<0，故该NPN管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。

（b）UBE=2V－3V<0，UBC=2V－5V<0，故该NPN管发射结与集电结均反偏，工作在截止状态。

（c）UBE=3V－2.3V=0.7V，UBC=3V－2.6=0.4V，故该NPN管发射结与集电结均正偏，工作在饱和状态。

（d）UBE=－2.7V－（－2V）=－0.7V，UBC=－2.7－(－5V)>0，故该PNP管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。

（e）UBE=－3.7V－（－5V）>0，UBC=－3.7V－（－3V）=－0.7V， 故该PNP管发射结反偏，集电结正偏，工作在倒置状态。

2.2 放大电路中某三极管三个管脚电位分别为3.5V、2.8V、5V，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？

解：三极管工作在放大区时，UB值必介于UC和UE之间，故3.5V对应的管脚为基极，

UB=3.5V，放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V，对锗管则为0.2V。

由于3.5V－2.8=0.7V，故2.8V对应管脚为发射极，且由UBE=0.7V可知是NPN硅管。显然剩下UE=2.8V，

的5V所对应的管脚为集电极。

2.3 对图P2.3所示各三极管，试判别其三个电 极，并说明它是NPN管还是PNP管，估算其β值。

11

（a）因为iB<iC<iE，故①、②、③脚分别为集电极、发射极和基极。由电流流向可解：

知是NPN管：

β≈

iC1.96mA

==49 iB0.04mA

（b）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP管

β≈

iC1mA==100 iB0.01mA

2.4 图P2.4所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。

（a）IB=

解：

6V≈0.1mA

51kΩ

设三极管工作在放大状态，则 IC=βIB=100×0.1=10mA

UCE=16V－10mA×1kΩ=6V

由于UCE=6V>UCE=0.3V，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，IB=0.1mA，IC=10 mA，

12

UCE=6V。

（b）IB=

(5 0.7)V

=0.077mA

56kΩ

设三极管工作在放大状态，则得

IC=βIB=100×0.077=7.7mA

则

UCE=5V－7.7mA×3kΩ=5V－23.1V<0

说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为

IVCC UCES5V

C=ICS=

R=3kΩ

=1.57mA

C因此三极管的IB=0.077mA，IC=1.57mA，UCE=UCES≈0.3V

（c）发射结零偏置，故三极管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。

（d）用戴维南定理将电路等效为图解P2.4所示 图中 RB=20kΩ//8.2kΩ=5.8kΩ

V2

BB=

8.20+8.2

×12V=3.49V

设三极管工作于放大状态，则由图解P2.4可得

IVBB UBE(on)3.49 B=

R+(1+β)R=0.7

mA=0.026mA

BE5.8+101×1

IC=βIB=100×0.026mA=2.6mA UCE=12V－2×2.6V－1×2.6V=4.2V

由于UCE>0.3V，可见上述假设及其结论都是正确的

（e）设三极管放大工作，则由图可得

10V=[（IB+100IB）×5.1×103+IB×300×103+0.7]V

故 I10 0.7

B=

101×5.1+300

mA≈0.0114mA=11.4μA

IC=βIB=1.14mA

UCE≈[10－1.14×5.1]V=4.19V

由于UCE>0.3，故上述假设及其结论都是正确的。

2.5 图P2.5所示电路中三极管均为硅管，β很大，试求各电路IC、UCE、UO。解：（a）由图可见，发射结正偏导通，故UBE≈0.7V，可得

13

IC≈

图P2.5

6 0.7

mA ≈1.77mA 3

UO=UC=10V－1.77×5.1V=0.97V UCE=UC－UE=0.97V－(－0.7V)=1.67V （b）由图可得

UE=2V+0.7V=2.7V IC≈IE=

10 2.7

mA=1.43mA 5.1

UO=UC=(3×1.43－6)V=－1.71V UCE=UC－UE=－1.71V－2.7V=－4.41V

(c)由图可得

UE=－0.7V IC≈IE=

5 0.7

mA=1mA 4.3

UO=UC=(15－1×7.5)V=7.5V

UCE=UC－UE=7.5V－（－0.7V）=8.2V

14

（d）由图可见，V1、V2电压降之和等于UBE和RE上的压降之和，故

UE=（－10+0.7）V=－9.3V IC≈IE=

0.7

A=2.33mA 300

UO=UC=(0－2.33×3)V=－7V UCE=UC－UE=－7V－(－9.3V)=2.3V

（e）由于该电路由左右完全对称的两半边电路构成，故两半边电路中的对应电流、电压是相同的。由图可得

IC≈IE=

2mA

=1mA 2

UO=UC2=(10－4.3×1)V=5.7V UCE=UC－UE=5.7V－(－0.7V)=6.4V

2.6图P2.6（a）所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图P2.6（b）所示，设UBEQ=0，当RB分别为300kΩ、150kΩ时，试用图解法求IC、UCE。

（1）在输出回路中作直流负载线 解：

令iC=0，则uCE=12V，得点M（12V，0mA）；令uCE=0，则iC=12V/3kΩ=4mA，得点N（0V，4mA），连接点M、N得直流负载线，如图解

P2.6所示。

15

（2）估算IBQ，得出直流工作点 当RB=300kΩ，可得IBQ1=

VCC12V

=40μA =

RB300kΩ

当RB=150kΩ，可得IBQ2=

VCC12V

=80μA =

RB150kΩ

由图解Ｐ２.6可见，IB=IBQ1=40μA和IB=IBQ2=80μA所对应的输出特性曲线，与直流

负载线MN分别相交于Q1点和Q2点。

（3）求IC、UCE

由图解P2.6中Q1点分别向横轴和纵轴作垂线，即可得：UCEQ1=6V，ICQ1=2mA 同理，由Q2点可得UCEQ2=0.9V，ICQ2=3.7mA。 2.7图P2.7所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，us=10sinωt(mV)，三极管参数为β（1）计算静=80，UBE（ON）=0.7V，rbb′=200Ω，试分析：

态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。

（1）计算电路的静态工作点 解：

IBQ=

VCC UBE(on)

RB

=

12V 0.7V

=0.024mA=24μA

470kΩ

ICQ=βIBQ=80×0.024mA=1.92mA

UCEQ=VCC－ICQRC=12V－1.92mA×3.9kΩ=4.51V

（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7（a）、（b）所示 （3）动态分析，求交流量ube、ib、ic、uc由于IEQ≈1.92mA，故可求得

16

rbe=rbb'+(1+β)由解图P2.7（b）可得

26mV26

≈200Ω+(1+80)Ω≈1.3kΩ

IEQ(mA)1.92

ube=

RB//rbe470kΩ//1.3kΩus=×10sinωt(mV)

RB//rbe+RS470kΩ//1.3kΩ+3.3kΩ

≈2.83sinωt(mV)ib=

ube2.83sinωt

μA≈2.18sinωt(μA)=

rbe1.3

ic=βib=80×2.18sinωt(μA) ≈0.17sinωt(mA) uce=－icRc=－3.9×0.17sinωt(v) ≈－0.66sinωt(V) （4）求合成电压和电流

uBE=UBEQ+ube=（0.7+0.00283sinωt）V iB=IBQ+ib=(24+2.18sinωt) μA

iC=ICQ+ic=(1.92+0.17sinωt)mA uCE=UCEQ+uce=(4.51－0.66sinωt)V

2.8图P2.8所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，ui=10sinωt(mV)，三极管参数为α=0.98,UBE(on)= －0.3V，rbb′=200Ω，

（2（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。

解：（1）计算静态工作点 IBQ=

VCC UEBQ

RB

=

10V 0.3V

≈0.021mA=21μA

470kΩ

β=

α0.98

==49 1 α1 0.98

ICQ=βIBQ=49×0.021mA=1.03mA

UCEQ=－VCC+ICQRC=(－10+1.03×2)V=－7.94V

（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.8(a)、(b)所示 （3）计算交流量ube、ib、ic、uce因为

17

rbe=rbb'+(1+β)

故由图解P2.8（b）可得

26mV26

=200Ω+(1+49)×Ω≈1.46kΩ

IEQ(mA)1.03

ube=ui=10sinωt(mV)

ib=

ube10sinωt

μA≈6.85sinωt（μA） =

rbe1.46

ic=βib=49×6.85sinωt(μA) ≈0.34sinωt(mA) uce=－iCRC=－2×0.34sinωt(V)= －0.68sinω

t(V)

(4)求合成电压、电流

uBE=UBEQ+ube=（－0.3+0.01sinωt）V 比较图P2.8和图解P2.8（b）中电流IB、IC的方向可得

iB=IBQ－ib=(21－6.85sinωt) μA

iC=ICQ－ic=(1.03－0.34sinωt)mA uCE=UCEQ+uce=(－7.94－0.68sinωt)V

2.9用示波器观测图P2.9（a）所示电路的uo波形。（1）若uo波形如图P2.9（b）所示，试问这是何种失真？如何调节RB的移动触点才能消除之？（2）若uo波形如图P2.9(c)所示，

则又为何种失真？如何调节RB的移动触点来消除之？（3）若uo波形如图P2.9（d）所示，

试分析失真原因，指出消除失真的措施。

18

解：图P2.9（a）所示电路为NPN管组成的共发射极放大电路，uo=uce。

（1）图P2.9（b）所示uo波形出现顶部削波失真，是由于Q点太低，NPN管工作进入截止区所引起的截止失真，如图解P2.9（a）所示，将RB触点下移可减小RB，增大ICQ，从而

消除截止失真。

（2）图P2.9（b）所示uo波形出现底部削波失真，是由于Q点太高，NPN管工作进入饱和区所引起的饱和失真，如图解P2.9（b）所示。将RB触点上移，可减小ICQ，从而消除饱

和失真。

（3）图P2.9（c）所示uo波形既有顶部削波失真，又有底部削波失真，这是由于输入信号过大，使NPN管工作进入截止区和饱和区所引起的失真，如图解P2.9（c）所示。减小输入信号，使NPN管始终工作于放大区，就可消除这种失真。

2.10图P2.10所示三极管“非门”电路中，三极管的β值最小应为多大，才能使“非门”正常工作？

解：当输入高电平时，三极管应饱和；输入低电平时，三极管应截止，这样才能使“非门”正常工作。

由图P2.10可见，uI=0V时，发射结反偏，三极管截止。当uI=5V时，三极管导通，可求得

IB=[

5 0.70.7 ( 12)

]mA

4.320

=0.365mA

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为使三极管饱和，应满足

βIB≥ICS≈

12V

=12 mA 1kΩ

故得

β≥

12

≈33 0.365

即β的最小值约为33。

2.11 场效应管的转移特性曲线如图P2.11所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。

解：（a）由于uGS可为正、负、零、故为耗尽型MOS管；由于uGS（off）=－8<0，故为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如图解P2.11（a）所示。由图P2.11(a)可得IDSS=4mA。

（b）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.11（b）所示。由图P2.11（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。

（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P2.11（c）所示。由图P2.11（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA.

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（d）由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.11（d）所示，由图P2.11（c）可得UGS(th)=1V。

2.12场效应管的输出特性曲线如图P2.12所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。

解：（a）由于uGS可为正、负、零，UGS（off）=－1.5V，故为耗尽型NMOS管，电路符号如图解P2.12（a）所示。由图P2.12(a)可得，uGS=0V时的漏极饱和电流值为IDSS≈0.8mA.

(b)由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.12（b）所示。由图P2.12（b）可得UGS（th）=2V

（c）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，电路符号如图解P2.12（c）所示。由图2.12(c)可得UGS（Off）=－4V，IDSS=4mA

(d)由于uGS＜0，故为增强型PMOS管，电路符号如解图P2.12（d）所示。由图2.12(d)可得UGS（th）= -1V。

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（d）所示的场效应管输出特性，分别作出uDS=8V(或uDS=－8V)2.13试根据图P2.12(b)、时的转移特性曲线。

解：（1）在图P2.12(b)中，作垂直线uDS=8V与输出曲线族相交，如图解P2.12（a）所示。1.7mA、0.8mA和0.1mA。4V、3V和2V时，iD分别为2.8mA、由交点可知，当uGS分别为5V、由此可作出转移特性曲线，如图解P2.12（b）所示。

（2）同理，对图P2.12（d）作垂直线－uDS=8V，可得交点如图解P2.12(c)所示，可见，当uGS分别为－4V、－3V、－2V和－1V时，iD为3.5mA、2.2mA、0.9mA、0.1mA,故可作出转移特性曲线如图解P2.12（d）所示。

2.14图P2.14所示场效应管电路中，ui=50sinωt(mV)，场效应管参数为IDSS=7mA，UGS（off）=－8V，（2）试分析：（1）静态工作点参数UGSQ、IDQ、UDSQ；画出交流通路和小信号等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui。

（1）计算静态工作点：

解：

由于栅极无电流，故由图P2.14可得UGSQ=－IDQRS

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