付小宁版“光电检测技术与系统”第五章-光电探测系统的信噪比
更新时间:2023-05-02 03:41:01 阅读量: 教育文库 文档下载
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
第五章 光电探测系统的信噪比§5.1 信噪比的概念噪声对测量的影响、噪声的类型 噪声对测量的影响、
§5.2 噪声源几种典型的内部噪声、 几种典型的内部噪声、典型传感器的噪声分析
§5.3 信噪比与系统参数探测系统放大器的噪声系数、噪声等效带宽、 探测系统放大器的噪声系数、噪声等效带宽、红外成像系统的温 度分辨率
§5.4 信噪比改善技术频域处理、背景和信号的水平调整、光子计数、 频域处理、背景和信号的水平调整、光子计数、基于调制的改 善技术、双光束&双通道技术 时域滤波技术、 双通道技术、 善技术、双光束 双通道技术、时域滤波技术、基于多阵列信号处理 的技术、其他技术118 的技术、其他技术
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
§5.1 信噪比的概念5.1.1 噪声对测量的影响 测量仪器的精度取决于测量原理和测量方法。对于具体光电探测 系统,测量精度最终受信号噪声的限制。所谓噪声,指探测器所接收 到的、对信号有明显干扰作用的一切信息。事实上,噪声对探测系统 性能的影响是如此之大,以至于系统开发过程中的参数优化的一项重 要的工作就是降低噪声的相对量或增加信噪比。 对光电探测系统而言,引入噪声的途径很多,如光源、直接进入 或散射漏入光路中的其它辐射,光路器件本身的干扰(如像差、平面 度误差),辐射换能器的多种噪声、信号数字化的量化误差、信号处 理电路自身的噪声,等等。这里,噪声的概念不包括操作失误、读数 误差等因素。
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
在实际测量过程中,真实信号(真值)是不可知的,信号和噪声也是不可分离的,但有 一点是明确的,大的噪声产生大的测量标准偏差,方均根噪声就是信号 n 次测量的标准偏 差。设第 i 次测量的信号值为 Ei,经过 n 次测量获得的信号均值为
E =∑ i / n Ei= 1
n
(5.1-2)
于是,方均根噪声Nrms =
∑ (E E)i= 1 i
n
2
(n 1 )
(5.1-3)
当测量误差的分布规律可以知道或可以被合理地近似处理(例如采用正态分布 代替)时,就可以利用测量得到的信号均值、标准偏差来估计一定概率下真值 的取值范围(可靠范围,或称置信区间),其概率则称为置信概率或置信度 (置信水平)。
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5.1.2 噪声的类型 噪声可分为 ⑴ 加性噪声和乘性噪声 ⑵ 基本噪声和非基本噪声 ⑶ 白噪声、频谱与频率成反比的1/f噪声、干扰噪声⑷ 外部噪声、内部噪声
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§5.2 噪声源
光电探测系统的噪声来自光源、光路、光电探测器、放大、A/D转换 及处理电路等各个环节。
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
5.2.1 几种典型的内部噪声
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
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5.2.2 典型传感器的噪声分析
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
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5.2.2.2 光电二极管的噪声
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
信号部分:光生电流信号信号功率为P(t)的调制光信号落在检测器上,则产生的 初级光电流为: ηq P (t ) = I DC + i p (t ) i ph (t ) = hv 对于pin,均方信号电流为:2 i s2 = σ s2, pin = i p (t )
对于APD,均方信号电流为:2 is2 = σ s2, APD = i p (t ) M 2
对于一个调制指数为m的正弦输入信号,信号成分为:m2 2 2 2 i p (t ) = σ p = Ip 2 2012-3-113
第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
光电检测器的噪声包括量子噪声 量子噪声、光电二极管材料引起的 量子噪声 暗电流噪声和由倍增过程产生的倍增噪声 倍增噪声。 暗电流噪声 倍增噪声 量子噪声是光电子产生和收集过程具有的统计特性。对于接 量子噪声 收带宽为B的接收机,量子噪声均方根电流和光电流Ip的平均 值成正比。其中F(M) ≈ Mx是噪声系数,它与雪崩过程的随机 特性有关。 i 2 = σ 2 = 2qI BM 2 F ( M )Q Q P
光检测器暗电流 暗电流是指没有光入射时流过检测器的偏置电路的 暗电流 电流,它是体暗电流和表面暗电流之和: 体暗电流:pn结区热产生的电子和(或)空穴。2 2 i DB = σ DB = 2qI D M 2 F (M )B
表面暗电流:表面缺陷、清洁程度等引起的漏电流。2 2 i DS = σ DS = 2qI L B2012-3-1 14
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雪崩倍增噪声APD中的雪崩过程具有统计特性,不同的光生载流子 的放大倍数可能不同,给放大后的信号带来了幅度上的随机 噪声。这里定义F(M)为过剩噪声因子,它近似等于:F (M ) ≈ M x
因子F(M)用于衡量由于倍增过程的随机性导致的检测器噪声 的增加。参数x称为过剩噪声指数,一般取决于材料,并在 0~1之间变化,x对于Si APD为0.3,对InGaAs APD为0.7, 对Ge APD 为1.0。 对于pin光电二极管,F(M)和M都等于1。2012-3-1 15
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总噪声光检测器的总均方噪声电流为:2 2 2 2 2 iN = σ N = iQ + iDB + iDS 2 2 2 = σ Q + σ DB + σ DS
= 2q ( I P + I D ) M 2 F (M )B + 2qI L B
放大器输入阻抗一般远大于负载电阻RL,因此检测器的负载 热噪声由RL的热噪声决定:2 2 iT = σ T =
4k B T B RL16
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其中KB为波尔兹曼常数,T是绝对温度。
第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
§5.3 信噪比与系统参数
在光电探测系统中,与信噪比有关的系统参数主要有噪声系数、噪声等效带 宽、等等;在红外成像系统中,主要有温度分辨率参数。
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第5章主要讨论改善和提高光电探测系统信噪比的技术。
5.3.1 探测系统放大器的噪声系数
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5.3.2 噪声等效带宽
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5.3.3 红外成像系统的温度分辨率
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