MZK400TS60U中文资料
更新时间:2023-08-21 17:56:01 阅读量: 高等教育 文档下载
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MZC400TS60U
PRELIMINARY MZK400TS60U
Fast Recovery Epitaxial Diode INT-A -PAK Ultra-Fast TM Speed FRED
Features
·International standard package
With DBC ceramic base plate MZC MZK
·Planar passivated chips V RRM = 600V ·Short recovery time I FAVM = 400A ·Low switching losses t rr = 250ns ·Ultra-soft recovery behaviour ·Industry standard package ·
UL recongnition pending
Benefits
·
Antiparallel diode for high frequency switching devices ·Increased operating efficiency ·Direct mounting to heatsink ·Uninterruptible power supplies (UPS)·Ultrasonic cleaners and welders ·Low voltage peaks for reduced protection circuits
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Test Conditions Max.
Units
V RSM & V RRM 600 V I FRMS T C =75 o C
560 A I FAVM T C =75 o C; rectangular, d=0.5
400 A I FRM t p <10µs; rep. rating, pulse width limited by T VJM 2185 A I FSM
T VJ =45 o C; t=10ms (50 Hz),sine 3300 A t=8.3ms (60 Hz),sine 3600 A T VJ =150 o C; t=10ms (50 Hz),sine 2880 A t=8.3ms (60 Hz),sine
3180 A I 2t
T VJ =45 o C; t=10ms (50 Hz),sine 38400 A 2s t=8.3ms (60 Hz),sine 39100 A 2s T VJ =150 o C; t=10ms (50 Hz),sine 31100 A 2s t=8.3ms (60 Hz),sine
31800 A 2s V ISOL RMS Isolation Voltage, Any T erminal T o Case, t=1 min 2500 V P D T C =25 o C
1008 W
T J Operating Junction T emperature Range -40 to +150 o
C
T STG
Storage T emperature Range
-40 to +125
元器件交易网
MZC400TS60U MZK400TS60U
Termal / Mechanical Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θJS T ermal Resistance, Junction-to- Sink DC -0.202 R θJC T ermal Resistance, Junction-to- Case DC -0.122 o C/W
R θCS
T ermal Resistance, Csar-to- Sink- Module 0.08 -Mouting T orque, Case-to-Heatsink - 4.0 N.m Mouting T orque, Case-to-T erminal 1,2 & 3 - 3.0Weight of Module
200
-
g
Electrical Characteristics (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
V RRM Reverse Breakdown Voltage 600 - - V
I R =16mA
I R
Diode Leaking Current
- -16mA T VJ =25 o C V R =V RRM -
- 5mA T VJ =25 o C V R =0.8V RRM -
-100mA T VJ =125 o C V R =0.8V RRM V F Diode Forward Voltage - - 1.17V I F =230A; T VJ =125 o C - - 1.36V T VJ = 25 o C - - 1.41V I F =400A; T VJ =125 o C -
- 1.52V T VJ = 25 o C
V TO For power-loss calculations only - -0.85V r 6
-
- 1.14m ? trr@T VJ =100 o C
Diode Reverse Recovery Time
-250300ns IF=400A I RM @T VJ = 25 o C Diode Peak Reverse Current - -66A VR=300V I RM @T VJ =100 o C Diode Peak Reverse Current
-
-
110
A
-di/dt=600A/µs
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