pcell

基本的mos管的pcell建立 在新建的cellview中进行以下操作 Tools-pcell

先layout出一个最简单的MOS 管 1．定义channal 长度和宽度L，W：

点击stretch命令进行横向和纵向拉伸 Stretch in X ：

将出现的控制线，跨过你所需要拉伸的所有layer，然后按enter出现下图所示的图框

Name or Expression for stretch：自己取个名字，比如L代表了channal channel Reference Dimension （Default）：L的尺寸，默认为控制线所经过的最小layer宽度 其他的几个选项可以调整layer 拉伸的方向和最小最大值 W用stretch in Y定义 然后看看成果

点击compile –to pcell，进行编辑

点击OK，并且保存。

可以看到现在调用出来的MOS 已经是一个可以编辑W，L的器件了。但是我们有的时候我们要用到多个finger并联，所以可以通过设置另外一个参数M来实现。

因为M实际上就是一个finger复制M次，所以我们要用到repetition选项，如果这样直接使用这个操作，无法实现我们需要的结果，现在进行repetition的L是原始的L但是希望得到的是L改变后的复制，所以我们用到stretch-qualify

点击Qualify，此时控制线可选，点击控制L的线，并希望与其一起变化的layer，并双击或者enter确定

现在就可以进行repetition操作了。 我们还需要定义一个X方向的辅助参数ods，

选中需要repeatlayer，一般是poly，contact，metal， Repetition-repeat in X，

Ok，然后进行compile-to pcell

同样的方法不用定义ods，然后其他定义和上相同，调用两个pcell可以看出两者的不同

横向的repeat后，要进行纵向的repeat 一般选择contact repeat。

选种需要repeat的layer，然后repeatition-repeat in X and Y

上面的参数要根据自己的工艺进行定义

这就是一个简单的MOS 的pcell建立方法。

下面的定义我们可以用于一个pcell 可以做多个调用，比如我们要用到pmos和nmos，他们两个之间只有一层layer不同，我们可以选择这层layer，来实现NMOS 或者是PMOS，同样我们的一个芯片中很可能要用到不同电压的器件，比如这个工艺所用的1.8 v和3.3v的器件，3.3V比1.8V的多了一层layer，我们可以选择这个层次的有无来选择两种不同的器件，我们就以这个例子来定义。 选择需要定义的层次，然后

出现的图框中进行定义

Ok

Compile-to pcell并保存

设置参数，然后和上述步骤相同

Reference point的定义

在前面Parameterized shapes的基础上进行下面的定义，选种layer 设置endpoint of the path ，选择cont需要定义的位置

同理，define by parameterized 和上面同样定义适用于不是矩形图形，

可以调节参数X来进行调节上述图形。 Inherieted paraneters

这个设置主要用于多层次的设置，比如我要建立一个inv，我可以利用已经建立好PMOS，NMOS来实现这个功能，比如我要建立一个NMOS/PMOS，L和M相同，但是W不同的一个inv，如果只是象原来那样设置的话，我无法改变PMOS和NMOS的L，W，M，只能改边最上面设置的几个参数

选中PMOS然后定义

定义上述的各种参数

NMOS 同样定义

这个时候进行上层poly，M 的设置，

然后根据要求进行连线 Parameterized layers

这个命令可以选择一些layer进行随意变换，比如 选种一层TG

Define

第二个选项可以不填，属于可选选项 Compile-to pcell ，调用

在TG中填入任何一种layer，如nwl，图中的TG便NWL 所替代。 Parameterized label：

如上图在设置了W，L的MIM电容后进行如下操作 Define

Lable中写入关系如需要计算或标示的关系式

Compile-to pcell，可以看到调用的pcell可以直接将电容面积计算出来，如果将电容的单位容值加进去，也可以直接计算出电容值。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/0rz6.html