固体物理学习题解答(完整版)
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《固体物理学》部分习题参考解答
第一章
1.1 有许多金属即可形成体心立方结构,也可以形成面心立方结构。从一种结构转变为另一种结构时体积变化很小.设体积的变化可以忽略,并以Rf和Rb代表面心立方和体心立方结构中最近邻原子间的距离,试问Rf/Rb等于多少?
答:由题意已知,面心、体心立方结构同一棱边相邻原子的距离相等,都设为a:
对于面心立方,处于面心的原子与顶角原子的距离为:Rf
=
22
a
对于体心立方,处于体心的原子与顶角原子的距离为:Rb
=a
那么,
RfRb
3
1.2 晶面指数为(123)的晶面ABC是离原点O最近的晶面,OA、OB和OC分别与基失a1,a2和a3重合,除O点外,OA,OB和OC上是否有格点?若ABC面的指数为(234),情况又如何?
答:根据题意,由于OA、OB和OC分别与基失a1,a2和a3重合,那么 1.3 二维布拉维点阵只有5种,试列举并画图表示之。
答:二维布拉维点阵只有五种类型:正方、矩形、六角、有心矩形和斜方。分别如图所示:
正方 六方 矩形 带心矩形 平行四边形
a=b a=b a=b a≠b a≠b
a^b=90° a^b=90° a^b=120° a^b=90° a^b≠90°
1.4 在六方晶系中,晶面常用4个指数(hkil)来表示,如图所示,前3个指数表示晶面族中最靠近原点的晶面在互成120°的共平面轴a1,a2,a3上的截距a1/h,a2/k,a3/i,第四个指数表示该晶面的六重轴c上的截距c/l.证明:i=-(h+k) 并将下列用(hkl)表示的晶面改用(hkil)表示:(001)(133)(110)(323)(100)(010)(213)
答:证明
设晶面族(hkil)的晶面间距为d,晶面法线方向的单位矢量为n°。因为晶面族(hkil)中最靠近原点的晶面ABC在a1、a2、a3轴上的截距分别为a1/h,a2/k,a3/i,因此
a1 n hd
a2 n kd ……… (1) a3 n id
ooo
由于a3=–(a1+ a2)
a3 n (a1 a3) n
o
o
把(1)式的关系代入,即得
id (hd kd) i (h k)
根据上面的证明,可以转换晶面族为 (001)→(0001),31)(
→(1323),(110)→(1100),(323)→(3213),(100)→(1010),
(010)→(0110),(213)→(2133)
1.5 如将等体积的硬球堆成下列结构,求证球可能占据的最大面积与总体积之比为(1)简立方:
6
(2
8
(3
)面心立方:
6
(4
)六方密堆积:
6
(5
)金刚石:
16
。
答:令Z表示一个立方晶胞中的硬球数,Ni是位于晶胞内的球数,Nf是在晶胞面上的球数,Ne是在晶胞棱上的球数,Nc是在晶胞角隅上的球数。于是有:
Z Ni
12N
f
14
Ne
18
Nc
边长为a的立方晶胞中堆积比率为
F Z*
43
ra
33
假设硬球的半径都为r,占据的最大面积与总体积之比为θ,依据题意 (1)对于简立方,晶胞中只含一个原子,简立方边长为2r,那么: θ=
4/3 r(2r)
33
=
6
(2)对于体心立方,晶胞中有两个原子,其体对角线的长度为4r
,那么:
θ=
2
(4/3 r)3
=
8
(3)对于面心立方,晶胞中有四个原子,面对角线的长度为4r
,则其边长为,那么:
4
(4/3 r)3
θ=
=
6
(4)对于六方密堆积
一个晶胞有两个原子,其坐标为(000)(1/3,2/3,1/2),在理想的密堆积情况下,密排六方结构中点阵常数与原子半径的关系为a=2r,因此
2
(
4 r)
3
θ
2
=
6
(5)对于金刚石结构
Z=8 8r
那么F Z*
43
ra
33
8
43
8
=
3
16
.
1.6 有一晶格,每个格点上有一个原子,基失(以nm为单位)a=3i,b=3j,c=1.5(i+j+k),此处i,j,k为笛卡儿坐标系中x,y,z方向的单位失量.问: (1)这种晶格属于哪种布拉维格子?
(2)原胞的体积和晶胞的体积各等于多少? 答:(1)因为a=3i,b=3j,而c=1.5(i+j+k)=1/2(3i+3j+3k)=1/2(a+b+c′)式中c′=3c。
-10
显然,a、b、c′构成一个边长为3*10m的立方晶胞,基矢c正处于此晶胞的体心上。因此,所述晶体属于体心立方布喇菲格子。
-303
(2)晶胞的体积= c (a b)= 3k (3i 3j)=27*10(m)
原胞的体积=c (a b)=
12
(3i 3j 3k) (3i 3j)=13.5*10(m) 2
a2
2
a2
-303
1.7
六方晶胞的基失为:a i
j,b i j,c ck
求其倒格子基失,并画出此晶格的第一布里渊区. 答:根据正格矢与倒格矢之间的关系,可得: 正格子的体积Ω=a·(b*c)
=
2c
2
那么,倒格子的基矢为b1
2 (a b)
2 c
2 (b c)
2
2 a
j ,b2
2 (c a)
2
2 a
j ,
b3
k
其第一布里渊区如图所示:
1.8 若基失a,b,c构成正交晶系,求证:晶面族(hkl)的面间距为
dhkl
1
答:根据晶面指数的定义,平面族(hkl)中距原点最近平面在三个晶轴a1,a2,a3上的截距
分别为
dha1
a1h
,
a2k
,
a3ldla3
。该平面(ABC)法线方向的单位矢量是
n x
dka2
y z
这里d是原点到平面ABC的垂直距离,即面间距。 由|n|=1得到
(dha1
) (
2
dka2
) (
2
dla3
) 1
2
故d [(
ha1
) (
2
ka2
) (
2
la3
)]
2
12
1.9 用波长为0.15405nm的X射线投射到钽的粉末上,得到前面几条衍射谱线的布拉格角θ
(1)各谱线对应的衍射晶面族的面指数; (2)上述各晶面族的面间距;
(3)利用上两项结果计算晶格常数.
答:对于体心立方结构,衍射光束的相对强度由下式决定:
I Fhkl| f[1 cos n(h k l)] f
2
2
2
sin n(h k l)
2
考虑一级衍射,n=1。显然,当衍射面指数之和(h+k+l)为奇数时,衍射条纹消失。只有当(h+k+l)为偶数时,才能产生相长干涉。因此,题给的谱线应依次对应于晶面(110)、(200)、(211)、(220)和(310)的散射。由布喇格公式
2dhklsin (n 1)
得 d110 同法得
d200
2sin 1
1.54052sin19.611
o
2.295 10
10
(m)
2sin 2
1.6334 10
10
(m)
d211
2sin 3
1.3377 10
10
(m)
d220
2sin 3
1.1609 10
10
(m)
d310
2sin 4
1.0403 10
10
(m)
应用立方晶系面间距公式
dhkl
可得晶格常数a dhkl把上面各晶面指数和它们对应的面间距数值代入,依次可得a 的数值*10-10m为
3.2456,3.2668,3.2767,3.2835,3.2897
取其平均值则得
a 3.2725 10
10
(m)
1.10 平面正三角形,相邻原子的间距为a,试给出此晶格的正格矢和倒格矢;画出第一和第二布里渊区.
答:参看下图,晶体点阵初基矢量为a1 ai
a2
12
ai
2
aj
用正交关系式bi aj 2 ij 2 ,i j
i j
求出倒易点阵初基矢量b1,b2。设 b1 b1xi b1yj b2 b2xi b2yj
由b1 a1 2 b1 a2 0 b2 a1 0 b2 a2 2 得到下面四个方程式
ai (b1xi b1yj) 2 (1)
12
2
(ai
aj) (b1xi b1yj) 0 (2)
ai (b2xi b2yj) 0 (3)
12
2
(ai
aj) (b2xi b2yj) 2 (4)
由(1)式可得:b1x
2 a
由(2
)式可得:b1y
由(3)式可得:b2x 0 由(4
)式可得:b2y 于是得出倒易点阵基矢
b1
2 ai
j b2
j
第三章 习题答案
3.1 试求由5个原子组成的一堆单原子晶格的格波频率,设原子质量m=8.35×10
-1
力常数β=15N·m 解:一维单原子链的解为Xn
Ae
i( t qna)
-27
kg,恢复
据周期边界条件 X1 XN 1,此处N=5,代入上式即得 e
i(5a)q
1
所以 5aq=2 ( 为整数) 由于格波波矢取值范围:
a q
a
。 则
52
52
故 可取-2,-1,0,1,2这五个值 相应波矢: 由于
4 m
4 5a
,
qa2
2 5a
,0,
2 5a
,
4 5a
,代入 ,m及q值
则得到五个频率依次为(以rad/sec为单位)
13131313
8.06×10,4.99×10,0,4.99×10,8.06×10
3.2 求证由N个相同原子组成的一维单原子晶格格波的频率分布函数可以表示为
2N
(
2m
)
2
12
式中 m
4
m
是格波的最高频率,并求证它的振动模总数恰为
N
解:对一维单原子链,dN 所以
2 q
d dq
2 q dq ( )d q dq
(1)
由色散关系
d dq
4 m
cos
qa2
4 m a2
sin
qa2
求得
(1 sin
2
4 am
2
qa2
)
1/2
a2
[(
4 m
) ]
21/2
(2)
而 q 由于 N
L2
Na2
, 则由(1)式可得
2Na2 4 m
a4 2N21/222 1/2
[ ] ( m )2m
m
,则总的振动模数为
wm
d
wm
2N
( m 2)
2 1/2
d
令
m
sin
,则积分限为0到 /2 , 故
N
2
2
cos
1
cos d
2N
2
N
9N
3.3 设晶体由N个原子组成,试用德拜模型证明格波的频率分布函数为
解:由书上(3-69)式可得 g v
由(3-71)可得 D由此可得 2 2v3
9N
3
3m
2
32
2
v
23
(1)
m 6 n
2
1/3
v
m3n
,代入(1)式得
3m
2
-27
3.4 对一堆双原子链,已知原子的质量m=8.35×10
-1
β=15N·m,试求
kg,另一种原子的质量M=4m,力常数
(1) 光学波的最高频率和最低频率 max和 min; (2) 声学波的最高频率 max; (3) 相应的声子能量(以eV为单位);
(4) 在300K可以激发频率为 max, min和 max的声子的数目; (5) 如果用电磁波来激发长光学波振动,电磁波的波长大小。 解:(1)
MmM m
45m
A
A
max
2
2 m2 M
2
6.70 10
13
rad/sec 1.07 10
13
Hz
min
5.99 10
13
rad/sec 0.95 10
13
Hz
max
(2) max
A
3.00 10
13
rad/sec 0.48 10
13
Hz
4.41 10eV
min
3.95 10
2
eV
A
max
1.97 10
2
eV
(3)n
1e
w/kT
1
nmax 0.221
, nmin 0.276 ,
cv c 2
nmax 0.873
A
(4) 光速c
v
,
max
2.8 10
5
m 28 m
3.5 设有一维晶体,其原子的质量均为m,而最近邻原子间的力常数交替地等于 和10 , 且
最近邻的距离为a/2,试画出色散关系曲线,并给出q 0和q
/a
处的 q 。
解:设标为奇数的原子和附近为偶数的原子所处的环境不同,参看图,
x 2n 10 x2n 1 x2n x2n x2n 1 m
原子的运动方程应是
mx x x x x2n 12n 22n 12n 12n 2n 10x2n 1 x2n 1 11x2n x即 m
2n 1 x2n 2 10x2n 11x2n 1 x m
求格波解, 令 x2n Ae
qa
i 2n t
2
,x2n 1 Be
qa
i 2n 1 t
2
代入运动方程,可导出线性方程组为:
11 2 iqa/2 iqa/2
A 10e eB 0 mm
iqa/211 iqa/22 e 10eA B 0 m m
令
m
0,从A,B有非零解的系数行列式等于零的条件可得
2
2
11
22
0(10e
4
iqa/2
e
iqa/2
)(e
iqa/2
10e
iqa/2
) 0
可解出
2
011
2
20cosqa 101
色散关系见下图
22 0, 0
q 0时,cosqa 1,
q
a
时,cosqa 1, 20 0,
2 0
3.6.在一维双原子链中,如Mm 1,求证
2 M
2 m
1
qa
m2M
2 (1 cos
2
qa)
[证] 由书中(3.22)式知,双一维原子链声学支 1
2
Mm
m M {1 [1
4mM(m M)
2
sin
2
qa]
1/2
}
M m,
2
4mMmM
1 由近似式
1
4mM
2
1 x n
2
1 nx
,(当x 1)
得 1
m MmM
{1 [1
2(m M)
sinqa]
1/2
}
2 m M
sin
2
qa
2 M
sin
2
qa,
1
2
2 M
sinqa
对 2,由于M m,M m M 2
m
2
(m M)
mM
{1 [1
4mM(M m)4Mm
2
sinqa ]
1/2
}
{1 [(
M mM m
)
2
M
4mM
m
2
4Mm
M
1/2
m
2
cos
2
qa]
1/2
}
m
{1 [(
M mM m
)
2
cos
2
qa]}
m
{1 1
mM
14m2M
2
cosqa}
2
2 m
{1
cosqa}
2
2 m
mM
cos
2
qa
2 m
(1
m2M
cos
2
qa)
3.7 在一维双原子晶格振动情况中,证明在布里渊区边界q
2a
处,声学支格波中所有
轻原子m静止,而光学支格波中所有重原子M静止。画出这时原子振动的图象。 [证] 由(3-18)第一式得
AB
2 cosqa2 m
2
,当q
2a
时 cosqa 0 且对声学
2
支
M
1/2
,代入上式即得:
AB
02 2
mM
0 ,故A=0, 轻原子静止
再由(3-18)第二式得
BA
1/2
2 cosqa2 M
2
,当q
2a
时cosqa 0
2
且对光学支,
M
,代入上式即得
BA
02 2
mM
0 故B=0, 重原子静止
3.8 设固体的熔点Tm对应原子的振幅等于原子间距a的10%的振动,推证,对于简单晶格,
2 50kBTm
接近熔点时原子的振动频率
a M
1/2
,其中M是原子质量。
[解] 当质量为M的原子以频率 及等于原子间距a的10%的振幅振动时,其振动能为:
E
12M A
2
2
2 a
M 原子的能量可按照能量均分定理处理, 在熔点Tm时,210
1
2
a
即一个一维原子的平均能量为kBTm,于是有M kBTm,由此得
2 10
2
1
2
2 50kBTm
a M
1/2
1 D
3.9 按德拜近似,试证明高温时晶格热容Cv 3NkB[1 ]
20 T
2
证明:由书(3.73)式可知Cv 9NkB(T/T D)
3
DT0
exdx
x4
e
x
1
2
在高温时,T D,则在整个积分范围内x为小量,因此可将上式中被积函数化简为
ex
x
4
e
x
1
2
x
4 x/2
e
x/2
e
x
4
2
x1
2
x x 24
3
x
2
2
x
x 1 12
2
12
3
5
1 1 D 3D
将上式代入Cv的表达式,得Cv 9NkB(T/T D)
3T60T 1 D 1 D
9NkB(T/T D) 1
3 T 20 T
3
3
2
1 D
3NkB 1
20T
2
3.10 设晶格中每个振子的零点振动能为
2
,试用德拜模型求三维晶格的零点振动能
3V 2
2
23
解:由(3-69)式知,状态密度 g V
v
则 E0
D
0 d
D
12
3V 2
2
23
v
d
3 V14 316
22
2
v
3
3
D
d
3
316
2
Vv
3
D
40
Vv
D
4
D
6
316
V N
1/3
v
NV
98
E0
V
2
v
3
6
2
v D
3
N D
3.11 在德拜近似的基础上,讨论由一个N个原子组成的二维晶格的比热,证明在低温下
其比热正比于T
证明:此题可推广到任意维m,由于
dN g q dq Cdq
m
2
Cq
1m 1
dq g d
1
g C1qm 1 d
dq
而德拜模型中 vq,故g q
m 1
m 1
C 2
e BTgv kB kBT d
e k
2 BT
1 令
,则上式变为
kT
xm 1
C
T
m 1
T
ex
x
m 1
m
xp
v e
x
1
2
T
exx
e
x
1
2
dx
在低温时 x DD kT
1
则积分
exx
m 为一个于T无关的常数
e
x
1
2
故 Cv T
m
对三维 m=3
Cv T
3
对本题研究的二维 m=2 C2
v T
对一维 m=1
Cv T
设某离子晶体中相邻两离子的相互作用势为U r
e
2
3.12r
br
a
, b为待定常数,衡间距r 10
0 3 10
m,求线膨胀系数。
解:由书上(3.114)式知,线膨胀系数 3
gk
B
4
f2
r
其中:f 1 d2
U
1 d3
2 dr
2
,g U 3 r3! 0 dr
r0
dU
e29be2
由平衡条件 r8 dr 2 10 0 b0 r0r0r 0
92
f
2e
2 90b2r3
, g 1 6e2
0
2r11
4e0
r3
6 990b
52e20
r412
3r4 0r00 由于 r0 3 10
8
m ,e 4.806 10
10
CGSE
平
kB 1.381 10
16
erg/K
/K
13r0kB16e
2
1.46 10
5
3.13 已知三维晶体在q 0附近一支光学波的色散关系为 q 0 Aq
2x
Bq
2x
2y
Cq
2
2z
, 试求格波的频谱密度
2
解: 0 Aq
qxA
2
Bqy Cqz
则
0
qyB
2
0
qzC
2
0
43
1
这是q空间的一个椭球面,其体积为 abc,而
0 A
/2
a ,b
0 B
/2
,c
0 C
/2
q
V L
空间内的状态密度 q 3
(2 ) 2
1/2
3
,故椭球内的总状态数N为
N
V
2
3
4 1
3 ABC dNd
V4
2
0
1/2
3/2
/2
故
1 ABC
0
1/2
V4
2
0 ABC
第四章
4.1晶体中空位和间隙原子的浓度是否相同?为什么?
答:晶体中空位和间隙原子的浓度是相同的。在离子晶体中,由于电中性的要求,所以晶体中的空位和间隙原子一般都是成对出现,所以它们的浓度是相同的。 4.2试从能量角度说明滑移方向必定是密排方向.
4.3如果已知空位形成能为Eu=0.67eV,试问当温度为300K时在金里肖特基缺陷数与格点数之比是多少?
答:设肖特基缺陷数为n,格点数为N。那么由公式
nN
EukBT
e
可得
nN
0.67 1.6 101.38 10
23
19
e
300
=5.682*10-12
15
4.4某间隙原子在晶格的间隙位置间跳跃。该间隙原子在晶格中振动的频率为2*10s-1,如该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV,求该原子在1s内跳跃的次数。 答:由公式
EakBT
v voe
0.1eV
可得
v voe
1.38 10
23
300
=2*10*0.02=4*10
1513
4.5在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷多成对地产生,令n代表正、负离子空位的对数,W是产生一对缺陷所需要的能量,N是原有的正、负离子对的数目。 (1)试证明:n/N=Bexp(-W/2kBT);
(2)试求有肖特基缺陷后体积的变化△V/V,其中V为原有的体积。 答:
(1)设n对肖特基缺陷是从晶体内部移去n个正离子和n个负离子而形成的。从N个正离子中形成n个正离子空位的可能方式数为
W1
N!(N n)!n!
同时,从N个负离子中形成n个负离子空位的可能方式数也是
W2
N!(N n)!n!
于是,在整个晶体中形成n对正、负离子空位的可能方式数
W W1W2 [
N!(N n)!n!
]
2
由此而引起晶体熵的增量为
S kBInW 2kBIn
N!(N n)!n!
设形成一对正、负离子空位需要能量w,若不考虑缺陷出现对原子振动状态的影响,则晶体自由能的改变
F U T S nw 2kBTIn
N!(N n)!n!
(1)
热平衡时,(
( F n
F n
)T 0,并应用斯特令公式InN! NInN n,从(1)式得
n
[NInN (N n)In(N n) nInn] w 2kBT[In(N n) Inn] w 2kBTIn
w
)T w 2kBT
N nn
0
nN n
e
2kBT
因为实际上N»n,于是得
n/N=Bexp(-W/2kBT)
(2)对离子晶体的肖特基缺陷来说,每产生一对缺陷同时便产生了两个新的结点,使体积增加。当产生n对正、负离子空位时,所增加的体积应该是 V 2na 式中a为离子最近邻距离。因为V 2Na为晶体原有的体积,有上式可得
VV
2na2Na
33
3
3
nN
EA/kBT
4.6已知扩散系数与温度之间的关系为:D Doe下列数据是锌在铜晶体中扩散的实验结果:
试确定常数Do和扩散激活能EA. 答:由公式 D Doe
EA/kBT
,可得
当T=878,D=1.6*10时,D01=
4.7铜和硅的空位形成能Eu分别是0.3eV和2.8eV。试求T=1000K时,铜和硅的空位浓度。 答:由公式
nNnN
-20
EukBT
e
可得:对于铜
0.3
8.6 10
5
e
1000
0.03
对于硅
nN
2.8
8.6 10
5
e
1000
7.247 10
15
4.8碘化钾在不同温度下的钾蒸汽中增色,通过测试F带的光吸收就可得F心的形成能EB。当温度从570℃上升到620℃时,吸收常数增加了3.9%左右。假设光吸收的增加是由F心的数目增加引起的,试计算F心形成能EB。 答:
4.9考虑一体心立方晶格:(1)试画出(110)面上原子的分布图;(2)设有一沿[111]方向滑移、位错线和[110]平行的刃位错。试画出在(110)面上原子的投影图。
答:如图所示:
4.10求体心立方、面心立方、六方密堆积等晶体结构的最小滑移矢量的长度。
答:滑移面往往是那些原子面密度较大的晶面,滑移向也总是原子密度较大的晶向(即沿该方向的周期最小)。
(1)体心立方:滑移面为(110)面,滑移向为[111],最小滑移矢量b即[111]晶向上一个格点间距的长度。设晶格常数为a,则
|b|
2
(2)面心立方:滑移面为(111),滑移向为[101]。最小滑移矢量b等于[101]方向上相邻格点间的距离,即
|b|
2
(3)六角密堆:滑移面是基面(0001),滑移向是[2110]。[2110]晶向上原子间距为a,因此,
|b| a
向和大小用伯格斯矢量表示为b 还是螺位错。
第六章
6.1 一维周期场中电子的波函数 k x 应满足布洛赫定理,若晶格常数为a,电子的波函数为
(1) k x sin
ax
12
[110]。试确定该滑移面的晶面指数,并问该位错是刃位错
(2) k x icos
3 a
x
(3) k x
f x a (f是某个确定的函数)
i
试求电子在这些状态的波矢
ika
解:布洛赫函数为 k x a e k x
(1)sin
a
(x a) sin(
a
ika
x ) sinsin
a
x
sin e
ika
a
(x a) e
a
x
1 ,ka ,k 3 a
a
(2)icos
x a
ika
3 3
icos x 3 icosx
a a
同理, e
1 ,ka ,k
a
(3)
f x a a f x ( 1)a
f x 'a f x a 此处 ' 1
'
e
ika
1,ka 0或2 ,k 0或
2 a
1 7
coska cos2ka ,式中a
8 8
6.2 已知一维晶格中电子的能带可写成E k
22
ma
是晶格常数,m是电子的质量,求(1)能带的宽度,(2)电子的平均速度,
(3) 在带顶和带底的电子的有效质量
解:能带宽度为 E Emax Emin, 由极值条件 sinka
14
sin2ka sinka
12
sinkacoska 0
dE k dk
0, 得
上式的唯一解是sinka 0的解,此式在第一布里渊区内的解为k 0或
当k=0时,E k 取极小值Emin,且有Emin E 0 0
当k
a
a
时,E k 取极大值Emax ,且有Emax
2
E
ma a
22
由以上的可得能带宽度为 E Emax Emin
1dE k
dk
2 ma
22
(2)电子的平均速度为v
1 sinka sin2ka ma 4
(3)带顶和带底电子的有效质量分别为
m
k
a
12 1
2 m coska cos2ka
2 E
2 k k
a
k
23
m
a
m
k 0
1
2 1 2 m coska cos2ka
E2 2
k k 0
2m
6.3 一维周期势场为
1 mW
V x 2
2
b
2
x na0
2
当na b x na b当(n 1)a b x na b
,
其中a 4b ,W为常数,求此晶体第一及第二禁带宽度
解:据自由电子近似得知禁带宽度的表示式为
Eg 2n
,
其中Vn是周期势场V x 傅立叶级数的系数,该系数为:
1a
a/2
i2 anx
Vn
V x e
dx
a/2
求得,第一禁带宽度为
Eg1 21 2
1a
a/2
V x e
i
2 a
x
dx
a/2
2
14b
b
mW2
2
b b
2
xe
2
i
2 a
nx
dx
b
2
14b
b
3
mW2
2
2
2
x
2
cos
b
x dx 2b
8mW
2
b
第二禁带宽度为
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