传感器检测技术期末模拟测试题

单项选择题

以下传感器中属于按传感器的工作原理命名的是（ a ）

A．应变式传感器 B．速度传感器

C．化学型传感器 D．能量控制型传感器

单项选择题

传感技术与信息学科紧密相连，是（ c ）和自动转换技术的总称。

A. 自动调节 B. 自动测量 C. 自动检测 D. 信息获取

单项选择题

传感器主要完成两个方面的功能：检测和（ d ）。

A. 测量 B. 感知 C. 信号调节 D. 转换

单项选择题

若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为( b )。

A．眼睛 B. 感觉器官 C. 手 D. 皮肤

单项选择题

近年来，仿生传感器的研究越来越热，其主要就是模仿人的（ d ）的传感器。

A. 视觉器官 B. 听觉器官 C. 嗅觉器官 D. 感觉器官

随着人们对各项产品技术含量的要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展，其中，典型的传感器智能化结构模式是（ b ）。

A. 传感器＋通信技术 B. 传感器＋微处理器

C. 传感器＋多媒体技术 D. 传感器＋计算机

单项选择题

传感器按其敏感的工作原理，可以分为物理型、化学型和（ a ）三大类。

A. 生物型 B. 电子型 C. 材料型 D. 薄膜型

单项选择题

自动控制技术、通信技术、连同计算机技术和（ c ），构成信息技术的完整信息链。

A. 汽车制造技术 B. 建筑技术 C. 传感技术 D.监测技术

单项选择题

通常意义上的传感器包含了敏感元件和（ c ）两个组成部分。

A. 放大电路 B. 数据采集电路 C. 转换元件 D. 滤波元件

下列不属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是（b ）。

A. 应变式传感器 B. 化学型传感器

C. 压电式传感器 D. 热电式传感器

测量者在处理误差时，下列哪一种做法是无法实现的（ ）

A．消除随机误差 B．减小或消除系统误差

C．修正系统误差 D．剔除粗大误差

A

单项选择题

不属于传感器静态特性指标的是（ ）

A．重复性 B．固有频率 C．灵敏度 D．漂移

B

对于传感器的动态特性，下面哪种说法不正确（ ）

A．变面积式的电容传感器可看作零阶系统

B．一阶传感器的截止频率是时间常数的倒数

C．时间常数越大，一阶传感器的频率响应越好

D．提高二阶传感器的固有频率，可减小动态误差和扩大频率响应范围

C

单项选择题

在金属箔式应变片单臂单桥测力实验中不需要的实验设备是（ ）

A．直流稳压电源 B．低通滤波器

C．差动放大器 D．电压表

B

下列不属于电容式传感器测量电路的是（ ）

A．调频测量电路 B．运算放大器电路

C．脉冲宽度调制电路 D．相敏检波电路

D

在二极管双T型交流电桥中输出的电压U的大小与（ ）相关

A．仅电源电压的幅值和频率

B．电源电压幅值、频率及T型网络电容C1和C2大小

C．仅T型网络电容C1和C2大小

D．电源电压幅值和频率及T型网络电容C1大小

B

石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会（ ）

A．产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应

C．不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应

B

单项选择题

在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与（A．输入电荷 B.反馈电容

C．电缆电容 D.放大倍数

A

磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）

）成正比。

A．位移 B．速度

C．加速度 D．光强

A

光敏电阻的特性是（ ）

A．有光照时亮电阻很大 B．无光照时暗电阻很小

C．无光照时暗电流很大 D．受一定波长范围的光照时亮电流很大

D

基于光生伏特效应工作的光电器件是（ ）

A．光电管 B.光敏电阻

C．光电池 D.光电倍增管

C

CCD以（ ）为信号

A. 电压 B.电流

C．电荷 D.电压或者电流

C

用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，与氧气接触后（ ）

A．电阻值变小 B．电阻值变大

C．电阻值不变 D．不确定

B

若已知超声波传感器垂直安装在被测介质底部，超声波在被测介质中的传播速度为1460m/s，测量时间间隔为20us，则物位高度为（A．29.2mm B．14.6mm

C．7.3mm D．条件不足，无法求出

B

下列关于微波传感器的说法中错误的是（ ）

）

A.可用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.天线具有特殊结构使发射的微波具有尖锐的方向性

C.用电流—电压特性呈非线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.可分为反射式和遮断式两类

A

对于工业上用的红外线气体分析仪，下面说法中正确的是（ ）

A．参比气室内装被分析气体 B.参比气室中的气体不吸收红外线

C．测量气室内装N2 D. 红外探测器工作在“大气窗口”之外

B

红外辐射的物理本质是（ ）

A．核辐射 B．微波辐射 C．热辐射 D．无线电波

C

当两块光栅的夹角很小时，光栅莫尔条纹的间距（ ）

A．与栅线的宽度成正比 B.与栅线间宽成正比

C．与夹角近似成正比 D.与栅距近似成正比

D

现有一个采用4位循环码码盘的光电式编码器，码盘的起始位置对应的

编码是0011，终止位置对应的编码是0101，则该码盘转动的角度可能会是（A．45° B.60° C.90° D.120°

C

下列关于热电偶传感器的说法中，（ ）是错误的。

A． 热电偶必须由两种不同性质的均质材料构成

B． 计算热电偶的热电势时，可以不考虑接触电势

C． 在工业标准中，热电偶参考端温度规定为0℃

）

D． 接入第三导体时，只要其两端温度相同，对总热电势没有影响

B

下列测量方法属于组合测量的是（ ）。

A. 用电流表测量电路的电路

B. 用弹簧管压力表测量压力

C. 用电压表和电流表测量功率

D. 用电阻值与温度关系测量电阻温度系数

D

单项选择题

测量者在处理误差时，下列哪一种做法是无法实现的（ ）

A．消除随机误差 B．减小或消除系统误差

C．修正系统误差 D．剔除粗大误差

A在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素（条件）始终保持不变，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（A．组合测量 B．静态测量

C．等精度测量 D．零位式测量

C

用不同精度的仪表或不同的测量方法，或在环境条件不同时，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（ ）

A．动态测量 B．静态测量

C．组合测量 D．不等精度测量

D

衡量传感器静态特性的指标不包括（ ）。

A. 线性度 B. 灵敏度

C. 频域响应 D. 重复性

C

）

下列指标属于衡量传感器动态特性的评价指标的是（ ）。

A. 时域响应 B. 线性度

C. 零点漂移 D. 灵敏度

A

一阶传感器输出达到稳态值的50%所需的时间是（ ）。

A. 延迟时间 B. 上升时间

C. 峰值时间 D. 响应时间

A

一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是（ A. 延迟时间 B. 上升时间

C. 峰值时间 D. 响应时间

B

传感器的下列指标全部属于静态特性的是（ ）A．线性度、灵敏度、阻尼系数

B．幅频特性、相频特性、稳态误差

C．迟滞、重复性、漂移

D．精度、时间常数、重复性

C

传感器的下列指标全部属于动态特性的是（ ）A．迟滞、灵敏度、阻尼系数

B．幅频特性、相频特性

C．重复性、漂移

D．精度、时间常数、重复性

B

）。

不属于传感器静态特性指标的是（ ）

A．重复性 B．固有频率 C．灵敏度 D．漂移

B

对于传感器的动态特性，下面哪种说法不正确（ ）

A．变面积式的电容传感器可看作零阶系统

B．一阶传感器的截止频率是时间常数的倒数

C．时间常数越大，一阶传感器的频率响应越好

D．提高二阶传感器的固有频率，可减小动态误差和扩大频率响应范围

C

属于传感器动态特性指标的是（ ）

A．重复性 B．固有频率 C．灵敏度 D．漂移

B

无论二阶系统的阻尼比如何变化，当它受到的激振力频率等于系统固有频率时，该系统的位移与激振力之间的相位差必为（A. 0° B.90° C.180° D. 在0°和90°之间反复变化的值

B

传感器的精度表征了给出值与( )相符合的程度。

A.估计值 B.被测值 C.相对值 D.理论值

B传感器的静态特性，是指当传感器输入、输出不随( )变化时，其输出-输入的特性。

A.时间 B.被测量 C.环境 D.地理位置

A

非线性度是测量装置的输出和输入是否保持( )关系的一种度量。

A.相等 B.相似 C.理想比例 D.近似比例

3

回程误差表明的是在( )期间输出-输入特性曲线不重合的程度。

）

A.多次测量 B.同次测量 C.正反行程 D.不同测量

C

已知某温度传感器为时间常数 秒的一阶系统，当受到突变温度作用后，传感器输出指示温差的三分之一所需的时间为（ ）秒

A．3 B．1 C． 1.2 D．1/3

C

电感式传感器的常用测量电路不包括（ ）。

A. 交流电桥 B. 变压器式交流电桥

C. 脉冲宽度调制电路 D. 谐振式测量电路

C

电感式传感器的常用测量电路不包括（ ）。

A. 交流电桥 B. 变压器式交流电桥

C. 脉冲宽度调制电路 D. 谐振式测量电路

C

电感式传感器采用变压器式交流电桥测量电路时，下列说法不正确的是（A. 衔铁上、下移动时，输出电压相位相反

B. 衔铁上、下移动时，输出电压随衔铁的位移而变化

C. 根据输出的指示可以判断位移的方向

D. 当衔铁位于中间位置时，电桥处于平衡状

C

下列说法正确的是（ ）。

A. 差动整流电路可以消除零点残余电压，但不能判断衔铁的位置。

B. 差动整流电路可以判断衔铁的位置，但不能判断运动的方向。

C. 相敏检波电路可以判断位移的大小，但不能判断位移的方向。

D. 相敏检波电路可以判断位移的大小，也可以判断位移的方向。

）。

D

对于差动变压器，采用交流电压表测量输出电压时，下列说法正确的是（ ）。

A. 既能反映衔铁位移的大小，也能反映位移的方向

B. 既能反映衔铁位移的大小，也能消除零点残余电压

C. 既不能反映位移的大小，也不能反映位移的方向

D. 既不能反映位移的方向，也不能消除零点残余电压

D

差动螺线管式电感传感器配用的测量电路有（ ）。

A．直流电桥 B．变压器式交流电桥

C．差动相敏检波电路 D．运算放大电路

B

通常用差动变压器传感器测量（ ）。

A．位移 B．振动 C．加速度 D．厚度

C

差动螺线管式电感传感器配用的测量电路有( )。

A．直流电桥 B．变压器式交流电桥

C．差动相敏检波电路 D．运算放大电路

C

如将变面积型电容式传感器接成差动形式，则其灵敏度将（ ）。

A. 保持不变 B.增大一倍

C. 减小一倍 D.增大两倍

B

差动电容传感器采用脉冲调宽电路作测量电路时，其输出电压正比于（）。

A．C1-C2 B. C1-C2/C1+C2

C. C1+C2/C1-C2 D. ΔC1/C1+ΔC2/C2

B

当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的（ ）

A．灵敏度K0增加 B．灵敏度K0不变

C．非线性误差增加 D．非线性误差减小

D

当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的（A．灵敏度会增加 B．灵敏度会减小

C．非线性误差增加 D．非线性误差不变

B

用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）。

A．变间隙式 B．变面积式

C．变介电常数式 D．空气介质变间隙式

C

电容式传感器通常用来测量（ ）。

A．交流电流 B．电场强度 C．重量 D．位移

D

电容式传感器可以测量（ ）。

A．压力 B．加速度 C．电场强度 D．交流电压

B

电容式传感器等效电路不包括（ ）。

A. 串联电阻 B. 谐振回路

C. 并联损耗电阻 D. 不等位电阻

）。

D

关于差动脉冲宽度调制电路的说法正确的是（ ）。

A. 适用于变极板距离和变介质型差动电容传感器

B. 适用于变极板距离差动电容传感器且为线性特性

C. 适用于变极板距离差动电容传感器且为非线性特性

D. 适用于变面积型差动电容传感器且为线性特性

B

下列不属于电容式传感器测量电路的是（ ）

A．调频测量电路 B．运算放大器电路

C．脉冲宽度调制电路 D．相敏检波电路

D

在二极管双T型交流电桥中输出的电压U的大小与（ ）相关

A．仅电源电压的幅值和频率

B．电源电压幅值、频率及T型网络电容C1和C2大小

C．仅T型网络电容C1和C2大小

D．电源电压幅值和频率及T型网络电容C1大小

B

电容式传感器做成差动结构后，灵敏度提高了（ ）倍

A．1 B．2 C．3 D．0

A

对石英晶体，下列说法正确的是（ ）。

A. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。

B. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。

C. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。

D. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。

A

石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是（ ）

A. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好

B. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好

C. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好

D. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好

B

两个压电元件相并联与单片时相比说法正确的是（ ）

A. 并联时输出电压不变，输出电容是单片时的一半

B. 并联时输出电压不变，电荷量增加了2倍

C. 并联时电荷量增加了2倍，输出电容为单片时2倍

D. 并联时电荷量增加了一倍，输出电容为单片时的2倍

D

两个压电元件相串联与单片时相比说法正确的是（ ）

A. 串联时输出电压不变，电荷量与单片时相同

B. 串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相同

C. 串联时电荷量增大一倍，电容量不变

D. 串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时的一半

B

用于厚度测量的压电陶瓷器件利用了（ ）原理。

A.磁阻效应 B. 压阻效应

C. 正压电效应 D.逆压电效应

D

压电陶瓷传感器与压电石英晶体传感器的比较是（ ）。

A．前者比后者灵敏度高 B．后者比前者灵敏度高

C．前者比后者性能稳定性好 D．前者机械强度比后者的好

A

压电石英晶体表面上产生的电荷密度与（ ）。

A．晶体厚度成反比 B．晶体面积成正比

C．作用在晶片上的压力成正比 D．剩余极化强调成正比

C

压电式传感器目前多用于测量（ ）。

A．静态的力或压力 B．动态的力或压力 C．位移 D．温度

B

压电式加速度传感器是适合测量下列哪种信号（ ）。

A. 适于测量任意 B. 适于测量直流

C. 适于测量缓变 D. 适于测量动态

D

石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会（ ）。

A．产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应

C．不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应

B

在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与（A．输入电荷 B.反馈电容

C．电缆电容 D.放大倍数

A

）成正比。

石英晶体在沿电轴X方向的力作用下会（ ）

A．不产生压电效应 B. 产生逆向压电效应

C. 产生横向压电效应 D．产生纵向压电效应

D

关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）

A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变

B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍

C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍

D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变

A

下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（ ）。

A. 控制极内阻 B. 不等位电阻

C. 寄生直流电动势 D. 零点残余电压

D

制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（A．半导体材料的霍尔常数比金属的大

B．半导体中电子迁移率比空穴高

C．半导体材料的电子迁移率比较大

D．N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

D

磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）。

A．位移 B．速度

C．加速度 D．光强

A

）。

为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（ ）。

A．减小弹簧片的刚度 B. 增加磁铁的质量

C. 减小系统的阻尼力 D. 提高磁感应强度

D

磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（ ）

A．位移 B．速度

C．加速度 D．光强

C

霍尔电势与（ ）成反比

A．激励电流 B．磁感应强度

C．霍尔器件宽度 D．霍尔器件长度

D

霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ ）

A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上

B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C．周围环境温度变化

D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配

C

热电偶的基本组成部分是（ ）。

A. 热电极 B. 保护管

C. 绝缘管 D. 接线盒

A

在实际应用中，用作热电极的材料一般应具备的条件不包括（）。

A. 物理化学性能稳定 B. 温度测量范围广

C. 电阻温度系数要大 D. 材料的机械强度要高

C

为了减小热电偶测温时的测量误差，需要进行的温度补偿方法不包括（ ）。

A. 补偿导线法 B. 电桥补偿法

C. 冷端恒温法 D. 差动放大法

C

用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是（A．接线方便

B. 减小引线电阻变化产生的测量误差

C. 减小桥路中其它电阻对热电阻的影响

D. 减小桥路中电源对热电阻的影响

B

目前，我国生产的铂热电阻，其初始电阻值有（ ）。A．30W B．50W

C．100W D．40W

C

我国生产的铜热电阻，其初始电阻R0为（ ）。

A．50Ω B．100Ω

C．10Ω D．40Ω

A

目前我国使用的铂热电阻的测量范围是（ ）

A．－200～850℃ B．－50～850℃

C．－200～150℃ D．－200～650℃

）。

A我国目前使用的铜热电阻，其测量范围是（ ）。

A．－200～150℃ B．0～150℃

C．－50～150℃ D．－50～650℃

C

热电偶测量温度时（ ）

A. 需加正向电压 B. 需加反向电压

C. 加正向、反向电压都可以 D. 不需加电压

D

热敏电阻测温的原理是根据它们的( )。

A．伏安特性 B．热电特性

C．标称电阻值 D．测量功率

B

热电偶中热电势包括（ ）

A．感应电势 B．补偿电势

C．接触电势 D．切割电势

C

用热电阻传感器测温时，经常使用的配用测量电路是（ ）。 A．交流电桥 B．差动电桥

C．直流电桥 D. 以上几种均可

C

一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）。

A．增加 B．减小

C．增加或减小不能确定 D．不变

D

热电偶中产生热电势的条件有（ ）。

A．两热电极材料相同 B．两热电板材料不同

C．两热电极的几何尺寸不同 D．两热电极的两端点温度相同

B

利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行。

A．分别保持热电偶两端温度恒定 B．保持热电偶两端温差恒定

C．保持热电偶冷端温度恒定 D．保持热电偶热端温度恒定

C

通常用热电阻测量（ ）。

A．电阻 B．扭矩 C．温度 D．流量

C

实用热电偶的热电极材料中，用的较多的是（ ）。

A．纯金属 B．非金属 C．半导体 D．合金

D

工程（工业）中，热电偶冷端处理方法不包括（ ）。

A．热电势修正法 B．温度修正法

C．0℃恒温法 D．补偿导线法

A

下列关于热电偶传感器的说法中，（ ）是错误的。

A.热电偶必须由两种不同性质的均质材料构成

B.计算热电偶的热电势时，可以不考虑接触电势

C.在工业标准中，热电偶参考端温度规定为0℃

D.接入第三导体时，只要其两端温度相同，对总热电势没有影响

B

在实际的热电偶测温应用中，引用测量仪表而不影响测量结果是利用了热电偶的哪个基本定律（ ）。

A. 中间导体定律 B. 中间温度定律

C. 标准电极定律 D. 均质导体定律

A

热电偶温度计采用补偿导线的目的是为了（ ）

A．节省热电偶的长度 B. 避免使用冷端补偿

C. 可以直接使用分度表 D. 降低成本

B

热电阻的引线电阻对测量结果有较大影响，采用（ ）引线方式测量精度最高。

A．两线制 B．三线制

C．四线制 D．五线制

C

下列方法中，不属于热电偶的冷端温度补偿法的是（ ）

A．补偿导线法 B．冷端恒温法

C．电桥补偿法 D．热端温度校正法

C

温度传感器是一种将温度变化转换为（ ）变化的装置。

A.电流 B.电阻 C.电压 D.电量

D

自19世纪发现热电效应以来，热电偶被越来越广泛地用来测量（ ）范围内的温度，根据需要还可以用来测量更高或更低的温度。

A.100～1300℃ B.100～1200℃ C.100～1100℃ D.100～1000℃

A

下面对热电极极性阐明正确的是（ ）。

A.测量端失去电子的热电极为负极，得到电子的热电极为正极。

B.输出端失去电子的热电极为正极，得到电子的热电极为负极。

C.测量端失去电子的热电极为正极，得到电子的热电极为负极。

D.输出端失去电子的热电极为负极，得到电子的热电极为正极。

C

对于热电偶冷端温度不等于( )，但能保持恒定不变的情况，可采用修正法。

A.20℃ B.0℃ C.10℃ D.5℃

B

采用热电偶测温与其它感温元件一样，是通过热电偶与被测介质之间的( )。

A.热量交换 B.温度交换 C.电流传递 D.电压传递

A

随着科学技术的发展，热电阻的应用范围已扩展到的（ ）超低温领域。同时在1000-1200℃温度范围内也有足够好的特性。

A.1～10K B.1～15K C.1～5K D.1～20K

C

测量钢厂钢水温度，一般采用（ ）热电偶

A 铂铑—铂铑 B 镍铬—镍硅 C 铜—铜镍

A

工业上广泛应用热电阻作为（ ）范围的温度测量。

A．-50~300℃ B．100~1300℃

C．300~800℃ D．-200~500℃

D

在高精度测量要求场合，热电阻测量电路应设计成（ ）

A．两线制 B．三线制 C．四线制

C

下列光电式传感器中属于有源光敏传感器的是（ ）。

A. 光电效应传感器 B. 红外热释电探测器

C. 固体图像传感器 D. 光纤传感器

D

下列光电器件是根据外光电效应做出的是（ ）。

A. 光电管 B. 光电池

C. 光敏电阻 D. 光敏二极管

A

当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系称为光电管的（A. 伏安特性 B. 光照特性

C. 光谱特性 D. 频率特性

B

下列光电器件是基于光导效应的是（ ）。

A. 光电管 B. 光电池

C. 光敏电阻 D. 光敏二极管

C

光敏电阻的相对灵敏度与入射波长的关系称为（ ）。

A. 伏安特性 B. 光照特性

C. 光谱特性 D. 频率特性

C

下列关于光敏二极管和光敏三极管的对比不正确的是（ ）。

A. 光敏二极管的光电流很小，光敏三极管的光电流则较大

B. 光敏二极管与光敏三极管的暗点流相差不大

C. 工作频率较高时，应选用光敏二极管；工作频率较低时，应选用光敏三极管

）。

D. 光敏二极管的线性特性较差，而光敏三极管有很好的线性特性

D

下列光电式传感器中属于有源光敏传感器的是（ ）。

A. 光电效应传感器 B. 红外热释电探测器

C. 固体图像传感器 D. 光纤传感器

D

光敏电阻的特性是（ ）

A．有光照时亮电阻很大 B．无光照时暗电阻很小

C．无光照时暗电流很大 D．受一定波长范围的光照时亮电流很大

D

基于光生伏特效应工作的光电器件是（ ）

A．光电管 B.光敏电阻

C．光电池 D.光电倍增管

C

CCD以（ ）为信号

A. 电压 B.电流

C．电荷 D.电压或者电流

C

构成CCD的基本单元是（ ）

A. P型硅 B.PN结

C. 光电二极管 D.MOS电容器

D

基于全反射被破坏而导致光纤特性改变的原理，可以做成（ ）传感器，用于探测位移、压力、温度等变化。

A.位移 B.压力 C.温度 D.光电

A

光纤传感器一般由三部分组成，除光纤之外，还必须有光源和( )两个重要部件。

A.反射镜 B.透镜 C.光栅 D.光探测器

D

按照调制方式分类，光调制可以分为强度调制、相位调制、频率调制、波长调制以及( )等，所有这些调制过程都可以归结为将一个携带信息的信号叠加到载波光波上。

A.偏振调制 B.共振调制 C.角度调制 D.振幅调制

A

利用外界因素对于光纤中光波相位的变化来探测各种物理量的传感器，称为( )。

A.相位调制型传感器 B.相位结合型传感器

C.相位振动型传感器 D.相位干涉型传感器

D

半导体激光发光是由( )之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

A.原子 B.分子 C.离子 D.能带

D

固体激光器是以固体为工作物质的激光器，也就是以掺杂的离子型( )和玻璃作为工作物质的激光器。

A.石英晶体 B.高纯硅 C.绝缘晶体 D.压电晶体

C

利用光纤本身的某种敏感特性或功能制作的传感器称为( )。

A.敏感型传感器 B.功能型传感器 C.传光型传感器 D.功敏型传感器

B

光纤仅起传输光波的作用，必须在光纤中间或端面加装其他敏感元件才能构成传感器，称为( )。

A.光容型传感器 B.光感型传感器 C.传光型传感器 D.光敏型传感器

C

光纤振动传感器与其他光纤传感器一样，从原理上讲也可以分为两种类型，实际上，直接以( )作为振动信息的敏感元件,难以分离其他物理量变化产生的影响。

A.光纤 B.电压 C.电流 D.电阻

A

光纤是用( )作为主要原料的一种透明度很高的介质材料，广泛用于通信和传感器。

A.光刻玻璃 B.石英玻璃 C.光刻硅 D.钛铝合金

B

数值孔径NA是光纤的一个重要参数，以下说法不正确的是（ ）

A．数值孔径反映了光纤的集光能力

B．光纤的数值孔径与其几何尺寸有关

C．数值孔径越大，光纤与光源的耦合越容易

D．数值孔径越大，光信号的畸变也越大

B

下列对红外传感器的描述错误的是（ ）。

A. 红外辐射是一种人眼不可见的光线

B. 红外线的波长范围大致在0.76~1000μm之间

C. 红外线是电磁波的一种形式，但不具备反射、折射特性

D. 红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器。

C

对于工业上用的红外线气体分析仪，下面说法中正确的是（ ）

A．参比气室内装被分析气体 B.参比气室中的气体不吸收红外线

C．测量气室内装N2 D. 红外探测器工作在“大气窗口”之外

B

红外辐射的物理本质是（ ）

A．核辐射 B．微波辐射 C．热辐射 D．无线电波

C

对于工业上用的红外线气体分析仪，下面说法中错误的是（ ）

A．参比气室内可装N2 B.红外探测器工作在“大气窗口”之内

C．测量气室内装被分析气体 D.参比气室中的气体要吸收红外线

D

红外线是位于可见光中红色光以外的光线，故称红外线。它的波长范围大致在 ( )到1000μｍ的频谱范围之内。

A.0.76nm B.1.76nm C.0.76μｍ D.1.76μｍ

C

在红外技术中，一般将红外辐射分为四个区域，即近红外区、中红外区、远红外区和（ ）。这里所说的“远近”是相对红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离而言。

A.微波区 B.微红外区 C.X射线区 D.极远红外区

D

红外辐射在通过大气层时，有三个波段透过率高，它们是0.2～2.6μｍ、3～5μm和（ ）,统称它们为“大气窗口”。

A.8～14μｍ B.7～15μｍ C.8～18μｍ D.7～14.5μｍ

A

红外探测器的性能参数是衡量其性能好坏的依据。其中响应波长范围（或称光谱响应），是表示探测器的（ ）相应率与入射的红外辐射波长之间的关系。

A.电流 B.电压 C.功率 D.电阻

B

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（ ）。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。

A.光子效应 B.霍尔效应 C.热电效应 D.压电效应

A

当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（ ）。

A.光电效应 B.光电导现象 C.热电效应 D.光生伏特现象

B

研究发现．太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的，而且最大的热效应出现在（ ）的频率范围内。

A.紫外线区域 B.X射线区域 C.红外辐射区域 D.可见光区域

C

实验表明，波长在（ ）之间的电磁波被物体吸收时，可以显著地转变为热能。

A.8～14μｍ B.7～15μｍ C.2.6～14μm D.1～1000μm

D

利用温差电势现象制成的红外传感器称为（ ）红外传感器，因其时间常数较大，响应时间较长，动态特性较差，调制频率应限制在10Hz以下。

A.热电偶型 B.热释电型 C.热敏电阻型 D.热电动型

A

( )传感器是利用气体吸收红外辐射后，温度升高，体积增大的特性，来反映红外辐射的强弱。

A.热电动型 B.热释电型 C.高莱气动型 D.气热型

C

关于红外传感器，下述说法不正确的是（ ）

A. 红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器

B. 红外传感器的核心器件是红外探测器

C. 光子探测器在吸收红外能量后，将直接产生电效应

D. 为保持高灵敏度，热探测器一般需要低温冷却

D

当O2吸附到SnO2上时，下列说法正确的是（ ）。

A. 载流子数下降，电阻增加 B. 载流子数增加，电阻减小

C. 载流子数增加，电阻减小 D. 载流子数下降，电阻增加

A

当H2吸附到MoO2上时，下列说法正确的是（ ）。

A. 载流子数下降，电阻增加 B. 载流子数增加，电阻减小

C. 载流子数增加，电阻减小 D. 载流子数下降，电阻增加

D

用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，与氧气接触后（ ）

A．电阻值变小 B．电阻值变大

C．电阻值不变 D．不确定

B

气敏传感器中的加热器是为了（ ）

A．去除吸附在表面的气体 B. 去除吸附在表面的油污和尘埃

C．去除传感器中的水分 D. 起温度补偿作用

B

绝对湿度表示单位体积空气里所含水汽的（ ）。

A.质量 B.体积 C.程度 D.浓度

A

相对湿度是气体的绝对湿度与同一（ ）下水蒸汽达到饱和时的气体的绝对湿度之比。

A.体积 B.温度 C.环境 D.质量

B

湿度传感器是指能将湿度转换为与其成一定比例关系的（ ）输出的器件式装置。

A.电流 B.电压 C.电量 D.电阻

C

应时间反映湿敏元件在相对（ ）变化时输出特征量随相对湿度变化的快慢程度。

A.时间 B.温度 C.空间 D.湿度

D

气体传感器是指能将被测气体的（ ）转换为与其成一定关系的电量输出的装置或器件。

A.成分 B.体积 C.浓度 D.压强

A

半导体气体传感器，是利用半导体气敏元件同气体接触，造成（ ）发生变化，借此检测特定气体的成分及其浓度。

A.半导体电阻 B.半导体上电流 C.半导体上电压 D.半导体性质

D

气敏传感器按设计规定的电压值使加热丝通电加热之后，敏感元件电阻值首先是急剧地下降，一般约经2一10分钟过渡过程后达到稳定的电阻值输出状态，称这一状态为（ ）。

A.静态 B.初始稳定状态 C.最终稳定状态 D.工作状态

B

一般说来，如果半导体表面吸附有气体，则半导体和吸附的气体之间会有电子的施受发生，造成电子迁移，从而形成( )。

A.电流 B.电势差 C.表面电荷层 D.深层电荷

C

多孔质烧结体敏感元件与厚膜敏感元件都是( )。

A.多晶体结构 B.单晶体结构 C.非晶体结构 D.金属氧化物结构

A

MOS场效应晶体管传感器是一种二氧化硅层做得比普通的MOS场效应晶体管薄 ，而且金属栅采用钯薄膜 的钯一MOS场效应晶体管。 ( )

A.0.01μm和0.01μm B.0.01μm和0.001μm

C.0.001μm和0.001μm D.0.001μm和0.01μm

A

热导率变化式气敏传感器因为不用催化剂，所以不存在催化剂影响而使特性变坏的问题，它除用于测量可燃性气体外．也可用于( )的测量。

A.有机气体及其浓度 B.有机气体及其成分

C.惰性气体及其浓度 D.无机气体及其浓度

D

当氧化型气体吸附到P型半导体材料上时,将导致半导体材料( )

A．载流子数增加,电阻减小 B. 载流子数减少,电阻减小

C．载流子数增加,电阻增大 D. 载流子数减少,电阻增大

A

酶是生物体产生的具有催化作用的（ ），它与生命活动息息相关。

A.细胞组织 B.维生素 C.蛋白质 D.基因组织

C

自养微生物以（ ）作为主要碳源，无机氮化物作为氮源，通过细菌的光合作用或化能合成作用获得能量。

A.CO B.CO2 C.CH4 D.碳水化合物

B

（ ）是能够剌激动物机体产生免疫反应的物质。

A.抗体 B.免疫体 C.免疫细胞 D.抗原

D

微生物的呼吸可用氧电极或（ ）电极来测定结构。

A.二氧化碳 B.二氧化氮 C.二氧化硫 D.一氧化碳

A

下列关于智能传感器的功能描述错误的是（ ）。

A. 自检功能 B. 自校功能

C. 自补偿功能 D. 自动抗干扰功能

D

下列关于智能传感器与传统传感器功能对比错误的是（ ）。

A. 具有信号调理功能 B. 具有自诊断、自校准功能

C. 具有自适应、自调整功能 D. 具有记忆、存储功能

A

为减小或消除非线性误差的方法可采用（ ）。

A. 提高供电电压 B. 提高桥臂比

C. 提高桥臂电阻值 D. 提高电压灵敏度

B

全桥差动电路的电压灵敏度是单臂工作时的（ ）。

A. 不变 B. 2倍 C. 4倍 D. 6倍

C

电阻应变片配用的测量电路中，为了克服分布电容的影响，多采用( )。

A．直流平衡电桥 B．直流不平衡电桥

C．交流平衡电桥 D．交流不平衡电桥

D

通常用应变式传感器测量( )。

A. 温度 B．密度

C．加速度 D．电阻

C

影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是（ ）。

A．导电材料电阻率的变化 B．导电材料几何尺寸的变化

C．导电材料物理性质的变化 D．导电材料化学性质的变化

A

产生应变片温度误差的主要原因有（ ）。

A．电阻丝有温度系数 B．试件与电阻丝的线膨胀系数相同

C．电阻丝承受应力方向不同 D．电阻丝与试件材料不同

A

电阻应变片的线路温度补偿方法有（ ）。

A．差动电桥补偿法 B．补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法

C．补偿线圈补偿法 D．恒流源温度补偿电路法

B

当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是（ ）。

A．应变片电阻变化率与试件主应力之比

B．应变片电阻与试件主应力方向的应变之比

C．应变片电阻变化率与试件主应力方向的应变之比

D．应变片电阻变化率与试件作用力之比

C

制作应变片敏感栅的材料中，用的最多的金属材料是（ ）。

A．铜 B．铂 C．康铜 D．镍铬合金

B

利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（ A．两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片

B．两个桥臂都应当用两个工作应变片串联

C．两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片

D．两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片

C

在金属箔式应变片单臂单桥测力实验中不需要的实验设备是（ ）。

A．直流稳压电源 B．低通滤波器

C．差动放大器 D．电压表

B

关于电阻应变片，下列说法中正确的是（ ）

A．应变片的轴向应变小于径向应变

）。

B．金属电阻应变片以压阻效应为主

C．半导体应变片以应变效应为主

D．金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

D

单项选择题

金属丝的电阻随着它所受的机械变形(拉伸或压缩)的大小而发生相应的变化的现象称为金属的（ ）。

A.电阻形变效应 B.电阻应变效应 C.压电效应 D.压阻效应

B

箔式应变片的箔材厚度多在（ ）之间。

A.0.001～0.01mm B.0.01～0.1mm

C.0.01～0.1μm D.0.0001～0.001μm

A

（ ）是采用真空蒸发或真空沉积等方法，将电阻材料在基底上制成一层各种形式敏感栅而形成应变片。这种应变片灵敏系数高，易实现工业化生产，是一种很有前途的新型应变片。

A.箔式应变片 B.半导体应变片 C.沉积膜应变片 D.薄膜应变片

D

目前，薄膜应变片在实际使用中的主要问题是较难控制其电阻对（ ）的变化关系。

A.电流和时间 B.电压和时间 C.温度和时间 D.温度和电流

C‘

绝缘电阻，即敏感栅与基底间的电阻值，一般应大于（ ）。

A.10×e+10Ω B.10×e+12Ω C.10×e+9Ω D.10×e+11Ω

A

应变片的应变极限是指在温度一定时，指示应变值和真实应变的相对差值不超过一定数值时的最大真实应变数值，一般差值规定为( )，当指示应变值大于真实应变的该比例值时，真实应变值称为应变片的极限应变。

A.15％ B.20％ C.8％ D.10％

D

蠕变是指已粘贴好的应变片，在温度一定并承受一定的机械应变时，指示应变值随( )的变化。

A.位移 B.压强 C.时间 D.外力作用

C

由( )和应变片．以及一些附件(补偿元件、保护罩等)组成的装置称为应变式传感器。

A.弹性元件 B.调理电路 C.信号采集电路 D.敏感元件

A

应变片的允许工作电流参数是指（ ）

A 允许通过应变片而绝缘材料因受热而未损坏的最大电流

B 允许通过应变片而敏感栅受热未烧坏的最大电流

C 允许通过应变片而敏感栅受热未烧坏的最大电流

C

直流电桥平衡的条件是（ ）。

A 相临两臂电阻的比值相等

B 相对两臂电阻的比值相等

C相临两臂电阻的比值不相等

D 所有电阻都相等

A

直流电桥的平衡条件为（ ）

A．相邻桥臂阻值乘积相等 B．相对桥臂阻值乘积相等

C．相对桥臂阻值比值相等 D．相邻桥臂阻值之和相等

B

不属于传感器静态特性指标的是（ ）

A．重复性 B．固有频率 C．灵敏度 D．漂移

N

对于传感器的动态特性，下面哪种说法不正确（ ）

A．变面积式的电容传感器可看作零阶系统

B．一阶传感器的截止频率是时间常数的倒数

C．时间常数越大，一阶传感器的频率响应越好

D．提高二阶传感器的固有频率，可减小动态误差和扩大频率响应范围

C

在金属箔式应变片单臂单桥测力实验中不需要的实验设备是（ ）

A．直流稳压电源 B．低通滤波器

C．差动放大器 D．电压表

B

下列不属于电容式传感器测量电路的是（ ）

A．调频测量电路 B．运算放大器电路

C．脉冲宽度调制电路 D．相敏检波电路

D

在二极管双T型交流电桥中输出的电压U的大小与（ ）相关

A．仅电源电压的幅值和频率

B．电源电压幅值、频率及T型网络电容C1和C2大小

C．仅T型网络电容C1和C2大小

D．电源电压幅值和频率及T型网络电容C1大小

B

在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的

输出电压与（ ）成正比。

A．输入电荷 B.反馈电容

C．电缆电容 D.放大倍数

A

石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会（ ）

A．产生纵向压电效应 B. 产生横向压电效应

C．不产生压电效应 D. 产生逆向压电效应

B

磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）

A．位移 B．速度

C．加速度 D．光强

A

光敏电阻的特性是（ ）

A．有光照时亮电阻很大 B．无光照时暗电阻很小

C．无光照时暗电流很大 D．受一定波长范围的光照时亮电流很大

D

基于光生伏特效应工作的光电器件是（ ）

A．光电管 B.光敏电阻

C．光电池 D.光电倍增管

C

CCD以（ ）为信号

A. 电压 B.电流

C．电荷 D.电压或者电流

C

用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，

与氧气接触后（ ）

A．电阻值变小 B．电阻值变大

C．电阻值不变 D．不确定

B

若已知超声波传感器垂直安装在被测介质底部，超声波在被测介质中的传播速度为1460m/s，测量时间间隔为20us，则物位高度为（ ）

A．29.2mm B．14.6mm

C．7.3mm D．条件不足，无法求出

B

下列关于微波传感器的说法中错误的是（ ）

A.可用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.天线具有特殊结构使发射的微波具有尖锐的方向性

C.用电流—电压特性呈非线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.可分为反射式和遮断式两类

A‘

对于工业上用的红外线气体分析仪，下面说法中正确的是（ ）

A．参比气室内装被分析气体 B.参比气室中的气体不吸收红外线

C．测量气室内装N2 D. 红外探测器工作在“大气窗口”之外

B

红外辐射的物理本质是（ ）

A．核辐射 B．微波辐射 C．热辐射 D．无线电波

C

当两块光栅的夹角很小时，光栅莫尔条纹的间距（ ）

A．与栅线的宽度成正比 B.与栅线间宽成正比

C．与夹角近似成正比 D.与栅距近似成正比

D

现有一个采用4位循环码码盘的光电式编码器，码盘的起始位置对应的编码是0011，终止位置对应的编码是0101，则该码盘转动的角度可能会是（ ）

A．45° B.60° C.90° D.120°

C

下列关于热电偶传感器的说法中，（ ）是错误的。

A． 热电偶必须由两种不同性质的均质材料构成

B． 计算热电偶的热电势时，可以不考虑接触电势

C． 在工业标准中，热电偶参考端温度规定为0℃

D． 接入第三导体时，只要其两端温度相同，对总热电势没有影响

B

在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素（条件）始终保持不变，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（A．组合测量 B．静态测量

C．等精度测量 D．零位式测量

C

已知某传感器属于一阶环节，现用于测量100Hz的正弦信号，如幅值误差限制在±10%范围内，时间常数 应不大于（ ）

A．1.2 B．1.44 C．628 D．0.0019

D

关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）

A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变

B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍

C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍

D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变

A

磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（ ）

A．位移 B．速度

）

C．加速度 D．磁场强度

C

用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，

与氧气接触后（ ）

A．电阻值变大 B．电阻值变小

C．电阻值不变 D．不确定

A

微波湿度传感器的工作原理是基于（ ）

A.微波的波长很短

B.天线具有特殊结构使发射的微波具有尖锐的方向性

C.微波遇到障碍物易于反射

D.水对微波的吸收作用很强

D

依赖于“铁电体”的极化强度与温度有关的特性制成的传感器是（ ）

A．热电阻型热探测器 B. 热释电型红外传感器

C．热电偶

D. 光子探测器

B

一个6位的二进制光电式编码器，其测量精度约为（ ）

A．5.6。 B. 0.17。

C．0.016。 D. 60

A

根据测量方式的不同，测量方法可以分为（ ）

A、直接测量、间接测量和组合测量 B、偏差式测量、零位式测量和微差式测量

C、等精度测量和非等精度测量 D、静态测量和动态测量

A

用不同精度的仪表或不同的测量方法，或在环境条件不同时，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（ ）

A．动态测量 B．静态测量

C．组合测量 D．不等精度测量

D

噪声是一种（ ）

A、离散型随机变量 B、连续型随机变量 C、离散型确定变量 D、连续型确定变量

N

锁相放大器具有极强的抑制噪声的能力。锁相放大器是一种利用( )设计的同步相干检测仪

A、互相关原理 B、自相关原理 C、弱相关原理 D、强相关原理

A

测量者在处理误差时，下列哪一种做法是无法实现的（ ）

A．消除随机误差 B．减小或消除系统误差

C．修正系统误差 D．剔除粗大误差

A

测量结果偏离真值的程度由（ ）反映

A、准确度 B、精密度 C、精确度 D、精度

A

检定一台满量程5A的电流表，测得在2.0A处其绝对误差为0.1A，则该表的精度等级为（ ）时是合格的

A、2.5 B、2.0 C、1.5 D、1.0

A

在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素（条件）始终保持不变，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（A．组合测量 B．静态测量

C．等精度测量 D．零位式测量

C

）

属于传感器动态特性指标的是（ ）

A．重复性 B．固有频率 C．灵敏度 D．漂移

B

在金属箔式应变片差动单桥测力实验中不需要的实验设备是（ ）

A．直流稳压电源 B．低通滤波器

C．差动放大器 D．电压表

B

关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）

A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变

B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍

C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍

D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变

C

下列光电器件中，基于光电导效应工作的是（ ）

A．光电管 B．光敏电阻

C．光电倍增管 D．光电池

B

构成CCD的基本单元是（ ）

A. P型硅 B.PN结

C．光电二极管 D.MOS电容器

D

下列关于微波传感器的说法中正确的是（ ）

A.不能用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.不能用特殊结构的天线发射微波

C.用电流——电压特性呈线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.分为反射式、遮断式和绕射式三类

A

对于工业上用的红外线气体分析仪，下面说法中错误的是（ ）

A．参比气室内可装N2 B.红外探测器工作在“大气窗口”之内

C．测量气室内装被分析气体 D.参比气室中的气体要吸收红外线

D

现有一个采用4位循环码码盘的光电式编码器，码盘的起始位置对应的

编码是0011，终止位置对应的编码是1111，则该码盘转动的角度可能会

是（ ）

A．60° B.90° C.180° D.270°

C

用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是（ ）

A． 接线方便

B． 减小引线电阻变化产生的测量误差

C． 减小桥路中其他电阻对热电阻的影响

D． 减小桥路中电源对热电阻的影响

B

以下传感器中属于按传感器的工作原理命名的是（ ）

A．应变式传感器 B．速度传感器

C．化学型传感器 D．能量控制型传感器

A

已知某温度传感器为时间常数 秒的一阶系统，当受到突变温度作用后，传感器输出指示温差的三分之一所需的时间为（A．3 B．1 C． 1.2 D．1/3

）秒

C

直流电桥的平衡条件为（ ）

A．相邻桥臂阻值乘积相等 B．相对桥臂阻值乘积相等

C．相对桥臂阻值比值相等 D．相邻桥臂阻值之和相等

B

霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ ）

A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上

B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C．周围环境温度变化

D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配

C

数值孔径NA是光纤的一个重要参数，以下说法不正确的是（ ）

A．数值孔径反映了光纤的集光能力

B．光纤的数值孔径与其几何尺寸有关

C．数值孔径越大，光纤与光源的耦合越容易

D．数值孔径越大，光信号的畸变也越大

关于红外传感器，下述说法不正确的是（ ）

A. 红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器

B. 红外传感器的核心器件是红外探测器

C. 光子探测器在吸收红外能量后，将直接产生电效应

D. 为保持高灵敏度，热探测器一般需要低温冷却

D

微波传感器测量物体含水量主要利用下述微波的哪一个特点（ ）

A. 微波波长很短，频率很高 B. 水对微波的反射作用很强

C. 微波的传输特性很好 D. 水对微波的吸收作用很强

D

采用50线/mm的计量光栅测量线位移,若指示光栅上的莫尔条纹移动了12条,则被测线位移为（ ）mm

A．0.02 B. 0.12 C． 0.24 D. 0.48

C

当氧化型气体吸附到P型半导体材料上时,将导致半导体材料( )

A．载流子数增加,电阻减小 B. 载流子数减少,电阻减小

C．载流子数增加,电阻增大 D. 载流子数减少,电阻增大

A

传感器的主要功能是（ ）。

A. 检测和转换 B. 滤波和放大

C. 调制和解调 D. 传输和显示

A

在直流电路中使用电流表和电压表测量负载功率的测量方法属于（ ）。

A. 直接测量 B. 间接测量

C. 组合测量 D. 等精度测量

B电阻应变片配用的测量电路中，为了克服分布电容的影响，多采用( )。

A．直流平衡电桥 B．直流不平衡电桥

C．交流平衡电桥 D．交流不平衡电桥

C差动螺线管式电感传感器配用的测量电路有( )。

A．直流电桥 B．变压器式交流电桥

C．差动相敏检波电路 D．运算放大电路

C实用热电偶的热电极材料中，用的较多的是（ ）。

A．纯金属 B．非金属

C．半导体 D．合金

D

光电管和光电倍增管的特性主要取决于（ ）。

A．阴极材料 B．阳极材料

C．纯金属阴极材料 D．玻璃壳材料

A

用光敏二极管或三级管测量某光源的光通量时，是根据它们的什么特性实现的( )。

A．光谱特性 B．伏安特性

C．频率特性 D．光电特性

D

超声波测量物位是根据超声波在两种介质的分界面上的什么特性而工作的（ ）。

A. 反射 B. 折射 C. 衍射 D. 散射

A

下列关于微波传感器的说法中错误的是（ ）。

A.可用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.天线具有特殊结构使发射的微波具有尖锐的方向性

C.用电流—电压特性呈非线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.可分为反射式和遮断式两类

A用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，与NO2接触后（ ）。

A．电阻值变小 B．电阻值变大

C．电阻值不变 D．不确定

B下列不属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是（ ）。

A. 应变式传感器 B. 化学型传感器

C. 压电式传感器 D. 热电式传感器

传感器的下列指标全部属于静态特性的是（ ）

A．线性度、灵敏度、阻尼系数

B．幅频特性、相频特性、稳态误差

C．迟滞、重复性、漂移

D．精度、时间常数、重复性

B

测量者在处理误差时，下列哪一种做法是无法实现的（ ）

A．消除随机误差 B．减小或消除系统误差

C．修正系统误差 D．剔除粗大误差

A

电感式传感器采用变压器式交流电桥测量电路时，下列说法不正确的是（ ）。

A. 衔铁上、下移动时，输出电压相位相反

B. 衔铁上、下移动时，输出电压随衔铁的位移而变化

C. 根据输出的指示可以判断位移的方向

D. 当衔铁位于中间位置时，电桥处于平衡状态

C

关于压电式传感器中压电元件的连接，以下说法正确的是（ ）

A．与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变

B. 与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍

C．与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍

D. 与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变

A

在红外技术中，一般将红外辐射分为四个区域，即近红外区、中红外区、远红外区和（离而言。

）。这里所说的“远近”是相对红外辐射在电磁波谱中与可见光的距 A.微波区 B.微红外区 C.X射线区 D.极远红外区

D

下列关于微波传感器的说法中错误的是（ ）

A.可用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.天线具有特殊结构使发射的微波具有尖锐的方向性

C.用电流—电压特性呈非线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.可分为反射式和遮断式两类

A

若已知超声波传感器垂直安装在被测介质底部，超声波在被测介质中的传播速度为1480m/s，测量时间间隔为200us，则物位高度为（ ）

A．296mm B．148mm

C．74mm D．条件不足，无法求出

C

现有一个采用4位循环码码盘的光电式编码器，码盘的起始位置对应的编码是0011，终止位置对应的编码是0101，则该码盘转动的角度可能会是（A．45° B.60° C.90° D.120°

C

用N型材料SnO2制成的气敏电阻在空气中经加热处于稳定状态后，与氧气接触后（ ）

A．电阻值变小 B．电阻值变大

C．电阻值不变 D．不确定

B

随着人们对各项产品技术含量的要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展，其中，典型的传感器智能化结构模式是（ ）。

A. 传感器＋通信技术 B. 传感器＋微处理器

C. 传感器＋多媒体技术 D. 传感器＋计算机

B

在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素（条件）始终保持不变，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为（ ）

）

A．组合测量 B．静态测量

C．等精度测量 D．零位式测量

C

磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）。

A．位移 B．速度

C．加速度 D．光强

A

一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）。

A．增加 B．减小

C．增加或减小不能确定 D．不变D

D

下列光电式传感器中属于有源光敏传感器的是（ ）。

A. 光电效应传感器 B. 红外热释电探测器

C. 固体图像传感器 D. 光纤传感器

D

关于红外传感器，下述说法不正确的是（ ）

A. 红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器

B. 红外传感器的核心器件是红外探测器

C. 光子探测器在吸收红外能量后，将直接产生电效应

D. 为保持高灵敏度，热探测器一般需要低温冷却

D

下列关于微波传感器的说法中正确的是（ ）

A.不能用普通电子管与晶体管构成微波振荡器

B.不能用特殊结构的天线发射微波

C.用电流——电压特性呈线性的电子元件做探测微波的敏感探头

D.分为反射式、遮断式和绕射式三类

A

以下不属于超声波测流量的方法的有：（ ）

A.时差法 B.相位差法 C.频率差法 D.反射法

D

一个6位的二进制光电式编码器，其测量精度约为（ ）

A．5.6° B. 0.17° C．0.016° D. 60°

A

传感技术与信息学科紧密相连，是（ ）和自动转换技术的总称。

A. 自动调节 B. 自动测量 C. 自动检测 D. 信息获取

C

传感器的静态特性，是指当传感器输入、输出不随( )变化时，其输出-输入的特性。

A.时间 B.被测量 C.环境 D.地理位置

A

下列测量方法属于组合测量的是（ ）。

A. 用电流表测量电路的电流

B. 用弹簧管压力表测量压力

C. 用电压表和电流表测量功率

D. 用电阻值与温度关系测量电阻温度系数

D

已知某温度传感器为时间常数 秒的一阶系统，当受到突变温度作用后，传感器输出指示温差的三分之一所需的时间为（C

）秒

利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（ ）。

A．两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片

B．两个桥臂都应当用两个工作应变片串联

C．两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片

D．两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片

C’

下列说法正确的是（ ）。

A. 差动整流电路可以消除零点残余电压，但不能判断衔铁的位置。

B. 差动整流电路可以判断衔铁的位置，但不能判断运动的方向。

C. 相敏检波电路可以判断位移的大小，但不能判断位移的方向。

D. 相敏检波电路可以判断位移的大小，也可以判断位移的方向。

D’

下列对红外传感器的描述错误的是（ ）。

A. 红外辐射是一种人眼不可见的光线

B. 红外线的波长范围大致在0.76~1000μm之间

C. 红外线是电磁波的一种形式，但不具备反射、折射特性

D. 红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器。

C

微波传感器测量物体含水量主要利用下述微波的哪一个特点（ ）

A. 微波波长很短，频率很高 B. 水对微波的反射作用很强

C. 微波的传输特性很好 D. 水对微波的吸收作用很强

D’

在理想介质中，超声波的衰减来自于超声波的（ ）。

A. 扩散 B. 散射 C. 吸收 D. 投射

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